关于IR DROP sign-off的一些讨论

以SMIC S28HKCP IR drop  sign-off 为例  
    (VDD drop+ VSS rise )static 5% @wirebond封装，
                                        staic 3% @flip chip
  关于sign-off标准的一些问题，SMIC原生的foundation库，对应smic自己的sign-off标准；如果用其他比如S家的，会有S家的sign-off标注；这里一句话总结，S家的sign-off标准对设计更友好，因为不会狮子大开口吃后端太多的sign-off  Margin。目前未见S家针对29HCP对动态IR DROP提sign-off标准 , SMIC自己的标准为：“  TT25°，0.8v ;FF125℃  RCMAX”，但没有具体指标。有的公司有自己更高要求的sign-off标准，比如“ 高可靠性推荐：FF125°，0.88v，RCMAX”，这里不再展开。

一般工程经验约束 Dynamic IR DROP：  (VDD drop+VSS rise)< 10%；IR DROP的收敛corner一般在TT和FF2个process，以及RCMAX，因为在这2个corner leakage更大，total功耗更大；
动态小于10%，表示从封装的ball到cell的动态drop压降允许在10%以内；一般cell sign-off的电压负偏是-10%，动态IR DROP的10%, 但是考虑IR DROP是在FF/TT收敛的，板级需要几乎不能有任何drop才能满足要求。
静态的IR DROP要求控制在5%以内（wirebond)，一般是对Rdie有要求；Peak Power/Rdie/Cdie共同决定动态IR DROP的影响;
一般PI仿真的PP值越大，带来的IR DROP就越大；PP值一般测量电压波峰和波谷的差值，PP的一半可以看作电压的负偏压，决定Vmin；也影响cell的delay，对时序有负面影响，但是考虑timing sign-off一般在SS下并且负偏10个点，一般是可以cover IR DROP带来的影响，这个是timing sign-off和IR drop sign-off共同满足下就可以保证。
动态IR DROP的值包含了静态的压降。