模电_第四章_场效应管及其放大电路

MOS管的器件特性

概述

1. MOS管特性曲线；
2. MOS管临界条件；
3. MOS管图示；
4. 恒流区，电流电压关系。

特点

1. 输入阻抗高（几百～1G$\Omega$）；
2. 内部噪声小，温度稳定性好；
3. 易集成，工作频率高，功耗低。

类型

两大类，四种类型。

NMOS

原理

栅极的正电压吸引电子，使得源极和漏极导通。

转移特性

1. 增强型NMOS和耗尽型NMOS的开启电压不一致。对前者而言$V_{GS}\le V_T,i_D=0$;对后者而言$V_{GS}\le V_P,i_D=0$。
2. 当$V_{GS}>V_T$，$V_{GS}>V_P$,才会出现漏极电流；
3. $i_D>0$后，随着$V_{GS}$持续增加，$i_D$将不断增加。

转移特性曲线反映的是$V_{GS}$对$i_D$的控制关系。

输出特性

增强型NMOS

截止区：
$0<V_{GS}<V_T,i_D=0$导电沟道尚未形成；

可变电阻区：
$0<V_{DS}<V_{GS}-V_T$，$i_D$变化较快；对于固定的$V_{GS}$，导电沟道电阻一定，$V_{DS}$与$i_D$近似为线性关系。

饱和区/恒流区：
$V_{DS}>V_{GS}-V_T$，$i_D$基本保持不变。放大电路一般工作在该区域。

输出特性曲线反映了$V_{DS}$对$i_D$的控制程度。

$V_{GS}$越大，沟道导通程度越大，自然漏极电流也就越大。

在恒流区时，有：$$i_D=I_{DO}(\frac{V_{GS}}{V_T}-1{)}^2$$
其中$I_{DO}$是$V_{GS}=2V_T$下，对应的电流。

耗尽型NMOS

截止区：
$V_{GS}<V_P<0,i_D=0$导电沟道尚未形成；

可变电阻区：
$0<V_{DS}<V_{GS}-V_P$，$i_D$变化较快；对于固定的$V_{GS}$，导电沟道电阻一定，$V_{DS}$与$i_D$近似为线性关系。

饱和区/恒流区：
$V_{DS}>V_{GS}-V_P$，$i_D$基本保持不变。放大电路一般工作在该区域。

在恒流区时，有$$i_D=I_{DSS}(1-\frac{V_{GS}}{V_P})$$
其中$I_{DSS}$是$V_{GS}=0$时的电流。

综上所述，增强型NMOS和耗尽型NMOS的转移特性曲线有所区别，但输出特性曲线在形状上是一致的。

在恒流区的方程可以统一为$i_D=I_D(\frac{V_{GS}}{V}-1{)}^2$。

PMOS

P沟道增强型

P沟道耗尽型

总结

输出特性临界条件

在根据输出特性判断MOS管类型时看两个方面：

1. 开启电压的符号T代表增强型，P代表耗尽型；
2. 沟道产生条件中N沟道的增强型的$V_T>0$，而P沟道的增强型$V_T<0$。

MOS管放大电路（共源）

静态分析

求BJT管的静态工作点涉及到了$I_B,I_C,V_{CE}$，而对于MOS管而言，静态工作点需要求解$V_{GS},I_C,V_{DS}$，这对应了BJT中的$V_{BE},I_C,V_{CE}$。

普通电路

做静态分析时，有以下几个注意点：

1. GS之间电阻很大，通常可视为断路，因此$R_g$可视为导线；
2. DS之间有电流直接流通。

计算公式为：

自给偏压共源电路

一般思路是：表达出$V_{GS}$，根据恒流区公式表达出$I_D$，最后表达出$V_{DS}$。

动态分析

我们先来回顾一下BJT管的等效电路：

而对于共源的MOS电路来说：

例题

综合电路分析