数字后端基础知识：EM

EM 全称 electromigration（电迁移）它指的是：在通电导体中，由于电子的定向移动移动，会与金属线中的金属原子产生碰撞，导致金属原子移位，宏观上表现为金属线发热，变形，熔断，对于芯片中纳米级很细的导线来说，久而久之可能会使net发生短路或断路，进而造成芯片工作失效。

EM现象深刻影响着芯片寿命，因为芯片只要在使用，就会发生EM现象，使用的越久，EM所累积的效应就越多，金属变形会越来越严重 。金属线上金属原子大量流失，会导致原子流失的地方产生断路；而流失的金属原子会在金属线的其他位置堆积，导致堆积的位置导线变宽或变形，而且如果与其他导线产生接触救会形成短路。理论上来说芯片的寿命是有限的，只要工作的够久，EM总会使芯片失效。对于早期不考虑EM影响的芯片，最短的寿命可能仅仅几周；现在的芯片都会考虑EM现象，以此延长芯片使用寿命。

如何来量化EM的影响呢？对于我们后端来说，一般就会看一个指标：电流密度。我们其实就做了一个微观到宏观上的转化处理，相同材料下，电流密度越大的地方EM现象越明显。因此后端在绕线的时候必须要遵守一个EM spec，这个spec规定了不同金属层（或者说不同材料的金属）所能承载的最大电流密度。如果某一段shape仿真出来结果电流密度比spec大，就发生了EM violation，表明这个地方很有可能导致芯片寿命降低，所以这种violation也是必须要修掉的。

修EM的方式带入公式，只需要降低电阻或者降低电流就可以修复。

具体方法

1.通过进行NDR设置net宽度来降低电阻。

2.降低电流可以通过不让高翻转率的cell堆积。

3.降低一条导线上的fanout降低电流。

EM存在于芯片的所有net上，不管这段net是PG、signal、还是clock线，都必须遵守EM rule。一般会称发生在PG上的EM为PEM，Signal上的EM为SEM。对PEM violation一般都会再多加PG mesh，SEM violation的首选方法还是上NDR。