WLP的工艺流程与成膜/加工技术

最新推荐文章于 2024-08-25 12:13:47 发布
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分类专栏： 数字IC 文章标签： IC 量产 测试
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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45264425/article/details/134080286
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本文详细介绍了WLP（晶圆级封装）的工艺流程，包括RDL形成、Cu Pillar作成、背面和正面的薄化与金属化、粘接固化等步骤。同时，探讨了面向WLP的成膜/加工技术，如Polyimide（PI）形成、Seed层溅射、Cu&Ti刻蚀以及Footing去除等关键环节。
摘要由CSDN通过智能技术生成

WLP的工艺流程

    1. 再配线层（RDL）第一层
      1. 再配线层（RDL）第一层
    1. Photolitho Via形成
      为了提高Seed层的铜和镀铜的接触特性而进行Descum
      2. Photolitho Via形成

Photolitho Via形成是利用光刻技术制作孔洞的过程，这些孔洞将作为后续工艺中金属填充的通道。通过在光敏胶层上照射光线，并使用掩膜来控制照射的区域，从而在胶层上形成所需的图案。之后，通过显影液处理，将未被光照射的胶层去除，从而形成孔洞。这些孔洞将作为种子层（Seed layer）与外部电路连接的通道。

    1. Cu Pillar作成
      Cu formation by plating
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