本文介绍了CTSTT-MRAM技术，其特点是低至1Gbit的容量，定制速度在20ns到50ns之间，具有长寿命（20年）和低非易失良率。该技术适用于90nm、40nm和28nm工艺节点，支持极低成本、低功耗和多种接口选项，包括IP授权和定制服务。
| 容量 | 速率 | 擦除次数 | Retention | 非易失 | 良率 | 成本 | 功耗 | 电压 | 工艺 | 接口 | |
| CT STT-MRAM | <1Gbit，可定制 | 20ns~50ns | 10^12 | 20Years | Yes | 95%@90nm，32Kbit | mask费用，多3~5层（提供转厂服务和后道工艺） IP授权费用 IP定制费用 | 极低 | 1.8/2.5v | 90nm@华力 40nm@SMIC 28nm@SMI | 嵌入式SRAM SPI DDR |
某MRAM新型介质参数
于 2024-04-09 11:24:55 首次发布
扫一扫
811
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
