LDO如何计算温升

最新推荐文章于 2024-10-29 13:44:01 发布
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本文介绍了LDO线性稳压器的温升计算方法，并通过实例探讨了温升对LDO性能的影响，主要面向硬件和嵌入式领域的读者。

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一.LDO如何计算温升

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二.LDO温升影响实例

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从LDO芯片、封装选型到半导体热阻和功率计算
aifojun的博客
07-03 3285
X工，每次选择这些封装时候我就会犯难，为什么选这个？
电路设计中LDO与DC-DC的选择问题（LDO篇）
暮雨潇潇闻子规
06-18 3491
  直流电分为两大类：线性电源和开关电源。   在实际应用中，总会需要同时用到多个直流电压，这是需要用到电源芯片实现电压的转换。DC-DC和LDO都可以实现电压的转换，但是二者实现电压转换的方式则有本质不同。要想了解二者的区别和应用场景，需从原理上进行分析。 一、LDO Ⅰ 原理   LDO，全称低压差线性稳压器（Low Dropout Regulator），属于线性电源，应用时所需要的外接元件较...
DCDC电源注意事项
honeyball的博客
10-29 568
不同模式下的效率对比：左边是CCM模式，右边是DCM模式: 可以看到左侧纹波更大，右侧纹波较小；
LDO温升理论计算
qq_42722691的博客
07-11 1160
关于LDO温升理论计算公式
【学习笔记】LDO结温选型计算
adstime的博客
07-03 585
由此得到P的范围40/80~100/80（W）,假设输入电压VIN=5V,输出电压VOUT=3.3V,那么计算得到那么VIN-VOUT=1.7，IOUT=294mA~735mA。1.确定负载所用电压VOUT、输入电压VIN、负载电流I，比如输入5V,输出3.3V/100ma（max）例如：AMS117,最大结温Tj=125℃，SO-8封装的Rth（j-a）=80℃/W。在环境温度25℃时，即Ta=25,由上式计算得到P=100/80。在环境温度85℃时，即Ta=85,由上式计算得到P=40/80。
FET的介绍
qq_35912930的博客
11-04 442
目录1. 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）(1) N沟道增强型① 结构② 电路符号③ 工作原理④ I-V特性曲线(2) N沟道耗尽型(3) P沟道增强型(4) P沟道耗尽型2. 结型场效应管（JFET） 场效应三极管 = 场效应管 = 单极性器件 = 电压控制电流型器件 FET只有一种载流子——电子或空穴 1. 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） (1) N沟道增强型 ① 结构 ② 电路符号 ③ 工作原理 ④ I-V特性曲线 (2) N沟道耗尽型 (3) P沟道增强型 (4) P沟道耗
计算线性稳压器(LDO)的结温、警惕LDO标称电流-AMS1117-3.3(SOT-223封装)为例
wutianxin0
04-11 3242
计算线性稳压器(LDO)的结温、输出电流能力-AMS1117-3.3(SOT-223封装)为例。12V降压至3.3V输出电流范围50mA-140mA；9V降压至3.3V输出电流范围80mA-210mA； 5V降压至3.3V输出电流范围260mA-700mA。
LDO与DC-DC器件的区别
08-20
相比之下，DC-DC转换器提供了更广泛的电压转换选项，包括升压、降压、升/降压和反相等电路，使其能适应多种应用场景。DC-DC转换器的效率通常高于LDO，因为它们通过开关操作实现电压转换，减少了在电压转换过程中的...
双LDO的均流相关知识
08-10
在上述内容中，作者面临的问题是需要为5V负载提供220mA电流，而使用的单个TLE4275D LDO（最大400mA）在高功耗下会导致显著的温升，影响设备的稳定性和寿命。 LDO内部通常包含一个PNP晶体管，其输出电压有一定的误差...
ldo和dcdc功耗_电路设计中LDO与DC/DC的选择问题（LDO篇）
weixin_31476341的博客
12-30 2879
直流电分为两大类：线性电源和开关电源。在实际应用中，总会需要同时用到多个直流电压，这是需要用到电源芯片实现电压的转换。DC-DC和LDO都可以实现电压的转换，但是二者实现电压转换的方式则有本质不同。要想了解二者的区别和应用场景，需从原理上进行分析。一、LDOⅠ 原理LDO，全称低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator)，属于线性电源，应用时所需要的外接元件较少，一些型号的LDO...
