1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET C3M0040120J2/C3M0160120K1/C3M0075120J2，ISM330BXTR (IMU) ,CMD178C3和CMD177C3混频器

MOSFET

这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列基于第三代技术，针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。

C3M0075120J2 1200 V, 75 mΩ, 34 A, TO-263-7 表面贴装

晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Id-连续漏极电流：30 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.5 V
Qg-栅极电荷：48 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 150°C
Pd-功率耗散：113.6 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：8 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：15 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFETs
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：24 ns
典型接通延迟时间：7 ns

C3M0160120K1 1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-3  通孔

C3M0040120J2 1200 V, 40 mΩ, 63 A, TO-263-7  表面贴装

晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Id-连续漏极电流：64 A
Rds On-漏源导通电阻：60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.7 V
Qg-栅极电荷：94 nC
最小工作温度：- 40°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：272 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：8 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：18 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFETs
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：22 ns
典型接通延迟时间：13 ns

特性
整个温度范围内稳定的RDS(ON)
提供带独立开尔文源引脚的封装选项
极快切换
减少对散热器的需求

应用
太阳能逆变器和储能
车载快速DC电动汽车充电系统
电机控制和驱动
焊接和感应加热
辅助电源
高压DC/DC转换器

碳化硅 (SiC) MOSFET系列器件：
E3M0160120D
E3M0160120K
E3M0045065K
E3M0013120K
E4M0045075J2
E4M0025075J2
E4M0025075K1
E4M0015075J2
E4M0015075K1
C3M0032120K1
C3M0032120J2
C3M0075120K1
C3M0075120J2
C3M0160120K1
C3M0040120J2

1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET C3M0040120J2/C3M0160120K1/C3M0075120J2，ISM330BXTR (IMU) ,CMD178C3和CMD177C3混频器—— 明佳达

混频器

CMD177C3是一款通用双平衡混频器，采用无引脚表贴封装，可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于采用了优化的巴伦结构，该混频器MMIC对RF和IF端口都具有非常高的隔离性能，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD177C3可以通过外部混合器和功率分配器轻松配置为镜像抑制混频器或单边带调制器。

规格
频率：6 GHz to 14 GHz
转换损失最大：10 dB
NF—噪声系数：7 dB
LO频率：6 GHz to 14 GHz
中频：DC to 5 GHz
最大工作温度：+ 85°C
最小工作温度：- 40°C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QFN-12
增益：- 6.5 dB
系列：CMD177
单位重量：18.490 g

CMD178C3是一款通用双平衡混频器，采用无引脚表贴封装，可用于11 GHz至20 GHz的上变频和下变频应用。

CMD178C3采用优化的巴伦结构，对RF和IF端口都具有非常高的隔离性能，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。该器件可以通过外部混合器和功率分配器轻松配置为镜像抑制混频器或单边带调制器。

规格
射频：11 GHz to 21 GHz
转换损失—最大：10 dB
NF—噪声系数：7 dB
LO频率：11 GHz to 21 GHz
中频：DC to 6 GHz
最大工作温度：+ 85°C
最小工作温度：- 40°C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QFN-12
增益：-6 dB
系列：CMD178
零件号别名：CMD178

IMU（惯性测量单元）

ISM330BXTR惯性测量单元 (IMU) 采用一个3轴数字加速度计和一个带三个通道的三轴数字陀螺仪。这些通道用于处理用于运动跟踪和振动测量的加速度和角速度数据，以及在多达三个独立通道上进行Qvar检测，具有专用配置、处理和滤波功能。

特性
三轴加速度计，满量程可选为±2/±4/±8g
三轴陀螺仪，扩展的可选满量程为±125/±250/±500/±1000/±2000/±4000dps
三轴加速度计，具有平坦、宽带宽 (2kHz) 频率响应和低噪声（SPI/I3C接口上70μg/√ Hz，甚至TDM接口上低至30μg/√ Hz）
在高性能模式下功耗低至0.6mA（组合模式下）或仅0.19mA加速度计
SPI/I2C和MIPI I3C® v1.1串行接口，具有主处理器数据同步功能
TDM控制器接口
可编程有限状态机，用于加速度计、陀螺仪和模拟集线器/Qvar传感器数据处理，速率高达960Hz
嵌入式传感器融合低功耗 (SFLP) 算法
机器学习内核，具有用于AI应用的可扩展特性和滤波器
嵌入式自适应自配置 (ASC)
智能FIFO高达4.5 KB
嵌入式模拟集线器，用于模数转换和处理模拟输入数据
嵌入式Qvar：电荷变化检测
嵌入式温度传感器
模拟电源电压范围：1.71V至3.6V
独立IO电源（扩展范围为1.08V至3.6V）
紧凑尺寸：3mm x 2.5mm x 0.71mm
符合ECOPACK和RoHS指令

应用
条件监测
机器人技术
运动跟踪
白色家电
助听器

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