Landscape-模拟IC inv-一种反向器的

一、Inv原理图

根据原理图以及layout

二、LSW版图层次

drw代表可以画，label.
版图工艺层的信息，非常重要，选择某些层。介绍常用层数以及功能。
AA：有源层。
NW:nwell n阱
dnw:在p sub上制作一个dnw，隔离一个单独的衬底，主要用于衬低隔离。
GT:栅极。
SN：层，N型注入。
SP:p型注入。
M1:金属-M8层。目前工艺是六层。
一层多晶硅，六层金属互连层。
过孔：V1,金属一层到2层的过孔。
V2:5层到6层的过孔。
下面：标识层。PSUB。文字CTXT。一些电阻的标识层。
TM2: TM层，为顶层厚金属。

三、调用

首先选中schematic里面的器件，然后生成器件版图。
Shift +F 显示所有层次。
Ctrl +A 显示器件。

四、器件

1、NMOS晶体管

3、打散层次

由于是NMOS管是Pcells，必须选中Pcells 然后打散。（选中后打撒，打散后选中Q，可查看属性。）

AA 有源层。M1。金属一层。
CT是金属过孔。NMOS晶体管基本构成。

4、NV只显示一层

隐藏其他层次。NV-LSW.

2、PMOS管

多一个NW层次。

五、格点分辨率

OPtion-DISplay，

X snap Spacing =0.05um.

六、版图连线关系

栅相连，源漏相连晶体管。

延长连线

快捷键P；显示连线起始段：

选择层次：M1层。回车键则将延长的画完。

连线宽度

选择连线按Q，宽度0.16um。

对齐和修改

M，移动M1到栅的中间。注：由于栅的格点设置间宽不对，会导致一些对齐上的误差。修改到0.005um。（原为0.05um，修改为最小格点。）

漏端都连接在一起。



源漏各接地和电源。

七、过孔

CREAT CONTACT。

过孔种类

M2到M2，M3-M2,M1到GT，

尺寸：以及行数和列数。

由于过长，Colums修改由3改为2,防止碰到金属线M1.

八、最小线宽要求DRC

参考：7.1 版图几何设计规则
注：各类型要求。

R，表示画矩形的快捷键。
F和鼠标右键助力窗口的大小。
Shift +Z 逐步缩小版图的快捷键。
C 拷贝过孔。
M 移动过孔。R，画栅级。

2金属2 层。

注：栅连接的难点

1、M1的M1-GT，以及GT层。
2、M2-M1,用M2连接。
#pic_center)
短距离用M2 ，近距离用M1。

金属2到金属1的连接。GT用GT-M1相连,M1和M2通过M2-M1通孔连接，可没有M1层。？DRC检查。

9、衬底接触环

nmos管

M1-SUB。SUB阱。

AA层。Psub环路。有源区。

Pmos管

N1-NWLL


N阱保护环画一个有源层。

SN层的N型注入。

NW层。

10、AA层

有交叉则用M2

有源层。

快捷键

R，表示画矩形的快捷键。
F和鼠标右键放大助力窗口的大小。

首先选中schematic里面的器件，然后生成器件版图。
Shift +F 显示所有层次。
Ctrl +A 显示器件。
Q可替换金属层次，修改线宽。
隐藏其他层次。NV-LSW
K 快捷键尺子。.
Shift +K 不显示所有标识。
S 选中，延长连线。
Cret_LABE;