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原创 “default ip is not available please make sure the default ip is shown in ip addr“解决-Jetson Orin Nano
接下来我们不需要用typec USB连接host,主机和jetson正常启动,然后sdkmanager进入,也不用它detect board了,直接进入到第三步STEP 03,记得反勾选image OS否则又刷机一次,直接安装下面的cuda等sdk组件,不选择usb连接,选择ethernet,填写刚刚ssh登录的jetson ip地址,用户名和密码,点击install,可以了。可能第一遍无法完全装完所有部件,重复STEP 03,系统会识别哪些installed了,会继续进行未安装的。
2024-05-08 13:19:39
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原创 解决win11/10自带mstsc远程登录常见问题(2024年3月)
(2 win+R输入gpedit.msc,计算机配置,windows设置,安全设置,本地策略,安全选项,网络安全:LAN管理器身份验证级别,选择仅发送NTLMv2响应,拒绝LM和NTLM)(由此两步后,重新打开RDP文件查看应该已更新配置信息了。3 如仍不能解决凭证不正确,则在win+R输入gpedit.msc,计算机配置,windows设置,安全设置,本地策略,安全选项,网络访问:本地账号的共享和安全模型,设置为classic。2 凭证不正确your credentials do not work。
2024-03-27 11:56:55
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原创 Windows10安装Ruby&Rails步骤
安装完毕,出现Ruby的命令行,或者在开始菜单出现start command prompt with Ruby。2024年3月14日安装,亲测。基础使用,print hello world,在命令行输入。rubyinstaller.cn 版本是3.3.0。注意在同一目录下打开,否则报错LoadError。将记事本txt改为.rb格式,在命令行输入。更新完毕后,安装Rails,在命令行输入。更新Rubygem,在命令行输入。安装完毕后,输入查看版本号。下载完后图形化界面安装。等了好大半分钟才有反应。
2024-03-14 14:52:11
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原创 学习笔记-信息论
因此,上述两者编码是互相权衡的,压缩数据提高传输效率,就有可能发生数据出错;而为了数据出错概率尽量的少,那就要冗余度很高,甚至重复发很多次,那样就会造成不效率。围绕着信源编码,常用方法包括哈夫曼编码,费诺码,游程码,字典码等。信息论是一门现代发展起来的学科,通常课程所学的是狭义信息论,即有香农理论基础发展起来的信息论。从发出信号的信源,经编码器后在信道中传输,中途会有噪音干扰,到达后经译码器(编码的逆过程),由信宿接收。信源-信源编码,降低数据冗余,提高效率,增加有效性;信源-编码器-信道-译码器-信宿。
2023-12-21 08:44:42
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原创 学习笔记-信号与系统 数字信号处理
介绍了数字滤波器的基本结构,IIR,FIR滤波器的设计方法、步骤、优缺点等。最后两章是从现实场景中对数字滤波器的改善,包括多媒体下的多抽样率的设定,有限字长效应的处理,如何优化数字滤波器减少误差和振荡影响。数字信号处理分为两部分,由于数字信号是离散的,第一部分包括了离散信号的时域、频域、Z域分析,注意到各种分析在内在根本上本质是一致的。信号与系统介绍了连续信号、离散信号的分析,包括相应的时域、频域、S域/Z域分析,以及系统的分析。主要知识点包括了傅里叶级数,傅里叶变换等。
2023-12-19 11:24:10
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原创 学习笔记-信息安全技术 现代密码学等
而公钥密码体制对密码的管理,难点在于选择数学难题NP程度甚至NPC完全难解的,例如大质数分解难题,椭圆曲线求解难题。信息安全技术主要围绕AAA管理,层次包括Authentification认证,Authorization授权/Access Control访问控制,Auditing审计,对于系统安全,应用安全,网络安全等方面进行信息安全保障的工作。非对称密码体制,即公钥体制,编码是公开的作为公钥,解码是秘密的作为私钥。除此之外,还介绍了信息安全的体系构建,模型,对人员、场景、设施等的要求。
2023-12-19 11:16:48
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原创 数据结构 栈Stack的理解与C语言实现
栈,通俗的理解是叠盘子,如我们吃完饭洗碗洗盘子时,设盘子大小形状一样的,那么可以顺利的叠成一竖,每次我们洗好一个就叠在最上面push top,需要取用时候为了方便也是取最上面pop top,当然我们可以整个搬下来取最下面那个但有可能摔破了盘子。//当下标指在了第8号位,等同于放不下新盘子了。//初始化时将下标设在第-1号位,表示无盘子。//假定我们最高可以叠9个盘子,相应为第0号位~第8号位。//top作为数组下标,标注目前的取盘子处。
2023-11-21 06:37:12
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原创 算法 归并排序MergeSort的理解与C语言实现
归并排序,运用了二分和递归求解的思想,将需要排序的序列每一次递归中从中间切开,分左半和右半,然后将左半右半合并,那么这里就产生了两个函数,一个是MergeSort的切分函数,一个是合并的Merge函数。i++){ //将临时数组temp的元素存放回data数组中。//定义i, j变量分别遍历左半,右半部分。
2023-11-19 19:35:32
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原创 数据结构 编程1年新手视角的平衡二叉树AVL从C与C++实现③
最后,我们使用create函数将n个数据的数组a[]传入AVL中,对应地,我们可以将insert函数中省略的操作补上。
2023-11-05 09:57:16