LDO发热分析
07-17
热力学中常犯的一个错误就是选择和线性稳压器一样简易的装置。当设计上台面后，设计师通常会意识到自己的错误。更糟的是，由于稳压器的运行温度超过其额定温度，这种设计在实际使用中会发生故障。凭借新型线性稳压器的新功能和规格，很容易忽视封装中消散的功率。 记住，线性稳压器基本上由一个旁路元件和一个控制器组成。该元件是一个晶体管，可以在控制回路的帮助下作为可变电阻器，在旁路元件和负荷之间形成一个分压器。
电源芯片的温升计算
11-26 1万+
参考链接： https://zhuanlan.zhihu.com/p/125085425 https://techclass.rohm.com.cn/knowledge/si/s-si/04-s-si/7129 什么是芯片温度 为保险起见，在此明确一下什么是芯片温度。芯片温度是指晶体管芯片本身的温度Tj（结温）。芯片温度Tj是周围（环境）温度Ta与芯片发热量相加后的温度，是考虑额定值和寿命时最重要的因素之一。 芯片温度的计算 由于近年来的晶体管芯片是由树脂密封的，当然就无法直接测得芯...
芯片结温计算
热门推荐
小菜菜13的博客
10-26 2万+
结温参数介绍 RθJA 值越大，表示此 封装的散热效率越低，而值越小，表示器件散热效率越高。 封装尺寸越小，RθJA 值通常越大。如上图DCK(SCK70)热阻307.6°C/W，意味着芯片每消耗1W，芯片温度就会升高 307.6°C 。 结温计算 表中建议的芯片工作结温介于 -55°C 至 150°C 之间。 结温计算公式： 其中 TJ 为结温，TA 为环境温度，RθJA 为热阻（取自数据表），PD 为功耗，Iground 为接地电流（取自数据表）。 下面给出了一个简单示例，使用 TPS732 将
设计LDO电路需考虑因素
KeFan
04-03 2253
传统的稳压器显然是不适合市场，因为对于一些特定的应用，输入和输出的压差过低就无法使用，这时LDO类的电源转换芯片才诞生了，帮助我们很好的解决了这个问题。不过在此提醒大家在设计LDO时主要应考虑以下问题。 1、压差（Uin-Uout） 压差是LDO的重要参数，它表示输入与输出之间的电位差，LDO的压差越小越好。但是当输入电压不能满足“最小压差”的要求时，LDO就无法正常工作。此时误差放大器会进入...
芯片温升估算与实际测试
LUOHUATINGYUSHENG的博客
12-30 7597
芯片温升估算与实际测试 现在设备越来越趋于小型化设计，也就是单位体积下热功耗变大。但是电子产品最大的问题就是温度，大部分的电子用的时间长了，就会发热，电池也会随着使用时间越久，电池就会变得不耐用。 温度过高会使得电子产品的绝缘性能退化，元器件也会渐渐的损坏，材料变得老化。一般而言，过高的温度会使得电阻降低，这也是其的使用寿命会变短的原因。电子产品里面的变压器等其他的材料都会受到高温的影响，性能下降...
