每天学点硬件 1.22 TRENCH PLANAR MOSFET

最新推荐文章于 2024-05-31 09:55:17 发布
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分类专栏： 电子 文章标签： 硬件工程
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每天学点硬件 1.22 TRENCH PLANAR MOSFET

昨天我们学习了特殊的两种二极管；

  • 肖特基二极管，使用金属替代P结
  • 快恢复二极管，增加I层，实质为PIN结

以上两种二极管通过特殊工艺实现了快恢复的性能，有很好的应用，那么我们惯常熟悉的MOSFET有哪些特殊工艺的产品呢？

  • Planar：工作频率低但耐压性较好，应用在稳压器等

  • Lateral：电容低，工作频率高但耐压性差，应用在音频设备等

  • Trench：导通电阻小，工作频率较高，耐压性一般，应用在开关电源等

  • Super Junction：在 Trench 的基础上进一步提高了耐压性与输出功率，应用在工业照明等

  • Advanced Trench：在 Trench 的基础上进一步提高了工作频率，应用在通信设备等

  • SiC：功耗低、工作频率快、输出功率最高、耐压性能最好，应用在汽车电子等

  • GaN：功耗低、耐压性好、输出功率高、工作频率最高，应用在汽车电子等

MOSFET是什么电子元器件？主流mos有哪些？

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专栏目录
Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance
02-21
Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance
 认识MOSFET
Still8912的专栏
05-13 2148
认识MOSFET MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路； （1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。 （2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内；SGT (Spli...
75伏功率 TrenchMOSFET设计 (2010年)
05-25
简单介绍了 TrenchMOSFET的基本结构和工作原理。以漏源耐压75伏器件为例,详细的讨论该类 器件的设计方法。依据一定的器件电参数指标,给出了相应的一套完整的结构设计数据。从外延片的选择 到各类纵向和横向结构参数的确定都给出了具体的计算方法和最终结果。
1200V的SiC - Trench - MOSFET的性能和耐久性
weixin_45293089的博客
09-05 335
本文介绍了一种新颖的SiC沟槽MOSFET概念。该器件旨在平衡低导通损耗和Si-IGBT类似的可靠性。介绍了45 mΩ/1200 V CoolSiCMOSFET的静态和动态性能以及短路能力的基本特点。在状态电阻的有利温度特性与开关能量对温度的低敏感性相结合，简化了设计过程。长期栅氧化层测试显示出非常低的外在故障率，与工业应用的要求相匹配。关键词：SiC，沟槽，MOSFET，可靠性，耐久性。
论文研究-Trench MOSFET导通电阻的优化 .pdf
08-25
Trench MOSFET导通电阻的优化，周倩，陈雪萌，本文基于Trench MOSFET的基本结构、工艺流程研究Trench MOSFET的导通电阻，理论研究导通电阻的主要组成部分及各部分所占的比率。然后通过�
工艺仿真+器件仿真助力SiC基Trench MOSFET模型的开发与机理研究
simucal的博客
10-15 1004
SiC基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域；通过减小无源元件体积，可降低损耗和散热器体积，并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路，起到了去除两相邻PN结间的JFET电阻作用，从而减小了器件的导通电阻；同时，Trench MOSFET可有效抑制源极短路问题，减小PN结电容，避免产生寄生效应。 基于此，...
MOS管（又叫场效应管）
weixin_58773850的博客
08-08 764
MOSFET原意:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化物(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。但随半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属.用一块N型硅半导体材料作衬底;最后在N区上方用腐蚀的方法做两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(棚极)、S(源极)及D(漏极),目前已用多晶硅来代替了金属;
元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005
11-24
标题和描述中提到的“元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005”是指安森美半导体(ON Semiconductor)在2005年推出的一系列创新的低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些器件采用了...
元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ
11-26
安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码...
600V Trench IGBT in Comparison with Planar IGBT.pdf
10-27
IGBT 是当下研究热点功率器件，该文章介绍了IGBT的基础知识和应用，值得学习和参考
MOSFET的基本概念
weixin_45293089的博客
04-10 1517
Channel（沟道）是在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中用来控制电流的区域。Channel通常是在半导体晶圆表面形成的一个狭窄的区域，用来限制电流的流动。MOSFET的导电性能取决于Channel的宽度和长度，因此在制造MOSFET时需要控制Channel的形状和尺寸。总的来说，Trench和Channel都是半导体制造中重要的概念，但它们的应用和作用不同。对于恒定的VDS，VGS越大，沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，漏极电流就越大。
MOSFET结构及其工作原理详解
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1.MOSFET的 工作原理 　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Se
MOS管的耐压对性能参数及栅极电荷的影响
鸟宿江边树的博客
04-21 4817
功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS的导通压降和开关速度是最佳的。 MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管是多数载流子导电器件，芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而同样大的芯片的导通电阻将变...
【硬缸·EP2.0】MOSFET的特性与选择
俗世怂人的博客
03-04 2322
笔者语： 这是硬缸系列的第二集，今年(划去)春节前我一定会把它补完的（FLAG) 这是硬缸系列的第二集第一部分，MOSFET的特性与选择。 长期连载，这个系列的其他集点击这里 写这篇文章的时候，我参考了大量的文章，这些文章通常来自值得信赖的电子元件公司或权威的EE杂志。在一些地方，我引用了他们的 图片（假如您是图片的作者，觉得不合适，可以及时的E-MAIL我），感谢这些工程师的工作。有一些...
第17篇：JTAG UART IP应用＜四＞
weixin_47841246的博客
05-31 953
通过JTAG UART发送命令控制开发板外设LED
pi_heif-0.17.0-pp310-pypy310_pp73-macosx_12_0_x86_64.whl
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07-27
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