SMIC 14 STDCELL库的构成总结

最新推荐文章于 2023-12-15 10:20:53 发布
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#fpga开发 #嵌入式硬件

这篇博客详细介绍了集成电路中按track的分类，如6T、7.5T、9T等，并阐述了在各类track内部的MBFF、ECO、EMfix等应用场景，同时提及了corecell library和power management的相关内容。电压等级LVT、RVT和ULVT也在各类应用中扮演重要角色。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

按track分为6T, 7.5T，9T等几类

在每种track内部，一般分为

1.MBFF multi-bit filip-flop

2. ECO application

3. EM fix application

4. core cell library

5. core cell for power management

每种里面根据电压分为LVT/RVT/ULVT

一文搞懂lib中physical cell
zyn1347806的博客
04-21 1万+
概述 正常的一个工艺库包括了以下几种类型的cell func cell包括各种逻辑cell和时序cell power cell: MTCMOS，level shifter ，Retention reg， ISO cell， ECO cell：用于func ECO的cell，TMSC一般以G开头 physical cell：一般是后端PR时用到的一些cell。 本文以TMSC工艺库的naming rule对physical cell进行梳理和总结。 1.BHD bus holder cell，.
ASIC设计流程中的标准单元库
ilearn的博客
10-07 1046
标准单元库Standard cell library是ASIC设计流程中的组成部分，有助于大幅缩短设计时间。ASIC设计中使用的标准单元与其他一些文件共同组成标准单元库。标准单元库：标准单元库是定义明确和预先K库的逻辑单元的集合，具有多个驱动强度和多个阈值电压的crll，并且标准单元的布局也是预先定义好的。它还包含一些physical only cell和一组place and routing（P...
smic.18工艺standardcell库pdk
02-02
smic.18工艺standardcell库pdk
STA series --- 3.Standard cell library(PART-I)
sinat_27691203的博客
10-08 6066
序： 本篇内容，基于阅读J. Bhasker • Rakesh Chadha著作《Static Timing Analysis for Nanometer Designs》后进行的总结以及自己的观点和感想，如有不正确的地方，还请指点。读者有微电子基础将更好理解内容。（图片内容绝大部分直接引用书中） Standard cell library ...
STA series --- 3.Standard cell library(PART-III)
sinat_27691203的博客
10-15 1391
序： 本篇内容，基于阅读J. Bhasker • Rakesh Chadha著作《Static Timing Analysis for Nanometer Designs》后进行的总结以及自己的观点和感想，如有不正确的地方，还请指点。读者有微电子基础将更好理解内容。（图片内容绝大部分直接引用书中） Standard cell library 本章节主要介绍library cell中的时序信息，这个cell可以是standard cell, an IO buffer, or a complex IP such
Voltus功耗分析——stdcell power-grid library
qq_44347276的博客
09-04 1024
2）stdcells.report 对于power/ground nets的报告，包括nets的名称，电压值，仿真的电容值，taps的数量，仿真的power gate 单元的Idsat,Ileakage,Ron，power gate 单元的详细信息。3）stdcell.summary 报告包含的单元类型：STDCELL,FILLER,DECOUPLING CAP ,POWER_GATE,pins/metal layers/电流 tap的数量。
Cadence virtuoso smic 180工艺库 标准库 OA库 BCD库 直接使用 含PDK文件 IC617IC618
02-03
总的来说，这个压缩包提供了在Cadence Virtuoso环境下，使用SMIC 180纳米工艺进行模拟和混合信号设计所需的所有关键组件，包括标准单元库、OpenAccess库、BCD库以及相关的PDK文件，对于学习和实践这一工艺的设计者来...
基于SMIC 40nm工艺库的先进芯片技术,SMIC 40nm工艺库技术细节揭秘：引领半导体产业新革命,smic40nm工艺库 ,smic40nm; 工艺库; 芯片制造; 纳米技术,SMIC 40nm
02-18
在探讨半导体产业的发展历程中，SMIC 40nm工艺库无疑是一块重要的里程碑。SMIC 40nm工艺库代表的不仅仅是技术上的进步，更是推动整个半导体产业向前迈进的关键力量。此工艺库的研发，体现了对纳米技术的深刻理解和...
smic 180 工艺库
07-09
"SMIC 180 工艺库"是半导体制造领域的一个重要概念，它涉及到集成电路设计和制造过程中的关键步骤。SMIC（中芯国际）是中国领先的集成电路代工厂，提供多种工艺节点服务，其中"180nm"指的是他们的180纳米工艺技术。...
