MOSFET开通特性（1）——输入特性

1.MOSFET的输入特性

1.1结构

MOSFET物理结构

MOSFET电路符号

①电力MOSFET采用垂直导电和多元集成结构，多子电子参与导电。

②由本身结构所致，在漏极（D）和源极（S）之间由P区、N-漂移区和N+区形成反向并联的寄生二极管，且具有与电力二极管一样的PiN结构，能耐高压、通大电流。

1.2转移特性

栅极（G）加一正向电压UGS，将P区少子电子吸引到栅极下面P区表面，逐渐形成N沟道。

UGS<UT（开启电压），DS极间电阻很大，不导通；

UGS>UT，DS极电阻迅速减小，使得DS导通。

转移特性和输出特性

 

1.3寄生参数及动态模型

实验：
G极悬空，按下S，灯亮了。G未加正向电压，MOSFET的寄生参数影响。
动态模型如图所示，S合上后，由于寄生小电容Cdg（输入电容）、Cgd（密勒电容）充电，G极有分压，导致GS误导通。其实，这时候DS并未完全导通，有一定量的电阻。

消除影响的方法：
由于Cdg（输入电容）、Cgd（密勒电容）很小，为泄放漏电流，避免G极积累电荷形成开通电压，可在GS间加10K电阻R。漏电流很小，在R上产生的电压很小。

注意：
①MOSFET栅极不能悬空，需要接下拉电阻；
②驱动板和安装MOSFET的功率板分开设计时，泄放电阻应放在功率板上，防止驱动板扒开后调试功率板时烧坏MOSFET。