数电学习笔记（5）——三极管和TTL门电路

• 三极管的输入特性曲线，用虚线来近似，$V_{ON}$为0.5-0.7V（硅管）或0.2-0.3V（锗管）
  
• 输出特性曲线：
  
  明显分为3个区——放大区、截止区、饱和区：
  • 放大区电流不受$v_{CE}$影响，而与$i_B$成正比
  • 截止区电流为0，相当于断开
  • $v_{CE}$比较小时处于饱和区，阈值约为0.6-0.7V，深度饱和时电压小于0.2V

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• 三极管基本开关电路：
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• v1低电平（$v_1\le v_{ON}$）时工作在截止区，相当于断开，输出高电平;
• 当v1升高时，先是进入放大区，随着$v_1$升高，$i_B$升高，$i_C$也升高，$R_C$上的压降升高，当v1升高到$R_C$上的压降接近VCC时，vo接近于0，电路工作进入饱和区，处于深度饱和状态，电压（小于0.1V）和电阻（小于100欧姆）都很小，相当于导通，这个临界点的基极电流称为饱和基极电流，也就是说高电平要求基极电流大于饱和基极电流才算导通
• 饱和基极电流可以这么算：

其中β其实比放大区的β要小，所以用放大区的β带入算出来的饱和基极电流比实际的要小，但是做题不考虑这个误差，只能是这么算因为饱和区的β不会给出来

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• 三极管反相器：
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  在开关电路上加了一个负电源和一个电阻R2，是为了当v1稍大于0时基极电压为负保证三极管截止

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TTL反相器：

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• AB段：T2 T5同时截止，T4导通
• BC段：T2导通，工作在放大区，T4导通，T5截止
• CD和DE段：T2 T5同时导通，T4截止

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• TTL反相器输入特性及其等效电路：
  
• v1低电平时输入电流基本在1mA左右，v1高电平时输入电流小于0.04mA，几乎为0

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• TTL反相器输出特性及其等效电路：
  
• 输出高电平时，当负载电流很小时，T4工作在放大区，电路输出电阻很小，输出电压变化不大。当负载电流变大到一定程度（大于5mA），R4上压降增大，集电结正偏进入饱和区，随电流变大输出电平线性下降，实际最大负载电流要求比5mA要小得多，74系列不超过0.4mA。

• 输出低电平时T5工作在饱和状态，导通内阻很小（几欧姆），所以压降小，斜率很小。

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综上输入特性和输出特性，一个74系列的TTL反相器最多只能驱动10个同样的反相器

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• 当输入端并非接信号源而是通过电阻接地时：
• 电位被be2和be5钳制在了1.4伏以下，v1电压是VCC - Vbe后在R1和RP上分压的结果，RP增大分压升高而R1上压降变小，所以基极电位会上升一直到2.1V这时T1的集电极正偏，集电极、be2、be5同时导通，基极电压不再上升
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• 当两个TTL反相器这样接的时候，RP要满足两个条件：
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1. G2的输入高电平要高于最低要求
2. 输入低电平时，电流由输入端流向输出端，$R_P$和输入端$R_1$上压降和为$V_{CC}-V_{BE}-V_{OL}$，其中$R_1$分压为$V_{CC}-V_{BE}-V_{IL}$，$R_P$分压为$V_{IL}-V_{OL}$，因此若$R_P$太大，分压太高，$V_{IL}$就会高于限定值，因此需要满足下列不等式。

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• TTL反相器输出为低电平时T5导通且工作再深度饱和状态，因此输出从低电平变到高电平时延迟时间$t_{PLH}$比从高电平变到低电平的延迟时间$t_{PHL}$长。
• 当输出从低电平变到高电平时，由于T5深度饱和，当T4从截止变为导通时T5还没来得及变截止，这时T4 T5同时导通，会导致尖峰电流。这个尖峰电流在计算电源平均电流的时候是不能忽略的，影响较大；而从高电平变为低电平的时候的动态尖峰电流较小，可以忽略
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• 利用多发射极三极管可以实现输入的与逻辑，所以可以产生与非门：
  
  
• 而利用多个输入级在反相级的线与可以实现或逻辑，也就实现了或非门：

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• TTL同样可以实现和漏极开路相似的集电极开路结构：
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• 既然TTL也有开路输出，那么就也有线与功能，那么就也要算上拉电阻的阻值，与CMOS不同的是，TTL不同逻辑门算法不一样，当输入端输入为低电平时，与非门输入端并联时输入电流由负载门数量决定，或非门并联时输入电流由输入端数量决定，输入端为高电平时都由输入端数量决定：
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