电测复习(下)
控制电流阶跃研究电极表面覆盖层?
不太确定,见教材P93
吸附层表面覆盖度计算公式 θ = Q θ n q N A \theta = \frac{Q_\theta}{nqNA} θ=nqNAQθ;
成相层厚度: δ = Q θ M n F ρ \delta = \frac{Q_\theta M}{nF \rho } δ=nFρQθM
第7章|控制电势阶跃的暂态测量方法
第6章提到过,控制电势阶跃和控制电流阶跃是个对称的关系。但是,二者又存在着很大的差异,需要对比学习
传荷过程控制下的小幅度电势阶跃暂态测量
电势阶跃法
小幅阶跃,单向极化持续时间短,浓差极化忽略不计,电极处于电荷传递过程控制,等效电路简化为:
通过等效电路测定 R u , R c t , C d R_u, R_{ct},C_d Ru,Rct,Cd
电势阶跃加到电极上后,虽然电极体系施加了一个 η \eta η的电势差,但界面电势差(双电层)并未突跃,可以理解为 C d C_d Cd先短路,然后产生一阶响应。所以此时电压加到了溶液欧姆压降 R u R_u Ru上,瞬间电流达到$-\frac{\eta}{R_u} $ i = − η R R u i = \frac{- \eta_R}{R_u} i=Ru−ηR,双垫层以此电流开始充电。随着充电的进行,双电层电势差即电化学极化超电势 η e \eta_e ηe增大,Faraday电流 i f i_f if增大;由于总的超电势为 η \eta η不变,所以欧姆压降 η R = η − η e \eta_R = \eta - \eta_e ηR=η−ηe不断变小,总电流 i = − η R R u i = \frac{-\eta_R}{R_u} i=Ru−ηR不断建校。而 i = i C + i f , i = i_C + i_f, i=iC+if,所以 i C i_C iC逐渐减小到0,充电过程结束,电化学反应、电化学超电势达到稳态,反应电流达到稳态值 i ∞ i_\infty i∞
(1)极限简化法
t = 0 , R u = − η i t = 0 t > ( 3 − 5 ) τ C , R c t = − η i ∞ − R u , = − η i ∞ ( 补偿 ) C d = − 1 η ∫ B C i d t (条件:选择合适的溶液和电势范围, 是在该电势范围内接近理想计划电极, R c t → ∞ , i f → 0 ) t = 0, R_u = \frac{-\eta}{i_{t=0}} \\ t > (3-5)\tau_C, R_{ct} = \frac{-\eta}{i_ \infty} - Ru, = \frac{- \eta}{i_\infty}(补偿) \\ Cd = - \frac{1}{\eta} \int_B^C idt \\ (条件:选择合适的溶液和电势范围,\\ 是在该电势范围内接近理想计划电极,R_{ct}→\infty, i_f → 0) t=0,Ru=it=0−ηt>(3−5)τC,Rct=i∞−η−Ru,=i∞−η(补偿)Cd=−η1∫BCidt(条件:选择合适的溶液和电势范围,是在该电势范围内接近理想计划电极,Rct→∞,if→0)
(2)方程解析法
可以参考第6章|控制电流暂态测量
i-t曲线理论方程
i
=
i
∞
[
1
+
R
c
t
R
u
e
x
p
(
−
t
R
/
/
C
d
)
]
i = i_\infty [1+\frac{R_{ct}}{Ru} exp(-\frac{t}{R_{//}{C_d}})]
i=i∞[1+RuRctexp(−R//Cdt)]
变化为直线方程:
l
g
(
i
−
i
∞
)
=
l
g
A
−
1
2.3
R
/
/
C
d
)
t
lg(i-i_\infty) = lgA - \frac{1}{2.3R_{//}C_d)}t
lg(i−i∞)=lgA−2.3R//Cd)1t
试选
i
∞
i_\infty
i∞,求出斜率K,则
R
c
t
=
−
η
i
∞
−
R
u
C
d
=
1
2.3
∣
K
∣
(
1
R
u
+
1
R
c
t
)
