一种3位sar adc工作过程推导（二）

3位sar adc采用下图的电容阵列，需要2³个电容，它的基本单元有二进制加权的电容阵列、1个与LSB电容等值的电容；它利用电容上的初始电荷再分配完成二进制搜索算法，因此功耗一般比较小，而且不需要额外的采样保持电路¹。

上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导（二）》讨论了两个参考电压V_refP和V_refN取值的一般情况，可以通过改变电路的结构和开关时序逻辑来满足参考电压V_refP和V_refN取值的一般情况。

下面针对前文《一种3位sar adc工作过程推导》提出的3位sar adc的电路结构进行稍微修改,修改后的电路如下图：所有电容的正端（也称为上极板）与比较器的同相端连接，比较器反相端接V_refN，下面对其工作过程进行大致分析

两个参考电压$V_{refP}$和$V_{refN}$，$V_{-}=V_{refN}$，假设$\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<\frac{6}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}$

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分析过程：

step 0：采样阶段

${\varphi }_1$开关闭合，比较器同相端都接V_in；同时让电容负端都接参考电压V_refP

电容上存储的电荷量$Q=(V_{in}-V_{refP})\cdot 8C$

比较器同相端电压$V_{+}=V_{in}$

step 1：电荷再分配阶段（电压比较阶段）

首先将开关${\varphi }_1$断开，电容4C的负端接V_refN，其余电容保持接V_refP不变
根据电容上的电荷量相等，可得

$\begin{array}{rl}& (V_{+}-V_{refP})\cdot 4C+(V_{+}-V_{refN})\cdot 4C=(V_{in}-V_{refP})\cdot 8C\end{array}$

$\Rightarrow V_{+}=V_{in}-\frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})$

则
$$\begin{array}{rl}{V}_{+}-V_{-}& =\\ & \end{array}$$