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引言
最近刚做完了一个TSMC N6 Tape Out的项目,与普通的Try的项目不一样,实际需要流片的项目往往会有着更多的settings。其中,Special Cells往往在try的项目中并不会体现,接下来总结三种cell:Spare Cell, GDCAP 和 DCAP。
1. Spare Cell
- 定义:冗余逻辑单元,需要在pre-place阶段(或RTL阶段就例化进去)提前插入(前端给的网表里就有)。在没有eco cell的情况下,可使用spare cell来做function eco。
- 作用:当有一些设计缺陷需要做postMask ECO时(Tapeout后),通过使用spare cell来修改逻辑单元,不需要修改baselayer,修改metal layer来实现修改逻辑关系。
- spare cell包含:基本的std cell,比如SDFF,NAND,AND,XOR,INV等。Spare cell在不使用的情况下,没有任何的逻辑功能,类似于filler。它的输入与输出pin没有接任何逻辑!因此,spare cell的input pin需要通过tie cell连接到VDD或者VSS,输出pin悬空。当需要修改逻辑,断开input pin的连接,重新eco。
- 加多少:按实际module大小及其有可能做eco的概率大小添加;如果比较大且前端反馈可能做eco,可以多撒些,没有具体的百分比,一般将spare cell module直接例化到实际的module当中做placement。
2. GDCAP
- 定义:ECO Gate Arrary cell,只要大小一样,base layer都是一样的。所以GDCAP可以换成任意别的G*功能cell。
- 作用:保证baselayer不动做BE eco,ECO前是DCAP功能,ECO后可以改成function logic。
- GDCAP包含:G cell 有多种site, ECO 时可以根据逻辑功能,将一个G Filler 映射成多个G functional cell. 传统的G cell 内部没有任何预先定义的逻辑功能,所以可以用来组合任何逻辑功能,如一个10-site 的G filler 可以映射成:10 个inverter 或5 个MUX 或1 个DFF. 另一种G cell 内部有预先定义的基本逻辑功能,相对于传统GAcell 其不能随意映射成任何逻辑,只能对应类型映射,这类cell 也被称为Fabric GA cell。
- 加多少:在floorplan阶段可以均匀的在每一个区域预先撒上一小部分,加的少,均匀且大颗。(先在FP阶段占住block各个角落的位置,但是不能加太多,不然影响timing)在postroute结束在有空位处尽可能撒GDCAP,加的类型更多,尽可能多占位置,双重保险。
3. DCAP
- 定义:去耦单元,在高频电路的时钟或者数据信号大规模同时翻转,巨大的充放电流可能会导致电源电压的下降,从而显著影响某些区域的std cell的供电,进而影响cell的速度。要解决这个问题,最常见的方法之一就是增加电源的电容值,这主要是通过加入DECAP cell来完成。
- 作用:在电源电压正常的时候,DECAP可以充电储能,电源电压较低时可以放电起到一定的缓冲作用。
- 什么阶段加:route后加,尽量多加。
- 种类:带M0和不带M0的两种cell,带M0的DCAP是不带M0的DCAP的电容的2-3倍,更能缓解IR,但是leakage电流也是带M0的DCAP的3倍。