ALD先进薄膜技术

ALD（Atomic Layer Deposition）是一种基于分子层级的沉积过程，以原子层为单位逐层生长薄膜。ALD 用于制造其他沉积技术无法比拟的埃级精度和共形性的高质量膜层，已成为纳米技术进步的必要镀膜工具。ALD 最初是为制造用于电致发光显示器的磷光体薄膜而开发的，后来成为半导体行业芯片小型化的一项不可或缺的支持技术。如今，ALD 在半导体制造领域不断取得成果，并成为从光学、光子学和图像传感器到 MEMS、绿色能源等无数新兴行业的主流。

     ALD 工艺 基于前体（化学反应物）气体脉冲的顺序释放，以逐层方式沉积薄膜。第一前体被引入处理室中，在衬底表面上产生单层。之后，用惰性载气吹扫腔室以去除未反应的前体和反应副产物，并且将第二前体脉冲输入腔室中与第一前体反应以在衬底表面上产生所需膜的单层。前体吸附到表面主要是热驱动的。这意味着ALD 工艺需要 最低基板温度，但如果温度过高，反应物就会发生分解。该过程可能发生的温度范围称为 ALD 温度窗口 ，它取决于沉积中涉及的前体，典型值为 50 至 350 °C。

 ALD 的优势：

    1，无针孔薄膜：

    无针孔薄膜是指在薄膜表面上不存在微小的通孔或孔洞，使薄膜具有良好的密封性和隔离性。

     在ALD过程中，每个沉积周期只沉积一层原子或分子，确保了薄膜的均匀性和密封性。 由于ALD是以原子层为单位进行沉积，可以有效填充薄膜中的缺陷或孔隙。

     此外，ALD的化学反应选择性也有助于实现无针孔薄膜。 ALD反应通常是通过表面反应进行的，反应物质在表面上吸附并发生化学反应。 这种表面反应的特性 使得ALD能够在薄膜表面上选择性地沉积，而不会进一步扩散到缺陷或孔隙中。

     2，100% 阶梯覆盖： 对于具有阶梯结构的表面，例如凹槽、孔隙和高纵深比结构，ALD的分子层级控制能够在每个层面进行覆盖。由于每个沉积周期只沉积一层原子，ALD能够逐步填充凹槽或孔隙，使薄膜沉积更加均匀。这种能力使ALD在纳米尺度上实现了阶梯覆盖，从而为涂覆复杂表面提供了解决方案。

        阶梯覆盖对于许多应用是关键的，例如半导体器件中的栅氧化物、MEMS（微电子机械系统）器件中的微结构、纳米线阵列等。ALD的能力在这些应用中，提供了均匀的薄膜覆盖，确保了器件性能和可靠性。

     3，低温沉积： 适用于敏感基材的温和沉积工艺， 许多ALD过程可以在相对较低的温度下进行，因此适用于对温度敏感的基板和材料，减少了热应力和材料相容性的问题。

     ALD可以沉积多种材料 ，例如无机涂层（金属氧化物（例如 TiO2 或 ZrO2），  氮化物（例如 TiN）、碳化物、硫化物、氟化物、磷酸盐和金属（例如 Pt） ),有机涂料（例如聚酰胺），用途十分广泛。

1. 转载需注明出自本处。

我建了一个知识分享的社区，陆续上传一些芯片制造各工序，封装与测试各工序，建厂方面的知识，供应商信息，以及大量的半导体行业资料，针对性地解答一些疑问，内容远远丰富于日常发的文章，帮助各位抓住目前半导体的风口。当然也可仅关注本号，我定期都有发文章在上面，可以满足小需求的读者。