I2C—读写EEPROM学习笔记之EEPROM简介

本文介绍了EEPROM的基本概念,包括其作为电可擦可编程只读存储器的角色。在I2C总线上,只需一个上拉电阻即可。详细讲解了EEPROM的地址结构,如7位地址中的固定部分和可配置部分,以及读写地址的确定。还阐述了写操作的byte/page write方式,特别是page write每次可写入8个字节,需要注意在写入前进行询问。同时,介绍了读操作,包括当前地址读取和随机读取,并说明连续读取的范围和重置条件。
摘要由CSDN通过智能技术生成

EEPROM原理图:
electrically erasable and programmable read-only memory
在这里插入图片描述
一个总线只需要一个上拉电阻就可以了,不需要每个都接。
PB6,PB7:IIC1_SCL,IIC1_SDA
HOLD:写保护 为高电平就无法写入数据,这里接地
A012:地址输入 前四位固定1010
后三位可以自己配置 这里是000
七位地址:1010000 写程序的时候就输入读/写位地址 (都可以)再加方向位就行了
读地址:10100001
写地址:10100000

写操作:
写操作两种:byte/page write
在这里插入图片描述
page write最多每次写入8个/16个字节。这里写8个
写入数据较慢,所以下一次写之前需要询问(发送起始信号和设备地址)响应

读操作:
在这里插入图片描述
当前地址:比如刚刚写完第10地址,就读10地址内容
在这里插入图片描述
随机读取:先写(写地址比如第10个地址),再次产生起始信号,然后在读,复合读写
连续读取:可以一直读到255,如果超过255,重新从第一个开始读取。

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