扩散和离子注入是半导体工艺中的两种关键技术。扩散通过自由扩散离子实现掺杂，但横向扩散难以控制，适合大尺寸工艺的nwell和source/drain。离子注入则能精确控制掺杂深度和种类，几乎没有横向扩散，适用于小尺寸工艺和中等尺寸工艺的source/drain。在小尺寸工艺中，nwell通常也采用离子注入以达到更好的精度。
扩散是利用参杂离子的自由扩散，同时存在纵向和横向的扩散，扩散的时间越长，参杂的深度和宽度都增加；但在小尺寸工艺中，要求有必要的参杂深度，同时希望很小的横向间距，这时候扩散就很难做到。
离子注入是精确控制的，注入离子的种类、注入深度都可以精确控制，同时几乎没有横向扩散，是小尺寸工的主流工艺。
在大尺寸工艺，nwell和source/drain都可以用扩散来做；小尺寸工艺，nwell/SD都用离子注入来做；而中等尺寸，出于成本考虑，用扩散来做nwell，离子注入来做SD
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