smic18工艺库文件
03-19
标题 "smic18工艺库文件" 指的是SMIC（中芯国际）采用的18纳米工艺技术所开发的集成电路设计库。这个工艺库是专门为Cadence设计系统公司的电子设计自动化（EDA）工具定制的，用于支持芯片设计流程。在半导体行业中，...
数字后端知识点扫盲——标准单元-standard cell
笨蛋大乌龟的博客
06-11 5782
标准单元-standard cell
什么是standard cell (标准单元) ？
qq_36045093的博客
09-05 9422
Standard cell，标准单元，或者简称cell，是数字芯片后端最基本的概念之一。我们为何要设定标准单元呢，以及这些cell是怎么应用到我们的后端设计中的呢？
lib/db 标准单元分类（Standard Cells in ASIC Design）、Track定义
面朝大海
07-10 5399
Threshold Voltage越大，cell delay越大，leakage power越小。
后端设计中的特殊cell大盘点
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01-06 2万+
后端设计中的特殊cell大盘点 后端设计中有几种常见的特殊cell类型，它们基本上都是physical only cell，但是各自的特点却又不同，而且不同的工具设置和插入他们的方式也不尽相同。‍ Well Tap Cells 我们在学习CMOS电路的时候都知道闩锁效应（latch-up），这种效应可以在短时间内烧毁CMOS器件。 为了阻止这种现象的发生，后端设计通常会在std cell存在的区域加入well tap cell。一般来说工艺规则会要求在well tap cell的密度不低于某一特定数值，而后
ECO for SOC
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按照芯片研发flow，一旦需要做ECO，说明项目周期基本进行到了末尾阶段。通常情况下，一旦项目进行到了后仿阶段，再发现设计上的bug之后，首先需要进行评估，看是否能进行ECO，如果可以进行ECO，优先选择ECO方案，因为一旦重新走中后端流程，意味着项目周期要delay，除非后期发现的bug无法通过ECO解决。毕竟ECO也只能进行简单的改动，一旦需要进行复杂逻辑的改动，很可能无法进行ECO。本文我们介绍一下简单的ECO，比如修改寄存器默认值的改动，这是一个简单的ECO改动，也是经常会遇到的问题。
后仿速记
SubwaySparkle
11-27 2998
最近又跟别人一起debug后仿的幺蛾子，简单梳理一遍，供日后索引。 我们跑功能后仿的目的主要有以下几种： 1. 验证网表功能的正确性。 2. 验证STA收敛后网表的时序正确性。 3. 功耗分析； 4. IRDROP分析； 我们最早可以在芯片综合出第一版网表、formal verification pass之后，就开始第一轮后仿的调试。 这时的后仿使用DC之后ICC之前的网表，不...
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数字后端各种Cell相关概念汇总数字电路器件反相器逻辑门触发器锁存器半加器全加器半减器全减器数字后端常见Cell相关名词bufferrepeaterdelay cellendcap celltap celldecap celltie cellfiller cellspare cellclock gating cellICG cell 数字电路器件 反相器 反相器是最基础的MOS器件，英文是inverter，一般缩写为INV。 反相器对信号有驱动作用，但是会使信号反相。 反相器由NMOS和PMOS组成，栅端（
Tech LEF
qq_44347276的博客
09-07 757
在金属层定义中，track由间距（PITCH）和起始偏移量（OFFSET ）确定，track即该层的布线轨道，标准单元的高度用M2层的track pitch（track间距）来表示，6T（6Track）当读入tech lef 后init_design 会根据SITE语句自动创建ROW。site的高度等于stdcell的高度等于ROW的高度。5）线宽限制、布线间距、最小金属面积。4）Grid制造格点。
tsmc standard cell命名规则
m0_61544122的博客
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CKMUX2代表二输入clock mux，D2代表驱动强度X2，6T代表row高为6track，16P96C代表gate length和poly pitch，LVT就是low voltage threshold。我正在「拾陆楼」和朋友们讨论有趣的话题，你⼀起来吧？
IC设计中 lib文件里的footprint是什么
最新发布
03-01
