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电子迁移EM&天线效应Antenna
在通电导体中,由于电子的移动,会与金属离子产生碰撞,导致金属离子移位由导体横截面积和流过电流决定EM violation解决方法。原创 2023-07-21 10:19:36 · 436 阅读 · 0 评论 -
标准单元库---线负载模型(WLM,Wireload Models)
但是用户也可以自定义线负载模型。1个默认的线负载模型可以选择定义在单元库中,如下所示:1个。原创 2023-07-13 09:47:16 · 1743 阅读 · 0 评论 -
标准单元库---NLDM/CCS library model
的模型就极为重要,尤其半定制,需要把一个std cell看成block box,只考虑其input/output pin。(由于密勒效应因此不准确) for the entire transition with no sensitivity.Cell model都需要对receiver/driver分别建立模型,得到的模型结果越接近真实值,则精确度更高。原创 2023-07-12 10:44:21 · 1609 阅读 · 0 评论 -
Latch up (闩锁效应)
N(PMOS的N well) — P(P sub) — **N(NMOS的Source/Drain )**形成两个BJT。latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于。当无外界干扰未引起触发时,两个BJT处于截止状态。— N(PMOS的N well)—P(P sub), 它的存在会使VDD和GND之间。原创 2023-07-11 19:47:55 · 2396 阅读 · 0 评论 -
温度反转效应Temperature Inversion(载流子迁移率与过阈值电压 谁占主导)
But in a higher technology node since Vgs is much larger than Vt so a slight change in Vt not causes much change in overdrive voltage. A(老旧工艺节点,Vgs和Vth量级相差较大,所以Vth对过阈值电压影响没有很大,老旧(长沟道)工艺,载流子迁移速率u占据主导)原创 2023-07-10 19:07:13 · 567 阅读 · 0 评论 -
lib/db 标准单元分类(Standard Cells in ASIC Design)、Track定义
Threshold Voltage越大,cell delay越大,leakage power越小。原创 2023-07-10 11:58:09 · 1758 阅读 · 0 评论 -
MOS管结构--NMOS、PMOS、CMOS、NAND、NOR、latch up(闩锁效应) 、Channel Length vs Gate Length
最简单的 MOSFET 结构由一个衬底(可以是P型或者N型)和两个与 体区极性相反的硅区域组成,它们构成了漏极和源极。MOSFET可以构建为具有P型衬底和N型漏极与源极区域,这意味着,要使。如果硅区域中掺杂了具有五价电子(元素周期表中的第V族)的离子,那么就会有一个额外的电子被释放到半导体中,因此电荷总体为负(N 型)在价带中具有三个电子的元素将缺少一个电子,这相当于贡献了一个空穴,意味着总电荷为正(P型),沟道也必须为N型。n输入的NAND就是n个pmos并联,n个nmos串联。原创 2023-07-10 10:37:12 · 3272 阅读 · 0 评论 -
寄生参数相关文件(itf, ict, tluplus, capTable, nxtgrd, qrcTechFile)
为了减少RC抽取过程中的计算量,节省RC抽取的时间,我们一般不直接使用这种文件而是先将其转换成查找表文件(TLU+以及capTable)。为了提高RC提取的精度,我们会使用更加精确的RC提取引擎或者RC提取工具(如StarRC),它们的输入是nxtgrd/qrcTechfile文件。同样,它们也可以由itf和ict文件转换而成,用的命令分别是Techgen和grdgenxo。其原理与captable相同,但对导线的3D建模更加精确,并且会考虑更多的工艺效应,所以其电阻电容值也更加精确。原创 2023-05-31 13:41:23 · 6247 阅读 · 2 评论 -
数字后端物理设计输入文件介绍(.v .sdc .lib/.db .lef .tlef/.tf rc corner .view)
数字后端文件、输入文件介绍原创 2022-08-31 17:05:48 · 13312 阅读 · 4 评论 -
数字IC所用软件及IP分类
数字IC软件介绍及IP原创 2022-08-21 16:02:46 · 4436 阅读 · 0 评论 -
时钟偏差、延迟、不确定度、抖动 (skew,latency,uncertainty,jitter)
时钟偏差、延迟、不确定度、抖动 (skew,latency,uncertainty,jitter)原创 2022-09-03 01:20:31 · 4530 阅读 · 0 评论 -
传输门、D 锁存器、D触发器、建立时间与保持时间
传输门、D 锁存器、D触发器、建立时间与保持时间原创 2022-09-02 18:10:17 · 4890 阅读 · 0 评论 -
逻辑综合和SDC约束文件
数字后端设计库(.v网表与sdc file)、逻辑综合、IO接口约、sdc、synopsys design constrains原创 2022-09-02 00:03:07 · 3366 阅读 · 0 评论 -
数字后端设计流程及GDS与OASIS区别
数字后端设计流程原创 2022-09-01 13:06:44 · 2503 阅读 · 0 评论