皮尔斯晶振电路的参数计算

皮尔斯晶振电路，就长下面这个样子

来看一下电路参数作用及如何计算，帮助更好地设计MCU的晶振电路。

RF： 晶振内部反馈电阻，它的作用是使反向器作为放大器工作，并接在Vin和Vout上，使放大器的Vout = Vin，从而强制它运行在线性区内。

不同的晶振，反馈电阻不一样，如下ST给出了对应的范围。

这个参数我们可以不用管。

Inv： 内部的反相器，作为放大器来用。

Q： 晶振/晶体。

Cs： 杂散电容，晶振的两个脚与PCB线路的杂散电容，一般在2~7pF之间。

CL1、CL2： 匹配电容，我们需要计算的，公式如下：

CL： 晶振的负载电容，芯片的数据手册上一般会给出。

Rext： 外接电阻，这个电阻用来限制晶体的驱动功率，当晶体的功率耗散大于制造商的指定值，则要加Rext，避免晶体被过驱动，当晶体上的功率耗散小于制造商的指定值，则不需要加Rext，或者Rext为0欧姆。

下面这个公式，反应了DL和ESR的关系。

DL： 是晶体的最大驱动功率。

ESR： 晶体的等效串联电阻。

DL和ESR参数可以在晶振的规格书中找到。

IQ是流过晶振电流的有效值（均方根），用IQmaxRMS表示，即：

流过晶振电流的峰峰值，用IQmaxPP表示，即：

我们再用示波器测量出晶振的驱动电流，这个值超过IQmaxPP时，就需要加Rext了。

当确定了需要加Rext，如何计算呢？

如上图，Rext和CL2其实构成了一个低通滤波器，通带频率不能小于谐振频率，即可算出Rext初始值。

算出Rext后，还要再计算一下晶振的增益余量，增益余量用gainmargin表示，增益裕量值为5是保证振荡器有效起振的最小值。

gm： 是晶振的跨导，在芯片的规格书中可以看到这个参数。

gmcrit： 是的临界值，有一个公式：

gm和gmcrit都是已知的，可以算出增益余量，有的规格书会直接给出这个参数。

电路加了Rext后，gmcrit的公式里面需要加上，变为：

需要重新计算增益余量，看是否达到要求。
上面公式中的一些参数都可以在晶振的规格书中找到。

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本文转自---------硬件工程师炼成之路