<think>嗯，用户问的是IC设计中lib文件里的footprint是什么。首先，我需要回忆一下自己学过的知识，或者之前处理过的类似问题。记得在数字集成电路设计流程中，逻辑综合阶段会用到标准单元库，而lib文件是描述这些单元库特性的文件之一。 footprint这个词在IC设计里好像不是最直观的术语，可能用户指的是标准单元的物理布局信息？或者是逻辑上的某种抽象？需要进一步明确。不过根据常见的术语，footprint可能指的是单元的物理布局的抽象表示，比如在布局布线时用来确定单元的位置和连接关系。 另外，可能用户提到的footprint与标准单元的布局模板有关。比如，在综合工具中，footprint可能用来确定不同单元在布局时的排列方式，比如高度、电源轨的位置等，这样不同单元可以对齐，方便电源布线。例如，所有相同高度的单元可能有相同的footprint，确保它们可以在同一行中对齐。 也有可能footprint是指单元的引脚位置和金属层的连接方式，这样在自动布局布线工具中能够正确连接单元之间的信号。例如，标准单元的输入输出引脚的位置和层次需要符合一定的规则，确保金属线能够正确连接而不违反设计规则。 再想一下，有些资料中提到，footprint可能指的是单元在布局时的占位信息，包括单元的宽度、高度、电源和地的位置等。这些信息在布局阶段帮助工具将单元放置在正确的位置，并确保电源网络的一致性。 另外，需要确认用户提到的lib文件是指Liberty格式的.lib文件，这种文件通常包含标准单元的时序、功耗、引脚信息等。在Liberty文件中，可能有关于单元的物理属性的描述，但具体到footprint这个词，可能需要查阅Liberty格式的文档。 查阅Liberty格式的规范，发现确实有footprint属性，它用于描述单元的物理布局特征，比如单元的高度、电源轨的位置等。不同的footprint值可以帮助工具在布局时区分不同高度的单元，并将它们放置在合适的行中，确保电源和地的连接正确。 例如，一个footprint可能定义为“CORE_HS_12”，表示该单元属于高速度、高度为12个track的标准单元行。这样，在布局时，工具会将相同footprint的单元排在同一行，保证电源轨对齐，减少DRC错误。 总结来说，footprint在.lib文件中是用来描述标准单元物理布局特性的属性，帮助综合和布局布线工具正确放置和连接单元，确保设计的物理一致性。需要进一步整理这些信息，用简洁清晰的语言解释给用户，并举例说明其应用场景和重要性。</think>在IC设计的标准单元库（.lib文件）中，**footprint** 是描述单元物理布局特征的关键属性，主要用于指导自动布局布线（APR）工具进行物理实现。以下是深度解析： --- ### **核心定义** ```tcl cell (AND2X1) { footprint : "CORE_HS_12T"; # 关键标识符 area : 4.8; ... } ``` - **物理布局模板**：定义标准单元的 **高度**、**电源轨位置** 和 **金属层对齐规则** - **行对齐基准**：相同footprint的单元可放置在同一标准单元行（Row）中 - **工艺特征标识**：如`12T`表示高度为12个Track（轨道宽度由工艺决定） --- ### **技术细节** #### 1. 构成要素 | 字段示例 | 物理含义 | 典型值说明 | |-----------------|-----------------------------|---------------------| | `CORE` | 单元类型 | CORE(标准)/IO(接口) | | `HS` | 速度等级 | HS(高速)、HD(高密度)| | `12T` | 单元高度 | 12个Track单位 | #### 2. 布局规则约束 - **电源轨对齐**：通过`VDD/VSS`金属层位置匹配 ```tcl # 示例工艺参数 Track Height = 0.12μm (SMIC 180nm) ``` `12T`单元高度 = 12 × 0.12μm = 1.44μm - **金属走线兼容性**：M1走线方向必须与单元行方向垂直 ```systemverilog if (footprint.contains("HS")) { M1_pitch = 0.18μm; // 高速单元更密集的间距 } ``` --- ### **设计影响分析** #### 1. 混合footprint的风险 ```mermaid graph TD A[不同footprint单元混放] --> B[电源轨错位] B --> C[局部电压降(IR Drop)] C --> D[时序失效] ``` #### 2. 优化策略 - **单元行划分**：按footprint类型分组布局 ```tcl createRow -site CORE_HS_12T -y 0 -row 1 createRow -site CORE_HD_10T -y 1.44 -row 2 ``` - **物理综合约束**： ```tcl set_attr -type cell -footprint CORE_HS_12T [get_cells *] ``` --- ### **实际应用案例** #### 28nm工艺footprint配置示例 ```tcl /* 高速单元 */ footprint : "CORE_HS_9T" { row_height : 1.08μm; // 9×0.12μm power_rail : M1 0.05μm; // 电源线宽度 } /* 低功耗单元 */ footprint : "CORE_LP_12T" { row_height : 1.44μm; power_rail : M1 0.08μm; // 更宽的电源线 } ``` #### 验证方法 ```bash # 检查footprint一致性 check_footprint -library stdcell.lib # 输出违规报告 Violation: Cell "DFFQ_1" has footprint "CORE_HS_12T" but placed in "CORE_LP_10T" row ``` --- ### **行业演进** - **FinFET工艺**：引入3D footprint参数（如`FF_16T_2FIN`） - **异构集成**：支持Chiplet的跨工艺footprint映射 - **机器学习预测**：根据时序要求自动选择最优footprint组合 掌握footprint的物理意义和约束规则，是实现高密度、高性能芯片布局的关键技术之一。
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