MOSFET开通特性（2）——动态特性

2.MOSFET的动态特性

2.1驱动电路

驱动电路的暂态模型

Rg上的电压波形：

栅极的输入特性为容性，开通时充电，关断时放电；Rg起到限流和控制开关速度的作用。

2.2栅极的充电曲线及开通关断过程

MOSFET开通关断波形图

 

导通过程：

①uGS<UT时，驱动电流给Cgs充电，uGS逐渐增大，MOSFET的漏源极之间截止不导通，给驱动电流给Cgd充电电流极小，iD=0；

②uGS>UT时，MOSFET开始导通，DS间电阻逐渐减小，iD逐渐增大，驱动电流继续给Cgs充电；

③uGS>uGSP（uGSP为DS完全导通的最低栅源电压）后，DS接近完全导通，这时uD迅速下降，Cgs两端电压不能突变，由∆Q=Cgd∆Ugd，Cgd随之迅速充电（即Cdg迅速放电），充电电流几乎占据了整个驱动电流，故Cgs不再充电，ugs几乎不变；

（这个过程是由于存在密勒电容Cgd引起的，故这段时间的波形又称密勒平台。）

④uD下降到约等于uS，驱动电流同时给Cgs和Cdg充电，uGS继续增大，直至等于驱动电压UGS。

关断过程：

对高频信号（几十kHZ），观测其波形要用示波器触发模式。

用示波器观察驱动波形，一定是GS引脚之间，观察几个指标：
①高、低电平电压；
②整体波形形状、开通过程；
③时间：整个开通时间、密勒平台、死区时间；
④波形局部是否有振荡、拉低、尖峰。
电压尖峰可能会导致管子误导通，为避免这种情况，一般低电平会用负压。

死区时间确定：死区时间没有确切的标准值，一般在1us左右，可以根据不同的死区时间，对变换器效率进行测试。使用效率最高的那个死区时间。
一般，死区时间≥10×关断开通时间