1. 28PS, PolySiON (PS) and
2. 28HKC+,2018年发布,2019量产;相比上代28HKMG技术,性能提示15%,功耗降低25%。 gate-last high-k dielectrics metal gate (HKMG) processes
3. 28HKD,2023.6 正在开发28HKD超低功耗平台,以28HKC+工艺平台为基础,进一步提升性能,
包括逻辑器件,低功耗SRAM,MODEL,PDK等。主要用于消费级物联网等。
1. 28PS, PolySiON (PS) and
2. 28HKC+,2018年发布,2019量产;相比上代28HKMG技术,性能提示15%,功耗降低25%。 gate-last high-k dielectrics metal gate (HKMG) processes
3. 28HKD,2023.6 正在开发28HKD超低功耗平台,以28HKC+工艺平台为基础,进一步提升性能,
包括逻辑器件,低功耗SRAM,MODEL,PDK等。主要用于消费级物联网等。