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原创 数据结构 编程1年新手视角的平衡二叉树AVL从C与C++实现②
LR型(node的左子树的平衡因子==-1),LR型可看作成LL型与RR型的结合,对应操作是先对node左子树(RR型)进行左旋leftRotate(node->left),再对node本身(LL型)作右旋rightRotate(node)。RL型(node的右子树的平衡因子==1),RL型可看作成RR型与LL型的结合,对应操作是先对node右子树(LL型)进行右旋rightRotate(node->right),再对node本身(RR型)作左旋leftRotate(node)。接下来,是数据的插入。
2023-11-05 09:37:28
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原创 论文阅读笔记 改进遗传算法与粒子群优化算法及其对比分析
摘要:进化算法作为一类新的优化搜索方法 ,广泛应用于各种优化问题 .现对简单遗传算法进行了改进 ,采用实值编码 ,并与模拟退火算法及基于适值排序和随机选择的方法相结合 ,形成了改进遗传算法 .同时还介绍了一种新的进化算法—粒子群优化算法 .将这两种优化算法应用于函数优化 ,并对优化结果进行了对比分析 .比较结果表明 ,改进遗传算法和粒子群优化算法都可以在函数优化方面表现出较好的健壮性 ,但在找寻最优解的效率上 ,粒子群优化算法较好 .
2023-06-17 21:36:20
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原创 论文阅读笔记 遗传算法和粒子群优化算法的性能对比分析
对这两种经典算法在求解不同问题时的性能进行了系统的对比和分析,比较了两种算法在求解单峰和多峰问题上的性能差异。变异算法,Pm变异概率,如过小,容易早熟,如过大,可能导致算法目前搜索状态倒退回原来较差情况,设定在0.001到0.1。多峰函数,GA得到较优结果,由于无导向性(基因无向突变),全局搜索能力强,但PSO容易陷入局部最优。粒子群优化算法PSO,原理和机制更简单,容易实现,运行效率更高。交叉算法,单点交叉,多点交叉,Pc交叉概率。染色体编码,二进制编码,浮点数编码。选择算法,轮盘赌算法,锦标赛算法。
2023-06-17 21:20:11
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原创 论文阅读笔记 进化算法在大规模优化问题中的应用综述
针对大规模问题的特点,对已有的大规模优化算法进行了简单的分析.主要介绍算法的初始化方法、不分组策略、静态分组策略、动态分组策略、自适应分组策略、大规模优化算法测试函数集以及算法结果的对比等方面;侧重描述优化算法的搜索策略、更新策略、突变策略和协同进化策略,并列出大规模优化算法测试函数集的特点及优化算法的评价方法;不分组策略,子代产生策略,基于广义反向学习的DE算法GOBL generalized opposition-based learning。栏目:出版日期:2018-05-10。
2023-06-17 20:44:56
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原创 论文阅读笔记 GLM: General Language Model Pretrainingwith Autoregressive Blank Infilling
GLM是通用的预训练架构以供NLunderstanding和generation生成,可由自回归模型解决,填空混合了注意力masks和novel 2D位置编码,实验上GLM的表现更加出色,并且可以有效地在不同任务下共享参数。GLM基于自回归填空的通用语言模型,可比预训练自编码模型BERT、自回归模型GPT、编码-解码模型T5效果好。比较GLM与其他预训练模型的差异。
2023-06-15 08:31:19
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第十四章 新型半导体材料SiC
外延扩散、扩散扩散和离子注入可以用来SiC单晶的掺杂,其中离子注入是主要的掺杂方式。不同的类型的SiC晶体的辐射跃迁不同,可以制备不同颜色光的发光器件。具有非常高的击穿电场,相比较硅具有更高的耐压能力和电流密度。一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜。SiC有很多种晶型,其中4H型应用较为广泛。无论哪种生长方式,6H-SiC都最容易生长。以下可以对SiC进行P型掺杂的元素是。可以用物理气相传输法制备SiC单晶。以下对于SiC性质描述错误的是。以下对于SiC性质描述错误的是。
2023-04-16 21:26:18
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第十二章 II-VI族化合物半导体
II-VI族半导体中的点缺陷可以影响导电类型。以下不是II-VI族半导体的制备方法的是。碲化镉具有较高的吸光系数,可以制备太阳电池。以下对于II-VI族半导体描述错误的是。其导电类型可以通过改变气相的分压来改变。对于II-VI族半导体描述错误的是。禁带宽度随着原子序数的增加而增加。碲化镉可以用近空间升华法生长。熔点随着原子序数的增加而增加。离子注入可以抑制自补偿效应。硫化铅是一种两性半导体。有闪锌矿和纤锌矿两种结构。
2023-04-16 21:23:45
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第十三章 新型半导体材料ZnO
ZnO和GaN有相似的晶体结构和禁带宽度。是非常稳定的纤锌矿结构,耐高温高压。以下对于ZnO描述错误的是。以下对于ZnO描述错误的是。可用气相法或者水热法制备。ZnO的能带可以调节。
2023-04-16 21:23:37
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第二章 晶体生长原理
晶体的生长单元比例x=NA/N,如果x>50%就是粗糙界面,x<50%就是光滑界面。晶体生长过程中,只有达到一定的过冷度时,才能自发进行熔-固相转变。x=50%是粗糙界面,x=0%或者100% 为光滑界面。晶体生长时,体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。硅晶体和锗晶体的晶体结构相同,均为金刚石结构。晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是。以下对于晶体生长的方法描述错误的是。以下对于非均匀形核的描述错误的是。一般所有的杂质都可以充当形核的基底。
