《炬丰科技-半导体工艺》Si或SiO2 的反应离子蚀刻选择性

最新推荐文章于 2024-09-14 17:54:00 发布

hlkn2020

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本文链接：https://blog.csdn.net/hlkn2020/article/details/120161979

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本文探讨了在半导体工艺中，使用CF4和CHF3两种气体进行反应离子蚀刻(RIE)时，SiO2与Si的蚀刻选择性。结果显示，CHF3相对于CF4表现出更好的SiO2对Si的选择性（16:1），且SiO2的蚀刻速率较慢（32.4 nm/min）。这些发现对于优化纳米制造中的RIE工艺具有重要意义。

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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：Si或SiO2 的反应离子蚀刻选择性

编号：JFKJ-21-438

作者：炬丰科技

摘要

研究了两种反应离子蚀刻 (RIE) 工艺，以使用两种方法显示 SiO2 和 Si 之间的相对蚀刻选择性佛罗里达州碳氟化合物气体、CF4 和 CHF3。结果表明，与 CF4 (1.2:1) 相比，CHF3 具有更好的选择性 (16:1)。另一方面，CF4 的 SiO2 蚀刻速率约为 52.8 nm/min，比 CHF3快。

关键词反应离子蚀刻，RIE，Si，SiO2，CHF3，CF4，选择性

介绍

在纳米制造中，在 Si 层上蚀刻 SiO2 层（反之亦然）是一种常见的工艺。为确保完全去除目标材料，工艺设计中通常包括 10% 的过蚀刻。然而，对于大多数设备，尽可