LDO与DC-DC知识讲解
m0_74422574的博客
06-02 4138
此文章篇幅比较长，全是对LDO与DC-DC的基础知识的详细解读，希望对有帮助的读者能仔细读下去。废话不多说，直接上干货，首先我们来讲解LDO的知识。
LDO主要功能模块概述（第一部分）
qq_65548634的博客
10-15 1614
下图所示是常见的DC-DC电源的种类：​​​​​​可以看到DC-DC电源主要分为线性稳压器和开关电源，其中开关电源又分为两类，分别是基于电感的和基于电容，其中基于电感的通常称为开关电源而基于电容的则称为电荷泵以此来作为区分。下面我们来主要介绍一下线性稳压器的相关结构和性能参数特点。在本部分中我们给出了LDO基本组成模块各自的主要性能参数，帮助我们建立对不同模块的理解，为后续设计所面临的问题提供帮助。
LDO重要参数 – 芯片热阻
STN6554的博客
06-14 819
LDO重要参数 – 芯片热阻
LDO电路设计以及选型的几个重要参数
weixin_43772512的博客
04-11 1万+
在硬件设备开发的过程中，相信很多工程师都会用到LDO。提及LDO，与之对应的即为DC-DC。其两者经常会进行对比。小白在去年暑假面试时，就有不少考题问过这两者的区别以及各自的优劣势。LDO相对来说还是很常用的，今天小白就来讲讲LDO。LDO(Low-Dropout Linear Regulator)即低压差线性稳压器。作为硬件设计最重要的一个电路模块之一，很多人一定会用到过。不管是集成式芯片还是自己亲手搭建的模块，大家应该都要有所了解。下面简单聊一聊LDO。图为搭建的最简单的LDO电路图。
ldo散热
最新发布
03-22
### LDО 散热设计与实现 LDО（Low Dropout Regulator），即低压差线性稳压器，在电子设备中广泛用于提供稳定的电源电压。由于其工作原理涉及能量转换，不可避免会产生热量。为了确保LDO能够稳定运行并延长使用寿命，合理的散热设计至关重要。 #### LDO的工作机制及其发热原因 LDO通过调整内部晶体管的导通程度来维持输出电压恒定。当输入电压高于输出电压时，多余的电能会以热的形式耗散掉[^2]。这种特性使得LDO在高负载或大压差情况下容易过热，从而影响性能甚至损坏器件。 #### 影响LDO温升的主要因素 1. **功耗计算** 功耗\(P\)可以通过公式 \( P = (V_{in} - V_{out}) \times I_{load} \) 计算得出[^3]。其中，\(V_{in}\) 是输入电压，\(V_{out}\) 是输出电压，而\(I_{load}\) 则代表负载电流。较高的功率损耗意味着更多的热量产生。 2. **封装形式** 不同类型的封装具有不同的热阻(\(R_{\theta JA}\))，这是衡量从芯片到周围环境传递热量效率的重要参数之一。通常来说，表面贴装技术(SMD) 封装相比传统插件式拥有更低的热阻值，有助于改善散热效果[^4]。 #### 常见的LDO散热解决方案 - **增加散热片** 使用金属材质制成的大面积散热片可以有效增大接触表面积，促进空气流动带走更多热量。这种方法简单易行但可能增加整体尺寸和重量[^5]。 - **优化PCB布局** 设计多层印制电路板(PCB)，利用铜箔作为高效导体将热量均匀分布至整个板面；或者专门设置大面积接地平面(GND Plane)，进一步增强冷却能力[^6]。 - **选择低热阻产品** 部分制造商提供了针对特定应用场景开发的高性能版本LDO，它们具备更优的温度特性和较小的封装体积，适合紧凑型系统集成需求[^7]。 ```python def calculate_ldo_power_loss(v_in, v_out, i_load): """ Calculate the power loss of an LDO regulator. Parameters: v_in (float): Input voltage to the LDO. v_out (float): Output voltage from the LDO. i_load (float): Load current drawn by the circuit connected to the LDO output. Returns: float: Power dissipated as heat within the LDO device. """ return abs((v_in - v_out) * i_load) # Example usage power_dissipation = calculate_ldo_power_loss(5.0, 3.3, 0.5) print(f"LDO Power Dissipation: {power_dissipation:.2f} Watts") ``` 上述代码片段展示了如何基于给定条件估算LDO产生的热损失量。 #### 总结 良好的散热策略对于保障LDO正常运作极其重要。实际应用过程中需综合考虑各方面要素选取最适宜的方法组合达到理想目标。
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