R_{ct} = \frac{-\eta}{i_\infty} - R_u \\ C_d = \frac{1}{2.3 \lvert K \rvert}(\frac{1}{R_u}+\frac{1}{R_{ct}})
Rct=i∞−η−RuCd=2.3∣K∣1(Ru1+Rct1)
方波电势法
R u = ∣ Δ E ∣ i B − i A R c t = ∣ Δ E ∣ i ∞ − R u = ∣ Δ E ∣ i ∞ (补偿) C d = 1 ∣ Δ E ∣ ∫ B C i d t Ru = \frac{\lvert \Delta E\rvert}{i_B - i_A} \\ R_{ct} = \frac{\lvert \Delta E\rvert}{i_\infty} - Ru = \frac{\lvert \Delta E\rvert}{i_\infty}(补偿) \\ C_d = \frac{1}{\lvert \Delta E \rvert} \int_B^C idt Ru=iB−iA∣ΔE∣Rct=i∞∣ΔE∣−Ru=i∞∣ΔE∣(补偿)Cd=∣ΔE∣1∫BCidt
注意事项:
- 小幅阶跃,单向极化持续时间短,浓差极化忽略不计,电极处于电荷传递过程控制
- 不适用于测Ru。实际测量时,由于恒电势仪输出能力和测量电路的“时间常数”限制,开始极化后电流上升需要一定的时间,不想理论预测那样瞬间达到最大值。所以电流突跃测量值有很大误差
- 测 C d C_d Cd时,要求 R c t → ∞ , R u → 0 R_{ct}→\infty, Ru→0 Rct→∞,Ru→0,并且可以用于多孔电极(不要求使用 t < < τ C t<<\tau_C t<<τC的曲线斜率)
- 测量 R c t R_{ct} Rct时,要求 t > > τ C t>>\tau_C t>>τC
极限扩散控制下的电势阶跃技术
采用大幅度电势阶跃信号,使电极处于极限扩散控制下
由于是极限扩散,提供了一个现成的边界条件 C o ( 0 , t ) = 0 ( t > 0 ) C_o(0,t)=0 (t>0) Co(0,t)=0(t>0)
平板电极
解偏微分方程,得Cottrell方程(重点掌握)
i
d
(
t
)
=
n
F
A
D
O
C
O
∗
π
t
i_d(t) = \frac{nFA\sqrt{D_O}C_O^*}{\sqrt{\pi t}}
id(t)=πtnFADOCO∗
有效扩散层厚度: π D O t \sqrt{\pi D_O t} πDOt
平板电极单纯依靠扩散作用无法达到稳态(除非有对流)
球形电极
球形电极可以自发建立稳态
取样电流伏安法
同样,这里没有了极限扩散条件,需要分三种情况讨论:平衡态、准可逆和完全不可逆
注:这里不对超微电极做过多讲解,看书了解即可。(赌一波不考(x))
平衡态(可逆)
定解条件为Nernst方程,
表面浓度分布:
C
O
(
0
,
t
)
C
O
∗
=
ξ
θ
1
+
ξ
θ
C
R
(
0
,
t
)
C
O
∗
=
ξ
1
+
ξ
θ
\frac{C_O(0,t)}{C_O^*} = \frac{\xi \theta}{1 + \xi \theta} \\ \frac{C_R(0,t)}{C_O^*} = \frac{\xi}{1 + \xi \theta}
CO∗CO(0,t)=1+ξθξθCO∗CR(0,t)=1+ξθξ
进一步推得:
C
O
(
0
,
t
)
=
C
O
∗
[
1
−
i
(
t
)
i
d
(
t
)
]
C
R
(
0
,
t
)
=
ξ
C
O
∗
[
i
(
t
)
i
d
(
t
)
]
C_O(0,t) = C_O^*[1-\frac{i(t)}{i_d(t)}] \\ C_R(0,t) = \xi C_O^*[\frac{i(t)}{i_d(t)}]
CO(0,t)=CO∗[1−id(t)i(t)]CR(0,t)=ξCO∗[id(t)i(t)]
取样电流伏安曲线:
E
=
E
1
/
2
+
R
T
n
F
l
n
[
i
d
(
τ
)
−
i
(
τ
)
i
(
τ
)
]
E
1
/
2
=
