ICP-RIE设备原理

知识星球（星球名：芯片制造与封测社区）里的学员问：请问ICP-RIE机台的原理是什么样的？

上图是一个典型的ICP-RIE设备的原理图，其中：

1. ICP Generator（感应耦合等离子体发生器）：产生射频能量以激发气体并产生等离子体。

2. CCP Generator（电容耦合等离子体发生器）：为下部电极提供射频能量，以产生电场并加速等离子体中的离子向晶圆表面运动。

3. Gas Inlet（气体进口）：引入所需的刻蚀气体到反应室。

4. Analysis Port（分析口）：用于连接在线检测工具，如质谱仪或光谱仪，用于分析反应室内的气体成分。

5. Glow Discharge（辉光放电区）：这是等离子体形成和持续作用的区域，等离子体在此区域中发光。

6. Wafer Clamping（晶圆夹持）：用于固定晶圆，确保其在刻蚀过程中位置稳定。

7. Pumping（泵）：保持反应室的真空状态，排除刻蚀过程中的副产品和未反应气体。

8. Cryo Stage：控制晶圆在刻蚀过程中的温度，防止因温度过高而损伤晶圆或影响刻蚀结果。

9. Helium Backing（氦气背冷）：利用氦气作为冷却介质，带走热量。

10. Dark Space（暗区或鞘区）：一个没有辉光放电的区域，这有助于改善刻蚀的均匀性。

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