麦克斯韦方程组在电力传动领域的应用(1)

基本概念

  1. ε 0 \varepsilon _0 ε0:真空介电常数;来源于库仑定律,是一个基本的物理常量;
  2. 电场强度矢量 E ⃗ \vec{E} E :有大小,有方向的矢量;大小等于单位电荷在该处所受电场力的大小;方向与正电荷在该处所受电场力的方向一致; 电场强度的引入,表征了该电荷的固有特性,而与试验电荷无关;
  3. 高斯定理:通过一个任意闭合曲面s的电场强度通量等于该面所包围的所有电荷量的代数和除以 ε 0 \varepsilon _0 ε0与闭合面外的电荷无关。数学描述为: Φ E = ∯ s E cos ⁡ θ d S = ∑ q 0 ε 0 \varPhi _E=\oiint_s{E\cos \theta dS=\frac{\sum{q_0}}{\varepsilon _0}} ΦE= sEcosθdS=ε0q0
  4. 保守力场:任何做功与路径无关的力场,叫做保守力场。
  5. 电势差(电压差)的概念: U p q = W p q q 0 = ∫ p q E ⋅ d l U_{pq}=\frac{W_{pq}}{q_0}=\int_p^q{E\cdot dl} Upq=q0Wpq=pqEdl。移动单位电荷时,电场力所作的功。场强为零,意味着电压相等;
  6. 静电平衡:均匀导体的静电平衡条件时其体内场强处处为0.(若场强不为0,则电荷将在场强作用下进行移动。)
    在这里插入图片描述
    导体置于电场后,由于原始电场作用,导致导体内部电子运动,导致导体的电荷重新分布,产生静电感应现象,当导体内部的合成电场强度为0时,电子不在运动,此时导体内部场强处处相等,且为0。导体外部靠近其表面地方的场强处处与表面垂直。
    静电平衡后,导体内无电荷,电荷都分布在导体表面。(可以用高斯定理证明);
  7. 静电边界问题的唯一性定理:当带电体系中各个导体的形状大小,相对位置确定后,他们上面的电荷分布,以及空间各个电的电场分布都会唯一确定下来。
  8. 根据静电平衡后,导体内部电场为零,场强与导体表面垂直,可以得到以下推论:导体外表面场强的计算可以构造圆柱形高斯面计算得到。
    E = σ e ε 0 , σ e 为电荷面密度; E=\frac{\sigma _e}{\varepsilon _0},\sigma _e\text{为电荷面密度;} E=ε0σe,σe为电荷面密度;
    因此电荷面密度高的区域,外表面场强大;
  9. 极化电荷:把电介质插入电场后,由于同号电荷相斥,异号电荷相吸,导致介质表面出现类似的正负电荷。这种现象叫做极化。表面出现的电荷叫极化电荷。该极化电荷起到削弱原始电场,增加电容的作用。只不过导体上出现感应电荷是由于电子的重新分布引起,而介质上的极化是由于束缚电荷的微小移动。取向极化和位移极化对变化电场的响应速度不同。

个人理解

  1. 采用环量,通量描述电场磁场的优点:一方面更能体现电场,磁场的有源,无源的物理本质;有助于从整体的角度体现电磁场的特征;
  2. 直接使用高斯定理时,高斯面需要具有一定的对称性,才便于进行计算。
  3. 要判断电场强度的方向:可以假想放入正电荷,正电荷受力的方向就是电场强度的方向,另外可以采用场强叠加原理判断场强方向。
  4. 对于静电场,由于功=力点成距离。因此,对于闭合曲线的电场线积分,由于点乘的方向性,得出以下结论: ∮ L E ⋅ d l = 0 \oint_L{E\cdot dl}=0 LEdl=0
  5. 对于电容器:当一个基板存在电荷时,由于静电感应,另一个基板将存在感应电荷。
  6. 注意真空介电常数出现在平行板电容器的计算公式中。 C = ε 0 S d C=\frac{\varepsilon _0S}{d} C=dε0S
  7. 注意电容器中的电场强度仍然可以采用高斯定理计算。

应用领域

  1. 高斯定理的应用
    空心带电球体内部的场强为零。
    在这里插入图片描述
  2. 对于空心球体,内部场强为0,因此内部电势处处相等;
  3. 对于保守场:可以通过 ∮ L E ⋅ d l = 0 \oint_L{E\cdot dl}=0 LEdl=0得到(基尔霍夫电压)KVL定律。
  4. 静电平衡时,导体边缘尖端位置的场强大;
  5. 静电屏蔽:在静电平衡状态下,腔内无其他导体的导体壳,内部电场为0,电势处处相等,不受外界电场的影响。(汽车遭遇雷击时,内部电场处处相等,实现对汽车内设备和人员的保护。)
  6. 静电屏蔽的两个应用:使设备不受外界影响,使设备不影响外界;

疑问

  1. 为什么电势计算的结果没有负号:
    E = 1 4 π ε 0 q r p 2 U p = ∫ p ∞ E ⋅ d l = − 1 4 π ε 0 q r p E=\frac{1}{4\pi \varepsilon _0}\frac{q}{r_{p}^{2}} \\ U_p=\int_p^{\infty}{E\cdot dl}=-\frac{1}{4\pi \varepsilon _0}\frac{q}{r_p} E=4πε01rp2qUp=pEdl=4πε01rpq
    而教科书的计算结果: U p = ∫ p ∞ E ⋅ d l = 1 4 π ε 0 q r p U_p=\int_p^{\infty}{E\cdot dl}=\frac{1}{4\pi \varepsilon _0}\frac{q}{r_p} Up=pEdl=4πε01rpq
  2. 静电场中的导体,为什么电场方向与导体表面垂直?

参考教材

  1. 《电磁学》赵凯华
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