E
Θ
′
+
R
T
n
F
l
n
D
R
D
O
E = E_{1/2} + \frac{RT}{nF}ln[\frac{i_d(\tau)- i(\tau)}{i(\tau)}] \\ E_{1/2} = E^{\Theta '} + \frac{RT}{nF} ln \sqrt{ \frac{D_R}{D_O} }
E=E1/2+nFRTln[i(τ)id(τ)−i(τ)]E1/2=EΘ′+nFRTlnDODR
准可逆与不可逆
代入原始动力学方程作为初始条件
计时库伦法
相比于计时安培法,有如下优点:
- 更好的信噪比。电流随时间下降,计时安培法后期电流衰减到较小的数值,误差大;而计时库伦法计算的电量随时间增大而增大(积分值)
- 对暂态电流的随机噪声有平滑作用
- 双层充电量、用于吸附物质的电极反应的电量 同 用于扩散反应物的电极反应的电量区分开来
第8章|线性电势扫描伏安法
线性扫描过程概述
电极电势的变化率成为扫描速度,为常数, v = ∣ d E d t ∣ = c o n s t v = \lvert \frac{dE}{dt} \rvert = const v=∣dtdE∣=const。线性电势扫描法伏安法属于控制电势暂态测量方法,第7章讨论的是具有电势突跃的情况,而线性电势扫描伏安法则是电势连续线性变化的情况。
响应电流特点
不存在表面活性物质吸脱附时,由于扫速引起的双电层充电电流恒定不变,即 i C = − C d d E d t = c o n s t i_C = -C_d \frac{dE}{dt} = const iC=−CddtdE=const。
扫速增加时, i d 比 i f i_d比i_f id比if增加得更多, i C i_C iC在总电流中的比例增加;相反,扫速足够低时, i C i_C iC所占的足够小,可忽略
伏安曲线和电流峰形成的原因:(回答:曲线中XX部分的电流含有哪些成分,XX峰是如何形成的)
电势扫描过程中,随着电势的移动,电极的极化越来越大,电化学极化和浓差极化相继出现。随着极化增大,反应物表面浓度不断下降,扩散层中反应物的浓度差不断增大,导致扩散流量增大,扩散电流升高。当反应物的表面浓度下降到0时,达到完全浓差极化,电流达到极限扩散电流。此时,扩散过程并未达到稳态,电势继续扫描,相当于延长计划时间,扩散层厚度越来越大,扩散流量却逐渐下降,扩散电流降低形成电流峰。越过峰值后,电流衰减符合Cottrell方程。
小幅三角波
小幅,忽略浓差极化, R c t , C d R_{ct}, C_d Rct,Cd恒定,现在测量三个参数 R u , R c t , C d Ru, R_{ct}, C_d Ru,Rct,Cd
若忽略溶液电阻 R u , i = − C d d E d t + i f , i C = C d v 是常数 Ru, i=-C_d \frac{dE}{dt} + i_f, i_C=C_dv是常数 Ru,i=−CddtdE+if,iC=Cdv是常数;因为电势线性变化,Faraday电流 i f i_f if也随时间线性变化(??? i f = E R c t i_f = \frac{E}{R_{ct}} if=RctE),总的电流线性变化
结论:
C
d
=
Δ
i
2
v
=
Δ
i
T
4
Δ
E
R
c
t
=
∣
Δ
E
∣
i
B
−
i
A
′
C_d = \frac{\Delta i}{2v} = \frac{\Delta i T}{4 \Delta E}\\ R_{ct} = \frac{\lvert \Delta E \rvert}{i_B - i_A'}
Cd=2vΔi=4ΔEΔiTRct=iB−iA′∣ΔE∣
若考虑溶液电阻,外推法找点:
R
c
t
=
∣
Δ
E
∣
i
B
−
i
A
′
−
R
u
R_{ct} = \frac{\lvert \Delta E \rvert}{i_B - i_A'} - Ru
Rct=iB−iA′∣ΔE∣−Ru
要求Ru很小或可补偿,电极表面有高阻膜时也不宜使用这种方法。
注意:
- 小幅三角波电势扫描测Cd,可用于多孔电极(第二种方法!)
