温度是怎么影响到SOC芯片的性能的？

    前面介绍了温度与功耗之间的相互影响（芯片功耗与温度的相互影响），然而温度也会影响VLSI电路与系统的性能。电路的性能与延迟有关，然而在一个指定时间间隔中，系统性能以一定工作量的形式表示更有意义，这就是吞吐量的定义。

    同步电路采用能够驱动存储器件的全局时钟，例如触发器。组合逻辑电路呈现出一个特殊的功能，它被存储器件包围。组合逻辑电路对输入信号进行运算，并将输出保存到存储单元中。系统中有这样一些路径，这些路径的延时是所有器件的延时与路径上互连部分的延时之和。然而，系统的延时由它最长或者最关键的路径决定。在关键路径上限制时钟速度，以确保输出的鲁棒性估值较高。

器件性能

    器件和互连元素的延迟与工作温度相关。器件中载流子的漂移速度与器件沟道的电场有关：

    式中，μ是载流子的迁移率。迁移率与杂质及器件温度有很大关系。由于散射，载流子不是总沿着电场方向移动。温度改变散射量，因此由方程下面的方程可知，温度也会改变迁移率。漂移是一个载流子运输过程，在电场的作用下，这个过程会产生电荷移动。另一个载流子运输过程称为扩散，扩散是指载流子从高浓度区移动到低浓度区的过程。

    式中，T0是室内温度（300k）；a的典型值为-1.5。如图所示，高温时迁移率减小。

    阈值电压是另一个影响MOS晶体管性能的参数。为了在漏极和源极之间建立反型沟道，对栅极加偏置电压，来克服器件的阈值电压Vth。电压Vth取决于许多参数，包括掺杂浓度、 通道长度、氧化层厚度及温度。通过上述的表面势能，阈值电压间接地与温度相关。这种相关性可以表述为    

    式中，η是一个很小的正常数，这个常数会随着温度的大幅变化而改变。从式中我们可以看到阈值电压随着温度的升高而降低。

    为了用公式表示温度对器件延时的总影响，我们知道反相器的延迟可以表示为

    漏极电流可以表述为

    式中，K为技术常数；α是速度饱和指标。

    器件的其他参数，如长度和宽度，也会决定温度是如何影响电路延时的。或非门有四个 PMOS晶体管串联。PMOS晶体管的迁移率很小，在硅上PMOS管对于温度的变化更为敏感。由于或非门对温度的敏感度较高，因此或非门比与非门的速度慢。电源电压也会影响或非门的敏感度，当电源电压改变10%时，四输入或非门的延时将改变4%。

    从式可以看出，高迁移率与低阈值电压可以提高器件性能。升高温度会降低迁移率，同时会减小阈值电压。迁移率的降低会导致器件的性能变差，然而阈值电压的降低却可以提高性能， 同时也会显著增加漏电流。温度可能减低、也可能改善电路性能，这取决于迁移率与电源电压哪一个是主导因素。因此这里存在一种器件对温度不敏感的设计。当温度变化时，研究这种不敏感度，可以减少VLSI电路设计中的不确定性。对于目前的工艺节点，减少迁移率是主导因素，热器件的性能会降低。然而当过驱动电压（VDD-Vth）降低时，阈值电压和电源电压可以相比拟，过驱动电压中与温度有关的变化显得更为重要。    

互连延时

    通过按比例缩小特征尺寸，在一个芯片上放置更多的晶体管，并提高器件性能，已经成为可能。按比例缩小尺寸可能会降低互连性能，更具体地说，整个芯片上更多的元件与功能块之间， 增加总线的长度以促进通信。另外，导线间距与横截面都会变小。以上原因都会导致导线电容和电阻的增加，从而电路性能会降低。

    下图描述了互连线上的信号延时如何随温度而增加，可以看出，温度越高，导线越长，延迟增加率越大。

系统吞吐量

    在系统层面， 通过在给定的时间间隔内执行指令的数量来衡量性能。在当今微体系结构中， 利用一些层次的并行性，可以以最小功耗来提供最大的性能。一些高性能芯片拥有多个处理器，在给定的时间内每一个处理器执行一个以上的线程。这里每一个线程也利用指令集并行性在每一个时钟周期内处理更多的指令。    

    高温直接影响VLSI系统的吞吐量，采用DTM 案通常会导致吞吐量降低。下图展示了不同电源电压下，温度对于吞吐量的影响，随着电源电压的增加，吞吐量增加。然而电源电压增加会导致整个芯片的温度升高，为了管理温度，DTM减少了指令的数量（获取切换）。如果芯片可以承受的最高温度比较低，切换发生更为频繁，吞吐量会大幅度下降。

可靠性问题

    在运行寿命期间，VLSI 电路会发生失效。下图是一个浴缸曲线，描绘了IC的不同生命段落。如图所示， 在早期和晚期阶段故障的数量更多。

    在早期阶段，在压力下测试老化过程中的电路，以发现薄弱的器件。在这个阶段中，温度对电路的失效有重要的影响。将 IC 放入热处理室中，在高温状态下对电路进行测试。在早期阶段，发生故障的原因之一是热失控，在测试过程中，芯片产生许多热量。在这样高温的环境下，只有有限的冷却能力，产生的热量高于移除的热量。芯片温度继续升高，如图所示， 则会导致热击穿。另一个可靠性问题是磨损失效，随着电路老化，会产生该问题。在IC寿命的后期阶段，电迁移是产生互连故障的主要原因之一。电迁移是由电流流动造成大量金属导体移动而产生的，它会导致电路产生短路或开路现象。图举例说明了这种失效机理。由于电迁移引起的互连的平均失效时间（Mean Time to Failure，MTTF）由下面方程给出：    

    式中，A是常数，该常数与互连的微观结构和几何结构相关；j是直流电流或平均电流密度；指数n在正常情况下的典型值为2；Q晶粒间界扩散活化能；KB是玻耳兹曼常数；Tm 是金属的温度。

    电迁移是很严重的问题，特别是在直流电流由电源流向负载的电源电压网络中。因此，将电源分布网络的MTTF设计成等于或大于十年。还有其他与温度相关的可靠性问题。时变介质电子击穿、温度循环、热载体注入及静电放电都与工作温度有关。