2023-04-16 20:53:55
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第十一章 新型半导体材料GaN
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。GaN的晶格常数会随着温度的变化而变化。GaN有闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。是宽禁带半导体,可以生长在SiC上。霍尔迁移率随着温度的增加而增加。以下对于GaN描述错误的是。以下对于GaN描述错误的是。可以制备成高频和大功率器件。可以用熔体法或者气相法生长。外延生长存在晶格失配的问题。能带宽度会随着温度变化。
2023-04-15 11:12:15
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第十章 III-V族化合物半导体
水平布里奇曼方法存在“粘舟”,真空度要求高,温度控制严格,直径受限等缺点,逐渐被垂直梯度凝固法取代。GaAs材料作为新型半导体,有比硅更优秀的性能,可以取代硅。以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是。液态密封法不能掺Si,因为会导致B的沾污。GaAs是直接带隙结构,有两个子能谷。在室温下,在氧和水蒸气气氛中性质稳定。以下对于GaAs材料描述错误的是。以下对于GaAs 描述错误的是。电子迁移率高,适合做高频器件。是直接带隙,光电转换效率高。一般采用B2O3液封。可以生长大直径的晶体。
2023-04-15 11:10:50
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第九章 硅薄膜材料
外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法,衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂,比如Sb。硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。气体和载体的比例影响硅外延生长的速率,存在一个最佳比例生长速率最高。不同的晶向生长速率不同,对于硅而言,生长速率最快。温度影响硅外延生长速率,温度越高外延层的生长速率越高。硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。以下对于硅外延生长描述不正确的是。以下抑制自掺杂的方法不正确的是。以下不是外延硅的主要缺陷。
2023-04-15 11:08:43
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第八章 硅单晶的掺杂和缺陷
直拉硅中的金属杂质必须避免,它们扩散很快,可以形成复合体或者沉淀,对于硅晶体的电学性质有严重的危害。直拉硅晶体过程中会引入各种杂质,有些杂质对材料有害,有些杂质对材料有益。直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入,一般没有电学性质。氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是。以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是。过饱和会形成氧沉淀,影响硅晶体的电学性质。以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是。正确答案:D你选对了。正确答案:B你选对了。
2023-04-15 11:08:07
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第七章 直拉提纯和直拉硅单晶
Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅,但是使得一次拉出来的晶体长度受限。直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势,单晶炉也逐渐发展变大。在直拉硅生长过程中,熔体出现对流,以下对于对流的描述错误的是。可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀,但是掺镓除外。连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低,晶体质量高。在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。正确答案:A你选对了。正确答案:C你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:A你选对了。
2023-04-15 11:07:27
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第六章 区熔原理和区熔硅
区熔可以重复多次,使杂质尽量被集中在头尾两端,提纯中部的材料,且熔区越长越好。熔区次数的选择可以根据经验公式得到:n=(1~1.5)L/l。区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷,增加机械强度。硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.区熔的熔区移动速度越小,提纯效果越好。区熔提纯利用分凝原理。正确答案:B你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:B你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:A你选对了。
2023-04-15 11:06:30
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第五章 元素半导体硅和锗的化学提纯
半导体硅的性能对于杂质非常敏感,一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同,西门子法是最常用的方法。西门子法中三氯氢硅的提纯可以采用精馏提纯的方法。硅材料在自然界中非常丰富,存在天然的晶体硅。西门子法的优点是产量大、质量高,但是成本高。以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是。制备金属锗最难去除的杂质是金属杂质。正确答案:D你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:D你选对了。正确答案:B你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:A你选对了。
