一种4位sar adc工作过程推导(二)

4位sar adc采用下图的CDAC,下面对其工作过程进行大致分析,这次4位sar adc与上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导》结构相同,最主要的是参考电压范围的变化,之前的文章两个参考电压分别是 V r e f P = V r e f V_{refP}=V_{ref} VrefP=Vref V r e f N = 0 V_{refN}=0 VrefN=0,此次讨论参考电压的选取为一般情况下( V r e f P > V r e f N V_{refP}>V_{refN} VrefP>VrefN),没有设定 V r e f N = 0 V_{refN}=0 VrefN=0这个条件,adc是否能够正常进行逐次比较。

4bit_adc_step4原理图.png

V c m = V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N V_{cm}=\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN} Vcm=2VrefPVrefN+VrefN V − = V c m V_{-}=V_{cm} V=Vcm,假设 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N < V i n < 12 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<\frac{12}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN<Vin<1612(VrefPVrefN)+VrefN


分析过程:

step1:

4bit_adc_step1.png

ϕ 1 \phi_{1} ϕ1开关闭合,比较器同向端接Vin,反相端接Vcm,电容负端都接Vcm

电容上存储的电荷为 Q = ( V i n − V c m ) ⋅ 8 C \begin{aligned} &Q=(V_{in}-V_{cm})\cdot8C \end{aligned} Q=(VinVcm)8C

V + − V − = V i n − V c m = V i n − [ V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N ] \begin{aligned}V_{+}-V_{-}&=V_{in}-V_{cm}\\&=V_{in}-[\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN}]\end{aligned} V+V=VinVcm=Vin[2VrefPVrefN+VrefN]

第1次: V i n V_{in} Vin V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N \frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN} 2VrefPVrefN+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最高位D3=1

step2:

4bit_adc_step2(二).png

首先将开关 ϕ 1 \phi_{1} ϕ1断开,因为最高位D3=1,所以电容4C的负端接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V + − V r e f N ) ⋅ 4 C + ( V + − V c m ) ⋅ 4 C = ( V i n − V c m ) ⋅ 8 C \begin{aligned} &(V_{+}-V_{refN})\cdot4C+(V_{+}-V_{cm})\cdot4C=(V_{in}-V_{cm})\cdot8C \end{aligned} (V+VrefN)4C+(V+Vcm)4C=(VinVcm)8C

⇒ V + = V i n − 1 2 V c m + 1 2 V r e f N \Rightarrow V_{+}=V_{in}-\frac{1}{2}V_{cm}+\frac{1}{2}V_{refN} V+=Vin21Vcm+21VrefN


V + − V c m = V i n − 3 2 V c m + 1 2 V r e f N = V i n − ( 3 4 V r e f P + 1 4 V r e f N ) = V i n − [ 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] \begin{aligned} V_{+}-V_{cm}&=V_{in}-\frac{3}{2}V_{cm}+\frac{1}{2}V_{refN}\\ &=V_{in}-(\frac{3}{4}V_{refP}+\frac{1}{4}V_{refN})\\ &=V_{in}-[\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] \end{aligned} V+Vcm=Vin23Vcm+21VrefN=Vin(43VrefP+41VrefN)=Vin[43(VrefPVrefN)+VrefN]
第2次: V i n V_{in} Vin 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 43(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为低电平,即次高位D2=0

step3:

4bit_adc_step3(二).png

因为次高位D2=0,所以电容2C的负端接VrefP;电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V + − V r e f N ) ⋅ 4 C + ( V + − V r e f P ) ⋅ 2 C + ( V + − V c m ) ⋅ 2 C = ( V i n − V c m ) ⋅ 8 C \begin{aligned} &(V_{+}-V_{refN})\cdot4C+(V_{+}-V_{refP})\cdot2C+(V_{+}-V_{cm})\cdot2C=(V_{in}-V_{cm})\cdot8C \end{aligned} (V+VrefN)4C+(V+VrefP)2C+(V+Vcm)2C=(VinVcm)8C

⇒ V + = V i n − 3 4 V c m + 1 2 V r e f N + 1 4 V r e f P \Rightarrow V_{+}=V_{in}-\frac{3}{4}V_{cm}+\frac{1}{2}V_{refN}+\frac{1}{4}V_{refP} V+=Vin43Vcm+21VrefN+41VrefP


V + − V c m = V i n − 7 4 V c m + 1 2 V r e f N + 1 4 V r e f P = V i n − ( 5 8 V r e f P + 3 8 V r e f N ) = V i n − [ 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] \begin{aligned} V_{+}-V_{cm}&=V_{in}-\frac{7}{4}V_{cm}+\frac{1}{2}V_{refN}+\frac{1}{4}V_{refP}\\ &=V_{in}-(\frac{5}{8}V_{refP}+\frac{3}{8}V_{refN})\\ &=V_{in}-[\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] \end{aligned} V+Vcm=Vin47Vcm+21VrefN+41VrefP=Vin(85VrefP+83VrefN)=Vin[85(VrefPVrefN)+VrefN]
第3次: V i n V_{in} Vin 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 85(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即次低位D1=1

step4:

4bit_adc_step4(二).png

因为次低位D1=1,所以电容C的负端接VrefN;电容2C的负端仍接VrefP,电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V + − V r e f N ) ⋅ 5 C + ( V + − V r e f P ) ⋅ 2 C + ( V + − V c m ) ⋅ C = ( V i n − V c m ) ⋅ 8 C \begin{aligned} &(V_{+}-V_{refN})\cdot5C+(V_{+}-V_{refP})\cdot2C+(V_{+}-V_{cm})\cdot C=(V_{in}-V_{cm})\cdot8C \end{aligned} (V+VrefN)5C+(V+VrefP)2C+(V+Vcm)C=(VinVcm)8C

⇒ V + = V i n − 7 8 V c m + 5 8 V r e f N + 1 4 V r e f P \Rightarrow V_{+}=V_{in}-\frac{7}{8}V_{cm}+\frac{5}{8}V_{refN}+\frac{1}{4}V_{refP} V+=Vin87Vcm+85VrefN+41VrefP


V + − V c m = V i n − 15 8 V c m + 5 8 V r e f N + 1 4 V r e f P = V i n − ( 11 16 V r e f P + 5 16 V r e f N ) = V i n − [ 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] \begin{aligned} V_{+}-V_{cm}&=V_{in}-\frac{15}{8}V_{cm}+\frac{5}{8}V_{refN}+\frac{1}{4}V_{refP}\\ &=V_{in}-(\frac{11}{16}V_{refP}+\frac{5}{16}V_{refN})\\ &=V_{in}-[\frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] \end{aligned} V+Vcm=Vin815Vcm+85VrefN+41VrefP=Vin(1611VrefP+165VrefN)=Vin[1611(VrefPVrefN)+VrefN]
第4次: V i n V_{in} Vin 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最低位D0=1

所以4位sar adc输出数字码为D3D2D1D0=1011


小结

通过对这种sar adc电路参考电压取值的一般情况的分析,得出此电路适用参考电压取值的一般情况,但必须 V c m = V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N V_{cm}=\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN} Vcm=2VrefPVrefN+VrefN,才有逐次逼近比较的效果。

  • 思考:怎么提供Vcm的电压?

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