- 测Cd时,可以有电化学反应发生。(非常大的优势)对比而言,控制电势阶跃必须是电极处于理想极化状态, R c t → ∞ R_{ct}→ \infty Rct→∞,保证流过电极的电流全部用于双电层充电;控制电流阶跃法,也要保证 R c t → ∞ R_{ct} → \infty Rct→∞,事时间常数很大,易于测量阶跃瞬间电势-时间曲线的斜率(!!!后期做个总结!对比一下三种方法!)
- 溶液电阻越小越好,最好可补偿
- 由于 C d = Δ i 2 v C_d = \frac{\Delta i}{2v} Cd=2vΔi,测Cd时,为了突出突跃部分 Δ i \Delta i Δi,提高测量精度,应采用较大的扫描速率v,较高的三角波频率。相反,测 R c t R_{ct} Rct时,尽量减少v,突出线性变化的法拉第电流部分
浓差极化存在时的单程线性电势扫描伏安法
分为可逆、完全不可逆和准可逆三种情况讨论,此处不做重点讨论,略
循环伏安法
扫描电势换向时,阴极反应达到了完全浓差极化状态,此时阴极电流为暂态的极限扩散电流,符合Cottrell方程,按照 i ∝ t − 1 / 2 i \propto t^{-1/2} i∝t−1/2的规律衰减。正向扫描时需要重现确定基线
可逆体系
产物稳定的可逆体系,循环伏安曲线两组参数具有下述重要特征:
- $i_{Pa} = i_{Pc}→ \lvert \frac{i_{Pa}}{i_{Pc}} = 1 \rvert \$,并且与扫速v,换向电势、扩散系数等无关
- ∣ Δ E p ∣ = E p a − E p c ≈ 2.3 R T n F ≈ 59 n m V \lvert \Delta E_p \rvert = Ep_a - Ep_c \approx \frac{2.3RT}{nF} \approx \frac{59}{n} mV ∣ΔEp∣=Epa−Epc≈nF2.3RT≈n59mV,且不随扫速变化
准可逆体系
- i P a ≠ i P c i_{Pa} \neq i_{Pc} iPa=iPc
- ∣ Δ E p ∣ > 59 n m V \lvert \Delta E_p \rvert > \frac{59}{n}mV ∣ΔEp∣>n59mV,且随扫速的增大而增大(重点看这一条)
完全不可逆
观察不到反向扫描峰
重点看一下P142的例题及对曲线的说明
判断电阻率
开始出现峰的电势与平衡电势的偏离程度→反应物的电阻率,越接近(0.1V左右),电阻率越低,极化越小
峰高→产物的电阻率,峰越高,电阻率越低,极化越小
判断电极过程可逆性:
∣ Δ E p ∣ ≈ 59 n m V \lvert \Delta E_p \rvert \approx \frac{59}{n} mV ∣ΔEp∣≈n59mV,且不随扫速变化,可逆;
∣ Δ E p ∣ > 59 n m V \lvert \Delta E_p \rvert > \frac{59}{n} mV ∣ΔEp∣>n59mV,且随扫速增加,不可逆电极
相同的扫速下, ∣ Δ E p ∣ \lvert \Delta E_p \rvert ∣ΔEp∣越大,反应的不可逆程度越高
判断反应物来源:
如果反应物来源于溶液,通过扩散过程到达电极表面参与电极反应,伏安曲线上会出现电流峰。对i-t曲线积分,积分出来的面积为用于电化学反应的电量(忽略双电层的充电电量)
Q = C O ∗ D O 1 / 2 v − 1 / 2 ∫ E 1 E 2 ϕ ( E ) d E ∝ v − 1 / 2 Q = C_O^*D_O^{1/2}v^{-1/2} \int_ {E_1}^{E_2} \phi(E)dE \propto v^{-1/2} Q=CO∗DO1/2v−1/2∫E1E2ϕ(E)dE∝v−1/2