2023-04-15 11:05:26
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第四章 元素半导体硅的基本性质
硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离,电阻率与掺杂浓度呈反比关系。硅晶体的最密排面是{111}面,第一解离面是{110}面。硅材料本身是没有电活性的,可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。硅材料是直接带隙,可以做发光管和激光器。以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有。以下对于硅材料的性质的描述正确的是。本征硅的热导率随着温度的增加而增加。以下对于硅的化学性质描述正确的是。以下对于硅材料特性的描述正确的是。硅是脆性材料,可加工性差。硅对于大多数的酸是稳定的。形成P型硅的掺杂剂是。
2023-04-15 11:04:21
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第三章 晶体生长技术
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好,但是反应的源气、余气有毒。生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochralski)。液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。生长非常高熔点的氧化物(如:钇铝石榴石)一般用什么方法。以下熔体生长法生长晶体描述正确的是。区熔法可以生长熔点极高的晶体。二氧化硅可以用于熔体生长法。SiC可以用熔体生长法。正确答案:B你选对了。正确答案:C你选对了。正确答案:B你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:A你选对了。正确答案:B你选对了。
2023-04-15 11:03:14
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原创 半导体材料 MOOC学习记录 第一章 半导体材料概论
为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度,半导体材料本身必须高纯,没有或尽量少杂质。半导体材料是一门交叉了材料、能源、信息三大类的学科。第三代半导体的性能要优于第一代半导体,且应用更为广泛。在光伏领域,硅材料是应用最为广泛的半导体材料。在制备半导体时,需要高纯的原材料,杂质越少越好。半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性。以下对于半导体材料电学特性描述正确的是。以下几种材料为宽禁带半导体的是。以下对于半导体的描述错误的是。半导体的导电特性与金属相同。电阻率随温度的增加而增加。
2023-04-15 10:55:48
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原创 镭神智能N10(老版本,接口2.0)雷达调试
N10是老版本(2.0mm接口),新版本是(1.25mm接口),市面上找不到专门转接板了,因此自己做了转接线连接串口模块
2022-12-08 16:47:04
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原创 深度摄像头ORBBEC Dabai Pro调试
最近陆续搞起ROS的外设传感器,由于新手第一次摸这些玩意,难免会走一些弯路,这里记录一下步骤,方便下次能直达。达成:完成深度摄像头在windows、linux、ROS上的调试=======================================================================准备深度摄像头ORBBEC Dabai ProType-c USB线windows 10电脑===========================================
2022-12-07 17:15:58
1998
1
原创 蓝海Pacecat雷达LDS-50C-C30E调试
最近陆续搞起ROS的外设传感器,由于新手第一次摸这些玩意,难免会走一些弯路,这里记录一下步骤,方便下次能直达。达成:完成雷达在windows、linux、ROS上的调试=======================================================================准备USB无线连接器(我的是TP-Link的,便于在网线连接雷达时主机能继续上网,当然也可以通过路由器连接,这个方法我没有试过在此不再详述)雷达:蓝海Pacecat,型号为LDS-50C
2022-12-07 16:54:46
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原创 释放为硬件保留的内存(16+16内存条原本只显示14G解决)
终极方法:接上去正常使用,用几天,过程中正常开关机,我是一天过后再查看属性,就好了,根本不用操心这个事。但是如果是识别不出来,即不显示最大安装了32G,那么可能是不兼容或者插槽损坏或者内存条损坏,这个需要进一步的调查了。最大内存,跳出最大值,据说不要选0否则会开不了机蓝屏。方法内存要升级Bios,释放为硬件保留的内存。性能 设置 高级 虚拟内存。
2022-11-26 17:36:32
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原创 Nvidia Jetson TX1 安装无线网卡附型号(20221125)Nvidia Jetson TX1 wireless module
选择合CNVI协议的,同时支持wifi5 802.11ac 和蓝牙5.1,支持Linux系统,是M.2 key E
2022-11-25 18:17:14
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空空如也
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