Marin说PCB之在CST软件中如何搭建两端子电容器--01

   今天是教师节，小编首先祝愿所有的老师们节日快乐，当然还有我的那些国外的老师们，道友们懂得都懂啊，我就不说破了，都毕业很多年了，小编我还是很怀念大学的时光的，毕竟那个时候我也是有很多女粉丝的，毕竟小编也是我们系的系草级别的，不信自己去百度。

好了，言归正传啊。最近小编我都在韩国首尔出差，遇到一个项目上的问题给诸位分享一下，诸位道友我们开始这期的走进科学之常见的两端子电容器在CST仿真软件中的电路图搭建。

这期文章的起因是来自我们首尔分部的李相赫同学最近在做一个降本项目的仿真分析，不过在半路上给他卡住了，于是他就找到我去帮忙看下这个问题思密达。我让他重新做一遍我看下是哪个环节出现问题了思密达，

步骤一，首先找到这颗物料的part number和其供应商，接着在其官网上找到对应的S参数。

点击下载其S2P格式的S参数数据即可。

或者是在之前文章分享过的Simsufing界面去搜索电容的S参数也是可以的。

而且小编我在之前文章分享过的Simsufing界面去搜索电容的S参数这个默认的两端子电容器串联模型。（这个要记住了，等会要考的）

步骤二，把下载好的这颗电容的S参数数据导入到仿真软件中去。

其官网上的阻抗频率特性曲线如下所示：

我们仿真的结果：整体上仿真结果和官网上提供的阻抗频率特性曲线数据的结构是比较吻合的。

同样的方法把降本的电容器的物料（降本的物料来自朝鲜一家小公司）导入到我们的软件中：

其仿真的阻抗频率特性曲线如下所示：

真的是不看不知道啊，一看我吓一大跳思密达，这个结果也太差了吧。

这个阻抗频率特性曲线结果感觉非常奇怪啊，不是那种两端子电容器的阻抗频率特性正常的曲线。讲到这个地方，不知道诸位道友们是否知道了我这个思密达同事在其仿真的步骤中到底哪一步出问题了呢？

 以上就是本期的所有内容了，我们下期文章将会为您揭秘。

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