碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性:百度网盘 请输入提取码提取码25uw
SiC‐MOSFET 与IGBT 不同,不存在开启电压,所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。
而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上,与Si‐MOSFET 不同,SiC‐MOSFET的上升率比较低,因此易于热设计,且高温下的导通电阻也很低。 驱动门极电压和导通电阻
SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低,但是另一方面,按照现在的技术水平,SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此,越高的门极电压,可以得到越低的导通电阻(Vgs=20V 以上则逐渐饱和)。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10~15V 的话,不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能,所以为了得到充分的低导通电阻,推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话,有可能发生热失控,请注意不要使用。
Vg‐Id 特性
SiC‐MOSFET 的阈值电压在数mA 的情况下定义的话,与Si‐MOSFET 相当,室温下大约3V(常闭)。但是,如果流通几A 的话,需要的门极电压在室温下约为8V 以上,所以可以认为针对误触发的耐性与IGBT 相当。温度越高,阈值电压越低。