某MRAM新型介质参数

已于 2024-04-09 11:27:42 修改
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文章标签： 嵌入式硬件
于 2024-04-09 11:24:55 首次发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_42950642/article/details/137544490
版权
本文介绍了CTSTT-MRAM技术，其特点是低至1Gbit的容量，定制速度在20ns到50ns之间，具有长寿命（20年）和低非易失良率。该技术适用于90nm、40nm和28nm工艺节点，支持极低成本、低功耗和多种接口选项，包括IP授权和定制服务。
摘要由CSDN通过智能技术生成
容量速率擦除次数Retention非易失良率成本功耗电压工艺接口
CT STT-MRAM<1Gbit，可定制20ns~50ns10^1220YearsYes95%@90nm，32Kbitmask费用，多3~5层（提供转厂服务和后道工艺）
IP授权费用
IP定制费用		极低1.8/2.5v90nm@华力
40nm@SMIC
28nm@SMI		嵌入式SRAM
SPI
DDR
新型存储器特点比较
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m0_58966968的博客
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关于计算机硬盘的详细分类及不同硬盘存储数据的方式
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