高精度大信号SPICE模型用于碳化硅MOSFET

来源：High Accuracy Large-signal SPICE Model for Silicon Carbide MOSFET（ISPSD 18年）

摘要

摘要—本文提供了一种通过简单SPICE模型匹配SiC MOSFET特性的方法。此外，该方法不仅在特性准确性方面与商用SiC SPICE模型相比达到了高度接近的结果，而且还从修改后的BSIM模型中大幅减少了参数的数量。该方法通过一些额外的修正方程很好地表达了第一象限的ID-VDS和ID-VGS曲线。同时，第三象限特性的模型开发，即将一个二极管与一个JFET（结型场效应晶体管）模型相结合，获得了良好的拟合结果。最后，与传统模型相比，R平方值和归一化均方根偏差（RMSD）值得到了显著改善。

关键词—SPICE，SiC MOSFET，经验模型，体二极管

文章的研究内容

文章的研究内容主要集中在开发一种新的SPICE模型，该模型被设计用于精确地模拟SiC MOSFET在第一象限和第三象限的电气特性。以下是研究的具体内容：

简单SPICE模型的开发

• 模型的创建：研究人员提供了一种方法，通过构建一个精简的SPICE模型来匹配SiC MOSFET的特性。这种模型不仅能够与商用的SiC SPICE模型在特性精度上达到高度一致，而且在参数数量上做了大幅度的减少，相比修改后的BSIM模型，更加简洁。

第一象限特性表达

• ID-VDS和ID-VGS曲线的改进：模型通过引入一些额外的修正方程，能够很好地表达SiC MOSFET在第一象限的ID-VDS（漏极电流-漏源电压）和ID-VGS（漏极电流-栅源电压）曲线。

第三象限特性的模型开发

• 结合二极管和JFET模型：在第三象限，即当栅源电压VGS为负值时，模型将一个二极管模型与JFET（结型场效应晶体管）模型结合起来，以获得对SiC MOSFET特性的良好拟合。这种方法特别关注于第三象限的性能，这在许多电源转换器的软开关和自由轮转模式中是至关重要的。

模型性能的提升

• 统计度量的改进：与传统的模型相比，新开发的模型在R平方值和归一化RMSD（均方根偏差）值上有了显著的提升，这表明模型在模拟SiC MOSFET特性时具有更高的精度和可靠性。

关键词解析

• SPICE：Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis的缩写，是一种用于模拟电路行为的软件工具。
• SiC MOSFET：Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的简称，是一种在高压、高频和高功率应用中使用的高性能电力电子器件。
• 经验模型：基于已知数据和经验规律构建的模型，而非完全基于物理理论。
• 体二极管：SiC MOSFET内部的一个寄生二极管，它的特性对器件在第三象限的行为有很大影响。

这项研究的重点是开发一种能够在保持高精度的同时减少模型复杂性的新方法，以更有效地模拟SiC MOSFET的电气特性，特别是在第一和第三象限。通过这种方法，研究人员能够为电源转换器设计者提供一个更为实用和精确的模型工具。

文章的研究方法

文章的研究方法主要围绕建立一个高精度的大信号SPICE模型，专注于SiC MOSFET的特性模拟。以下是一些关键的研究步骤和方法：

1. 模型结构与第一象限特性：

   • 模型结构：模型构建基于封装SiC功率D-MOSFET的等效电路，包含了热网格（基于封装结构）、寄生参数（如引线键合和晶片焊接的参数）以及裸片特性模型三个主要部分。
   • 第一象限I-V特性：通过修改的方程来表达输出电流ID，使用双曲正切函数来近似转移特性在高VGS时的饱和行为，使得输出特性曲线能够很好地匹配SiC MOSFET的实际行为。

2. 第三象限特性：

   • 组合模型：第三象限特性通过结合PN二极管和N型JFET模型来实现，以准确捕捉SiC MOSFET在该象限的独特行为。

3. 热依赖性参数：

   • 参数调整：为了反映温度对SiC MOSFET特性的影响，模型中引入了热依赖性参数，这些参数根据温度变化进行调整。

4. 模型验证与性能评估：

   • R²值和NRMSD值：通过比较模型预测与实验数据，评估模型的精度，重点关注R²值（决定系数）和NRMSD值（归一化的均方根偏差）的改善情况。
   • 动态性能测试：对模型的动态性能进行测试，以确保模型在瞬态响应和开关事件中也能准确模拟SiC MOSFET的行为。

