Silvaco仿真中victory process的蒙特卡洛（Monte Carlo）离子注入

来源：victory process manual

如何选择蒙特卡洛注入的离子轨迹数量

蒙特卡洛离子注入模拟的准确性直接取决于在 IMPLANT 语句中由参数 N.ION 指定的轨迹数量。您应根据所需的曲线精度，为每个特定的注入过程选择一个最佳的轨迹数量。例如，如果注入后的曲线将在随后的扩散步骤中重新分布，那么该曲线的细微细节并不非常重要。另一方面，如果注入沟道的尾部可能会渗透到结构中不希望掺杂的区域，则可能需要更高的模拟精度来研究这种效应。

与为离子注入设置网格（见第 14.5 节“如何为离子注入设置体积数据网格”）类似，您应始终从一维蒙特卡洛模拟开始。这将使您能够了解需要多少轨迹才能获得所需的深度曲线精度。同时，您将能够估算在二维和三维情况下这种注入模拟所需的时间。显然，模拟时间大致与轨迹数量和平均轨迹长度成正比。这意味着对于能量更高的轻离子以及沟道效应更显著的情况，模拟时间将更长。

图 14-10 所示的模拟结果表明曲线精度如何依赖于轨迹数量。在氧化物注入的情况下（见图 14-10a），当没有沟道效应时，仅需 10,000 条轨迹即可获得相当满意的精度（比注入峰值低三个数量级）。相比之下，在硅中以零度倾斜注入（图 14-10a）时，沟道效应显著，需要 50,000-100,000 条轨迹才能达到相同的精度。此外，在这种情况下，可能需要多达一百万条轨迹才能确定离子实际能达到的深度。

图14-10离子轨迹数量对1D剖面精度的影响

然而，在大多数实际情况下，您无需为一维注入使用数十万条轨迹。例如，如果您想对 Decksequence 14-2“在 Z 方向设置体积数据网格”中的两次注入使用蒙特卡洛模拟，即使每种注入仅使用 10,000 条轨迹，也能获得相当准确的结果（见图 14-11a，并与图 14-8d 中对应的解析曲线进行比较）。图 14-11b 显示了在 L 形掩膜窗口（见图 14-9a）中，使用一百万条轨迹对相同两次注入获得的三维曲线。

总之，应当强调的是，使用多达数百万条轨迹进行三维蒙特卡洛离子注入模拟能够提供非常合理的精度。在使用 Victory Process 的现代多核能力时，大多数情况下的模拟时间不会超过一个小时。