逻辑电平(TTL/CMOS/LVDS/LVPECL/CML)

本文介绍了逻辑电平的基础知识,包括TTL、CMOS、LVTTL和LVCMOS的特性,并探讨了这些低速逻辑电平在互连时的注意事项。此外,文章详细讨论了高速逻辑电平,如LVDS、LVPECL和CML,分析了它们在高速应用中的优势,如抗干扰能力、功耗和速率。重点讲述了LVDS的低功耗和对电源电压的宽容性,LVPECL的高速率和驱动能力,以及CML的简单外部端接。最后,提到了差分对应用中的关键设计要点,如信号线长度和间距的控制,以确保信号质量和减少EMI。
摘要由CSDN通过智能技术生成

低速逻辑电平

TTL/CMOS/LVTTL/LVCMOS逻辑电平介绍

传统单板设计中,TTL和CMOS逻辑电平被广泛应用,是数字电路设计中最常见的两种逻辑电平,LVTTL和LVCMOS是它们的低电平版本。

TTL----------(Transistor-Transistor Logic gate),晶体管-晶体管逻辑门
由于晶体管是流控器件,且输入电阻较小,因此TTL电平速度快,但功耗较大;

CMOS------(Complementary Metal Oxide Semiconductor),翻译过来是互补金属氧化物半导体 ,也就是MOS管逻辑。
由于MOS管是压控器件,且输入电阻极大,因此CMOS电平的器件速度较慢,但功耗较小,同时由于CMOS器件输入阻抗很大,外界微小的干扰就可能引起电平的翻转,因此CMOS器件上使用的输入引脚应做上下拉处理,不能浮空。

现实中的信号是连续的模拟信号,而数字信号只有“1”和“0”两种逻辑状态,需使用阈值来定义来定义信号的逻辑状态。
逻辑电平阈值如下图:

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华为 逻辑电平设计规范 序. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 8.3:GTL信号的测试. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 8.2:GTL信号的PCB设计. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 8.1:GTL器件的特点和电平. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 8、GTL器件的原理和特点. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 7.7:LVDS器件应用举例. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 7.6:LVDS信号的测试. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 7.5:LVDS的设计. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 7.4:LVDS的特点. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 7.3:LVDS器件的工作原理. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 7.2:LVDS器件的标准. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 7.1:LVDS器件简介. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 7、LVDS器件的原理和特点. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 6.7:ECL器件的使用原则. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 6.6:ECL器
LVDSLVPECL是两种常见的信号转换标准。 LVDS是指低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling),它是一种差分信号传输标准,常用于高速数据传输和抗干扰能力要求较高的应用中。在LVDS中,输入需要在IN和IN-之间连接一个100Ω的电阻,以提供共模电压约为1.2V。LVDS输出的驱动器通常由3.5mA电流源组成,通过开关网络连接到差分输出OUT和OUT-的输出引脚。为了阻抗匹配,常常将LVDS信号连接到差分传输线(Z0=100Ω)或单端传输线(Z0=50Ω),并且通过接收器输入端的100Ω电阻端接,从而实现LVDS逻辑的摆幅为350mV。 LVPECL是指低压差分输出(Low Voltage Positive Emitter Coupled Logic),它也是一种差分信号传输标准,常用于高速数据传输和时钟分配应用中。在LVPECL中,通常需要在输出端接GND的地方放置一个150Ω电阻,以提供直流偏置和电流路径。为了将800mV的LVPECL摆幅衰减到325mV的LVDS摆幅,需要在150Ω电阻之后放置一个70Ω的衰减电阻。此外,还需要在LVDS接收器前面放置一个10nF的交流耦合电容,以阻止来自LVPECL驱动器的直流电平。对于LVDS接收器的输入共模,可以通过向GND放置8.7KΩ电阻连接到3.3V和5KΩ电阻到GND来实现1.2V的直流电平。如果LVDS接收器差分输入引脚上已经存在有100Ω电阻,则不需要额外的100Ω电阻。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* *2* *3* [差分晶振_LVDS/LVPECL/HCSL/CML模式](https://blog.csdn.net/dobypig/article/details/120694338)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 100%"] [ .reference_list ]
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