一种4位sar adc工作过程推导(二)

4位sar adc采用下图的CDAC,下面对其工作过程进行大致分析,这次4位sar adc与上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导》结构相同,最主要的是参考电压范围的变化,之前的文章两个参考电压分别是 V r e f P = V r e f V_{refP}=V_{ref} VrefP=Vref V r e f N = 0 V_{refN}=0 VrefN=0,此次讨论参考电压的选取为一般情况下( V r e f P > V r e f N V_{refP}>V_{refN} VrefP>VrefN),没有设定 V r e f N = 0 V_{refN}=0 VrefN=0这个条件,adc是否能够正常进行逐次比较。

4bit_adc_step4原理图.png

V c m = V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N V_{cm}=\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN} Vcm=2VrefPVrefN+VrefN V − = V c m V_{-}=V_{cm} V=Vcm,假设 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N < V i n < 12 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<\frac{12}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN<Vin<1612(VrefPVrefN)+VrefN


分析过程:

step1:

4bit_adc_step1.png

ϕ 1 \phi_{1} ϕ1开关闭合,比较器同向端接Vin,反相端接Vcm,电容负端都接Vcm

电容上存储的电荷为 Q = ( V i n − V c m ) ⋅ 8 C \begin{aligned} &Q=(V_{in}-V_{cm})\cdot8C \end{aligned} Q=(VinVcm)8C

V + − V − = V i n − V c m = V i n − [ V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N ] \begin{aligned}V_{+}-V_{-}&=V_{in}-V_{cm}\\&=V_{in}-[\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN}]\end{aligned} V+V=VinVcm=V

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