LDO电路设计以及选型的几个重要参数

在硬件设备开发的过程中，相信很多工程师都会用到LDO。提及LDO，与之对应的即为DC-DC。其两者经常会进行对比。小白在去年暑假面试时，就有不少考题问过这两者的区别以及各自的优劣势。LDO相对来说还是很常用的，今天小白就来讲讲LDO。

LDO(Low-Dropout Linear Regulator)即低压差线性稳压器。作为硬件设计最重要的一个电路模块之一，很多人一定会用到过。不管是集成式芯片还是自己亲手搭建的模块，大家应该都要有所了解。

下面简单聊一聊LDO。

图为搭建的最简单的LDO电路图。

主要运用到了，误差放大器，NMOS管，电阻。

计算出其OUT值为3.6V，主要与参考电压VCC1以及R1,R2有关。所以这个LDO电路图主要是用作5V转3.6V。

此电路主要用到了MOS管的可变电阻的特性来保持输出端电压的稳定。当后级负载因为其他不稳定的因素导致OUT端电压下降时，此时，其分压给误差放大器的“-”级的电压变小，致使与正极的参考电压的压差变大，根据运放的Uo=A*（U±U-）可知输出电压变大。MOS管工作在可变电阻区，此时电阻变小，使得电路压差变小，以此保持输出稳定。

前面说了，输出电压主要与参考电压以及R1 R2相关。但也不是输入电压就可以任意值了。根据输出电压为3.6V即MOS管的S极电压为3.6V，以及MOS管的Uds的击穿电压，我们可以推算出其最大输入电压为多少。

芯片方面，较为集成。制造LDO芯片的厂家有很多例如TI,UTC,艾为，ETA等。其中小白用到过的LDO厂家有艾为和ETA。

不同厂家，不同型号的LDO，其内部结构不一样，在电路设计中往往会有差别。但究其原理还是和上述的分离式一样。不过是集成到芯片内部。

虽内部结构不同，但终究在研究时，其主要关注的参数还是那几个，下面小白来讲讲LDO的几个关键参数。（以艾为的AW37030D180DNR型号的LDO作为本次描述的案例）

1. 输入&输出电压及压降

在选型时，首先关注的即为LDO的输入&输出电压。往往参考手册上给的LDO的输入值往往是一个范围，输出是固定的数值。

其输入范围为1.9V-5V。但是其输出为1.8V。

关于压降Dropout，即正常工作时输入与输出的差值。
正常使用时需满足：Vin>Vout+Vout(dropout)

2. 电源抑制比

表示LDO对输入端上的噪声的抑制能力。在很多场合下，LDO是接在DC-DC电路的后面的，其主要目的就是为了抑制噪声。
PSRR=20lg[(Vin-Vripple)/( Vout-Vripple)]
高PSRR的LDO对输出纹波的抑制作用还是很明显的。
我们经常会在datesheet上看到类似这种曲线图。

100K到1MHz内的PSRR非常重要，这个是DCDC的噪声频率范围，LDO经常作为DCDC的下一级，要有能力滤除来自DCDC的大量噪声。

在ADC，DAC，Camera的AVDD供电上，我们要选择PSRR大于80dB（@100Hz）的LDO

3. 额定输出电流

即通过LDO的额定电流。在设计时，要尤为主要到这一点。同时在LDO的datesheet上，我们往往会看到电流电压曲线图

从图中我们可以看到 同一款LDO，在流经不同的电流下，其输出电压值也会有略微的变化。

4. LDO温度性能

很多电子元器件都有规定的工作的温度范围，LDO也是。不同的封装其温度性能也不一样。

从图中可以看到，其类似电流值一样，在不同的环境下，对LDO的输出有不同的影响。

5. 静态电流I Q

即外部负载电流为0时，LDO内部电路供电所需的电流。其中，静态电流会受到外部输入电压以及温度影响。如图所示。

6. 瞬态响应

在LDO应用中，输入电压和输出负载有时候会有剧烈的变化。LDO的输入端可能会因为供电设备的电压波动而造成LDO的输入端电压剧烈变化的情况。输出端可能会出现输出负载的切换，出现某部分负载启动或停止等情况。这些情况都会造成LDO输出电压产生波动。我们可以通过LDO的瞬态响应曲线来了解LDO在遇到输入电压或负载电流在剧烈变化时LDO输出电压的变化情况。具有良好瞬态响应的LDO，在输入电压或负载电流在剧烈变化时，LDO的输出电压波动幅度小，恢复时间快。