5. 简化与实用化：

   • 参数数量减少：通过减少模型中参数的数量，使模型更加简洁，易于理解和使用，同时也减少了模型构建的复杂性。

通过这些方法，文章的研究旨在开发一个既准确又实用的SPICE模型，以满足系统设计人员对SiC MOSFET模拟的高精度要求。这个模型不仅在静态特性方面表现出色，在动态性能上也经过了严格的测试，确保了在各种工作条件下的可靠性和准确性。

文章的创新点

1. 研究对象的创新：文章聚焦于SiC MOSFET的SPICE模型，尤其是针对其在大信号下的特性，这是相对于其他文献中可能更多关注小信号或特定频率范围的模型而言的创新。

2. 研究方法的创新：文章提出了一种新的方法，用以匹配SiC MOSFET的特性，这种方法不仅在准确性上与商用的SiC SPICE模型相当，而且通过简化模型，减少了大量参数，这与修改后的BSIM模型相比是一个重大改进。

3. 模型表达的创新：文章通过引入额外的修正方程，改进了第一象限的ID-VDS和ID-VGS曲线的表达，这是对传统模型表达方式的一种创新。

4. 第三象限特性建模的创新：在第三象限特性的建模上，文章采用了将二极管与JFET模型相结合的方式，这是对传统建模方法的一种创新尝试，旨在更准确地模拟SiC MOSFET在该象限的行为。

5. 统计度量的创新应用：文章通过R平方值和归一化RMSD值的显著提升，展示了其模型在统计度量上的优越性，这是对模型评估标准的一种创新应用，强调了模型的统计精度和可靠性。

6. 模型参数的创新处理：通过减少模型中的参数数量，文章的模型在保证高精度的同时，也提高了模型的简洁性和实用性，这是对模型参数优化的一种创新策略。

7. 理论与实践结合的创新：文章不仅在理论上提出了创新的模型和方法，还在实践中通过实验验证了模型的有效性，这是理论研究与工程应用相结合的一种创新实践。

通过上述创新点，文章在SiC MOSFET的SPICE模型领域做出了重要贡献，为电力电子设计和分析提供了更精确、更实用的工具。

文章的结论

1. 模型的创新性：研究提出了一种新的SPICE模型，该模型在匹配SiC MOSFET的特性方面表现出高精度。与商业模型相比，新模型在参数数量上进行了显著精简，减少了从修改后的BSIM模型中提取的参数量。

2. 第一象限的改进：通过引入一些附加的修改方程，该模型能够更准确地表达第一象限的ID-VDS和ID-VGS曲线，这意味着在不同的VDS和VGS电压下，模型能更真实地反映SiC MOSFET的行为。

3. 第三象限的建模：在第三象限特性建模上，文章采用了一个结合二极管和JFET模型的方法，这种组合模型能够很好地拟合在不同VGS偏置下的第三象限输出特性，特别是在VGS为零或负值时，模型能准确地展示出纯体二极管的特性。

4. 热依赖性及CV特性：研究还考虑了电气特性随温度变化的情况，发现在25°C到150°C的温度范围内，特性表现更趋于线性，可以通过简单的线性方程进行拟合。同时，关于寄生电容（CV）特性，研究指出，由于其形成机制与传统硅基器件相似，因此可以借鉴先前的方法进行计算。

5. 性能指标的提升：与传统模型相比，新模型在R平方值和归一化均方根偏差（RMSD）方面有显著改善，这表明模型在模拟SiC MOSFET特性时，其准确性和可靠性都有所增强。

文章提出的模型在多个维度上提升了SiC MOSFET的模拟精度，并且在参数简化和热依赖性方面进行了创新，为电力电子领域的设计和仿真提供了有力的工具。