半导体材料 MOOC学习记录 第十一章 新型半导体材料GaN

第十一章 新型半导体材料GaN

1

单选(1分)

‏以下对于GaN描述错误的是

‌得分/总分

• A.

  是宽禁带半导体，可以生长在SiC上

• B.

  高载流子迁移率

• C.

  霍尔迁移率随着温度的增加而增加

  1.00/1.00

• D.

  可以制备成高频和大功率器件

正确答案：C你选对了

2

单选(1分)

​以下对于GaN描述错误的是

‎得分/总分

• A.

  可以用熔体法或者气相法生长

  1.00/1.00

• B.

  外延生长存在晶格失配的问题

• C.

  能带宽度会随着温度变化

• D.

  P型掺杂困难

正确答案：A你选对了

3

判断(1分)

‌GaN材料作为直接带隙，可以制备成蓝光发光器件。

​得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

4

判断(1分)

‍GaN有闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。

‎得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：T你选对了

5

判断(1分)

‍GaN的晶格常数会随着温度的变化而变化。

‎得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：T你选对了