因此,若反应物来源于溶液,扫速越慢,本体溶液中的反应物来得及更多地扩散到电极表面参与反应。
相反,如果是预先吸附电极表面上的,由于吸附反应物的量是恒定的,所以吸附反应物消耗完毕所需的电量 Q θ Q_\theta Qθ也是恒定的,与扫速无关
研究吸附过程:
同上,预先吸附电极表面上的,由于吸附反应物的量是恒定的,所以吸附反应物消耗完毕所需的电量 Q θ Q_\theta Qθ也是恒定的,与扫速无关。因此可根据电量加以区分。另外,吸附反应物伏安曲线上的峰值电流 i P i_P iP不是同 v 1 / 2 v^{1/2} v1/2成正比,而是正比于扫速v,即 i p ∝ v i_p \propto v ip∝v。在Langmuir吸附等温式下, E P c = E P a E_{Pc} = E_{Pa} EPc=EPa
P145的案例重点研究
第9章|伏安脉冲法
略
第10章|交流阻抗法
小幅度正弦波电信号对体系扰动,电流与电势近似为线性关系,满足频响函数的线性条件要求
Nyquist图,应该只写第一行,交代一下 σ ′ \sigma' σ′就行
传荷控制下:
O
A
ˉ
=
R
u
A
C
ˉ
=
R
c
t
C
d
=
1
ω
B
R
c
t
,
ω
B
:半圆顶点角频率
如果没有顶点角频率:
C
d
=
1
ω
B
R
c
t
,
ω
B
D
′
C
ˉ
A
D
′
ˉ
\bar{OA} = R_u \\ \bar{AC} = R_{ct} \\ C_d = \frac{1}{\omega_B R_{ct}}, \omega_B:半圆顶点角频率 \\ 如果没有顶点角频率: C_d = \frac{1}{\omega_B R_{ct}}, \omega_B \sqrt{\frac{\bar{D'C}}{\bar{AD'}}}
OAˉ=RuACˉ=RctCd=ωBRct1,ωB:半圆顶点角频率如果没有顶点角频率:Cd=ωBRct1,ωBAD′ˉD′Cˉ
传质控制下:
常相位元件:
C
P
E
,
用
Q
表示,阻抗为
Z
=
1
Y
0
(
j
ω
)
−
n
n
=
0
,
电阻,
Y
0
=
1
R
n
=
1
,
电容,
Y
0
=
C
,
Y
=
j
w
C
n
=
−
1
,
电感,
Y
0
=
1
L
,
Y
=
−
j
1
ω
L
n
=
0.5
,
W
a
r
b
u
r
g
阻抗,半无限扩散引起,阻抗谱为一条过原点的倾角为
π
/
4
的直线
CPE, 用Q表示,阻抗为Z = \frac{1}{Y_0}(j\omega)^{-n} \\ n = 0, 电阻, Y_0 = \frac{1}{R} \\ n = 1, 电容, Y_0 = C, Y = jwC \\ n = -1, 电感, Y_0 = \frac{1}{L}, Y = -j \frac{1}{\omega L} \\ n = 0.5, Warburg阻抗,半无限扩散引起,阻抗谱为一条过原点的倾角为\pi/4的直线
CPE,用Q表示,阻抗为Z=Y01(jω)−nn=0,电阻,Y0=R1n=1,电容,Y0=C,Y=jwCn=−1,电感,Y0=L1,Y=−jωL1n=0.5,Warburg阻抗,半无限扩散引起,阻抗谱为一条过原点的倾角为π/4的直线
法拉第阻抗的实部和虚部分别为:
(
Z
f
)
R
e
=
R
c
t
+
σ
′
ω
−
1
/
2
(
Z
f
)
I
m
=
σ
′
ω
−
1
/
2
(Z_f)_{Re} = R_{ct} + \sigma' \omega^{-1/2} \\ (Z_f)_{Im} = \sigma' \omega^{-1/2}
(Zf)Re=Rct+σ′ω−1/2(Zf)Im=σ′ω−1/2
通过斜率估算扩散系数
σ
′
\sigma'
σ′
混合控制时:
补一个嵌入型电极的典型阻抗谱