【转】小科普|FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的区别

本文科普了FET、MOSFET、MESFET和MODFET的区别。MOSFET采用金属-氧化物-半导体结构作为栅极,而MESFET和MODFET使用金属-半导体接触,其中MODFET具有异质结,提升高速性能。MESFET的截止频率比MOSFET高三倍,MODFET则再提高30%。

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FET,场效应晶体管,Field Effect Transistor,简单理解就是个水管阀门。

关上

打开

FET,有源极(Source)就是电子从源流入FET;

栅极(Gate),是个门,阀门,打开FET,电子就流动,关上阀门,电子就不流动。

漏极(Drain),电子流出FET;

电子是负电荷,所以,是从GND流到Vcc的

MOSFET,Y2T149聊到MOS是个电容,MOSFET叫做金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

是现在数字半导体芯片常用的结构:

MESFET金属半导体场效应晶体管Metal Epitaxial-Semic

微电子经典之作! 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学热特性1.7异质结纳米结构1.8基本方程实例第2部分器件的基本构件第2章p-n结二极管2.1引言2.2耗尽区2.3电流-电压特性2.4结击穿2.5瞬变特性与噪声2.6端功能2.7异质结第3章金属-半导体接触3.1引言3.2势垒的形成3.3电流输运过程3.4势垒高度的测量3.5器件结构3.6欧姆接触第4章金属-绝缘体-半导体电容4.1引言4.2理想MIS电容4.3硅MOS电容第3部分晶体管第5章双极晶体管5.1引言5.2静态特性5.3微波特性5.4相关器件结构5.5异质结双极晶体管第6章MOS场效应晶体管6.1引言6.2器件的基本特性6.3非均匀掺杂埋沟器件6.4器件按比例缩小短沟道效应6.5MOSFET的结构6.6电路应用6.7非挥发存储器6.8单电子晶体管第7章JFETMESFETMODFET器件7.1引言7.2JFETMODFET7.3MODFET第4部分负阻器件功率器件第8章隧道器件8.1引言8.2隧道二极管8.3相关的隧道器件8.4共振遂穿二极管第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章移电子器件实空间移器件第11章晶闸管功率器件第5部分光学器件传感器第12章发光二极管半导体激光器第13章光电探测器太阳电池第14章传感器附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.SiGaAs的特性H.SiO2Si3N4的特性
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