1. LDO基本原理
[LDO的原理以及重要指标_ldo性能指标_我叫夏满满的博客-CSDN博客](https://blog.csdn.net/qq_42479394/article/details/126677660)
[理解低压差稳压器 (LDO) 实现系统优化设计 | 亚德诺半导体 (analog.com)](https://www.analog.com/cn/analog-dialogue/articles/understand-ldo-concepts.html)
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LDO是一个负反馈系统,当VOUT增大,R2上电压增大,放大器输出电压增大,PMOS的VGS电压减小,这样PMOS输出电流减小,电压也减小。所有的LDO都是同样的负反馈原理。
2. LDO关键参数的理解
压差
是指保证VOUT输出电压、电流情况下,VIN与VOUT的最小电压差。这个压差可以理解为LDO输出电流在PMOS上的压降。PMOS有导通电阻,假设VIN=3.4V,VOUT=3.2V,输出电流300mA,则可以推算出PMOS的内阻是
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LDO工作必须满足压差要求,但压差不是一个固定值,它与IOUT大小有关。下图是一个VOUT=1V的LDO的输出电流与压差要求的关系曲线,可见输出电流越小,对压差要求也越小。压差越小,LDO的效率越高。所以尽量不要让LDO工作在接近极限的大电流状态,否则效率很低,LDO发热严重,容易烧毁。
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效率
[在系统中成功运用低压差稳压器 | 亚德诺半导体 (analog.com)](https://www.analog.com/cn/analog-dialogue/articles/applying-low-dropout-regulators.html)
LDO效率定义如下: