第十一章 新型半导体材料GaN
1
单选(1分)
以下对于GaN描述错误的是
得分/总分
-
A.
是宽禁带半导体,可以生长在SiC上
-
B.
高载流子迁移率
-
C.
霍尔迁移率随着温度的增加而增加
1.00/1.00
-
D.
可以制备成高频和大功率器件
正确答案:C你选对了
2
单选(1分)
以下对于GaN描述错误的是
得分/总分
-
A.
可以用熔体法或者气相法生长
1.00/1.00
-
B.
外延生长存在晶格失配的问题
-
C.
能带宽度会随着温度变化
-
D.
P型掺杂困难
正确答案:A你选对了
3
判断(1分)
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。
得分/总分
-
A.
1.00/1.00
-
B.
正确答案:A你选对了
4
判断(1分)
GaN有闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。
得分/总分
-
A.
-
B.
1.00/1.00
正确答案:T你选对了
5
判断(1分)
GaN的晶格常数会随着温度的变化而变化。
得分/总分
-
A.
1.00/1.00
-
B.
正确答案:T你选对了