上一篇讲到Back EMF(反向电动势),反向电动势是因为电机的线圈切割磁感线产生的感应电压。这个电压和电机的旋转速度成正比。在电机还没有启动时候反向电动势很小,电机的启动电流会很大,电机启动完成有一定转速后Back EMF就大了,所以电流就小了。
正常运行情况下Back EMF不会超过VM的输入电压,当电机的转子受到外力时候电机就有可能会对VM放电,则有可能造成系统的故障。所以做测试时候可能需要考虑到。
我们对电机调速时候通常使用PWM对电机进行调速,那么怎么样的PWM对电机来说是合适的,PWM的频率到底影响了什么?
人耳的能听到的频率20Hz~20KHz之间,随着年龄的增长听力会有所衰减,如果开关频率非常低人耳可能会听到这个频率,而且电机抖动会比较大,像是断续导通模式的电源,启动~关闭~启动~关闭,如果是PWM频率比较高,那人耳就不太容易听到并且电机会比较丝滑,可以在 视频软件上找个听力测试(各种频率)看看自己能听到多少Khz的声音。
但开关频率也不是越高越好,拿H桥举例,如下图1所示。
图1:H桥驱动电路
更高的开关速度也就是意味着驱动MOSFET需要更快,那么对驱动器会有更高的要求,例如驱动电流更大,MOSFET的Qg更小。我们可以找个电机驱动器看看他的PWM输入参数是怎么样?
看DR703的参数如何,我们看看他的IDRIVER能力,如下图2所示。
图2:DR703的IDRIVER SINK能力
从DR703的手册可以知道,IDRIVE的最大输出电流约等于430mA,根据库仑的计算是1A在1S内传递的电荷称为1库仑。
通常MOS管的Qg是nC的级别假设为43nC,那么上升时间等于 C/A=t 等于100nS。如下图3所示。
公式1:启动时间
根据这个式子我们就可知道他的大概极限是在哪里,假设PWM频率是100KHz那么就是10uS,花在启动时间上面是100nS=0.1uS就是这一段时间工作在线性区间损耗会比较大。如果上升时间和下降时间是一样的话,那就是0.2uS,假设是50%占空比就是0.2/5=4%的时间工作在线性区间,占空比越小相对损耗也就越大。如果开关频率下来了,比如是50KHz或者更低20Khz开通损耗的比例立马就小了。实际上MOSFET的Qg可能会更大所以在比较高频开关的时候MOSFET的开关损耗可能会更多。
除了这个,还需要注意的是上管的驱动是电荷泵提供的能量,所以开关速度越高对电荷泵的考验也就越大。具体怎么样还是要参考电机驱动的手册,内部基本包含了计算。
除此以外,PWM频率提高还可以减小输入电容的体积,下一篇我们来聊聊怎么选电机的输入电容以及电机驱动的布线。
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