氮化物 SiN-Ni/AlN-Ni复合材料|氮化铝颗粒增强铝基复合材料|纳米氮化铝/纳米铝双纳米复合材料|多元硼硅酸玻璃+AlN低温共烧陶瓷材料

AIN具有高热导率[理论值可达319W(m·K)-1]、低介电常数、高电阻率及与硅相匹配的热膨胀系数，是新一代的电子封装材料。但由于在AlN中不可避免地固溶有Al2O3，导致产生铝空位而散射声子、使热导率大为降低。另外，由于AIN属共价键晶体，难以烧结．通常添加Y203,CaO,使其与Al2O3反应，在晶界生成Y-Al-O、Ca-Al-O化合物，从面减少AIN晶格中的Al2O3，提高热导率.同时，生成的液相可以促进烧结，使AIN陶瓷致密．为获得高热导率的AlN陶瓷，烧结温度通常高于1800 ℃.

实验用AIN 粉的比表面积为4.35m2-g-1，平均粒度为1.99um,氧含量为9.3(mg·g-1，下同).在AIN 粉中添加60mg-g-1的 Dy2O5等助烧结剂，加入溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂进行球磨混合，制得浆料进行流延．.再将坯片冲孔，金属W布线，迭片(70℃，100Pa),最后切成30mm×30mm,排胶，烧成。工艺过程见图1

采用热分析仪(TGA,LCP-1)测量坯片失重;由二次离子质谱仪(SIM, Riber,MIQ-156)测定排胶后素坯表面成分(压力0.29uPa,离子源Cs+，能量10KeV,束流强度0.1uA);用综合热分析仪(Setaram, TMA92/18)测量基片烧成过程中的线收缩速率;用X衍射分析仪(Rigaku,MAX-RD)分析烧成