当负载电流发生急剧变化时，输出电压也是非常稳定的。

从图中，我们可以看出在输入端电压发生急剧变化时，LDO的输出几乎不受影响。

7. 功耗

因LDO输入与输出电流近乎相似，其效率往往可以等效为Vout/Vin(理论上为Po/Pi=Vo*Io/(Iout+IQ)*Vin)。这也就是为何大家经常说LDO效率小于DCDC的原因。

在选型设计时，尽量不要让输入输出压差过大。过大的压差，导致LDO效率低，损耗多，发热较为严重。
同时为考虑到发热问题，很多厂商会为LDO做专门的散热焊盘，该焊盘位于器件腹部，来提高散热能力。
散热焊盘通过多打地孔与PCB板的GND连接到一起，通过整体PCB的GND来实现散热。

8. 电路设计

LDO分为四个引脚，分别为输入输出，使能以及接地端。
IN端接电源输入端，其前端往往是DC-DC输出端或者其他供电端，同时输入端接一个大电容。
OUT端接负载。
CE端即使能端，LDO工作与否，可以观察使能端是否为高电平。
GND端接地。

在电路设计中，输入端会挂上一颗电容接地，其目的可以获得更好的瞬态响应，同时也起到滤波的作用。与此同时，输出电容端同样会挂载一颗UF级别的大电容，其可存储大量电荷，稳定输出电压，增加环路稳定性。对于电容的选择，datesheet上往往给了参考，我们设计时可以对给定的参考进行选择。

补充：
在上述的LDO中，内部选用PMOS的较多，NMOS较少。虽使用NMOS相对PMOS而言，其具备驱动电流能力强，所占面积小以及可拥有更好的PSRR的优点。但其在导通情况下需要满足Vg-Vs>Vth的条件，如果LDO输出电压即NMOS的源极较高或者驱动电流较大，那么Vg则需更大的电压才能满足MOS的导通。显然这一要求在上述的LDO中较难满足。

为此，除了上述传统的LDO,还存在着带有偏置电压Vbias的LDO电路，其目的是使得栅极获得高于Vin的Vbias，这样也就能轻松满足驱动NMOS需要较高的栅极电压的问题了。

同时较高的Vgs使得RDS(on)更小，可实现超低的压降。

除此之外，个别LDO选择不带有Vbias，取而代之的是通过charge pump来驱动NMOS,其目的也是一样的。

与此同时也存在可调电阻位于外部的LDO,其可使开发者灵活设计电压输出值。同时输出端会接入一个Cff电容到ADJ,此电容可改善噪声性能、稳定性、负载响应和 PSRR。同时这类电容只有在可调电阻在外部时才会用到，在与降噪电容配合使用，可大大改善输出效果。

除了外接Vbias外，还有一种LDO是配有I2C的。这类LDO在手机的Camera中用的较多。

其主要分为两个输入，四个输出。

其中Vin1 Vin2作为输入，DVDD1 AVDD1与DVDD2 AVDD2作为输出。

以WILL的WL2866D这颗料来说，其Vin1:0.6V-2V,Vin2:3-5.5V。而作为输出DVDD:0.6-1.8V，AVDD:1.2-4.3V。

在手机中的Camera模组各路电中，AVDD通常为2.8V，电压相对较大些，所以芯片内部选择PMOS方案，Vin2作为输入源。因为在Camera的硬件设计中，AVDD滤波电容的地要求极为高，又因为此类多路LDO IC的内部地又是接一起的，所以设计者通常会选用2.8V的电接到模组的AFVDD上。

而DVDD通常为1.2V，VIN1为其输入源。因输出电压小，且该路电耗流大，所以其内部采用的NMOS方案。同时因内部没有chargepump，于是选择较大电压的VIN2作为Vbias。

然而对于手机Camera模组，DVDD这路电并非统一的1.2V，也存在1.1V 1.05V的情况。相对于1.1V,1.2V,市面上输出为1.05V的LDO并不多。在MTK平台更是在自家PMIC中，单独为其设计一路LDO。然而小白讲的这种带I2C的LDO,不仅可实现多输入多输出，其还可通过更改寄存器地址，选择电压档位。
以DVDD为例，LDO输出的起始电压为0.6V。
VOUTX = 0.6V + DVDDX_VOUT[7:0] * 0.0，所以也就有了下表。

总之，在上述介绍的三类LDO中，无论在成本还是性能上，都具备各自的优势。在选择方面，前两类LDO应该是市面上最多的。