储存器容量的扩充

序及

3.2.4 存储器容量的扩充

当单个存储器芯片的容量不能满足系统要求时，需要把多片存储器芯片组合起来，组成更大容量的存储器。所需芯片数为：d=设计要求的存储器容量/已知芯片存储容量。

1.位扩展

若给定的芯片的字数(地指数)符合要求，但位数较短，不满足设计要求的存储器字长，则需要进行位扩展，让多片给定芯片并行工作。三组信号线中，地址线和控制线公用而数据线单独分开连接。

储器。个仔储谷量为1M×8位的SRAM存

解设计的存储器字长为8位，存储器字数不变。所需芯片数

d=(1M×8)/(1M×4)=2(片)

连接的三组信号线中，地址线、控制线公用，数据线分高4位、低4位，分别与两片SRAM芯片的IO端相连接，两片同时工作，如图3.7所示。

2.字扩展

若给定的芯片存储容量较小(字数少)，不满足设计要求的总存储容量，则需要进行字扩展，让多片给定芯片分时工作。三组信号线中给定芯片的地址总线和数据总线公用，写控制信号线公用，由地址总线的高位译码产生片选信号，让各个芯片分时工作。

【例3.2】 利用256K×8位的SRAM芯片设计2048K×8位的存储器。

 

 

 3.3 动态随机存取存储器

3.3.1 DRAM存储元的工作原理

SRAM的存储元是一个触发器，它具有两个稳定的状态

(DRAM)简化了每个存储元的结构，因而DRAM的存储密度很高，

图3.9所示为由一个MOS晶体管和电容器组成的单管DR

。而动态随机存取存储器

通常用作计算机的主存储器。

AM记忆电路。其中MOS管作为开关使用，而所存储的信息1或0则是由电容器上的电荷量来体现 当电容器充满电荷时，代表存储了1，当电容器放电没有电荷时，代表存储了0。

写1到存储元时，输出缓冲器关闭、刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打开(R/W为低)，输入数据Dv=1送到存储元位线上，而行选线为高，打开MOS管，于是位线上的高电平给电容器充电，表示存储了1。写0到存储元时，输出缓冲器和刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打开，输入数据Dn=0送到存储元位线上；行选线为高，打开MOS管，于是电容上的电荷通过MOS管和位线放电，表示存储了0。

从存储元读出时，输入缓冲器和刷新缓冲器关闭，输出缓冲器/读放打开(R/W为高)。行选线为高，打开MOS管，若当前存储的信息为1，则电容上所存储的1送到位线上，通过输出缓冲器/读出放大器发送到Dour，即Dour=1。

读出过程破坏了电容上存储的信息，所以要把信息重新写入，即刷新。读出的过程中可以完成刷新。读出1后，输入缓冲器关闭，刷新缓冲器打开，输出缓冲器/读放打开，读出的数据Dour=1又经刷新缓冲器送到位线上，再经MOS管写到电容上，存储元重写1。

注意，输入缓冲器与输出缓冲器总是互锁的。这是因为读操作和写操作是互斥的，不会同时发生。

与SRAM相比，DRAM的存储元所需元件更少，所以存储密度更高。但是DRAM的附属电路比较复杂，访问时需要额外的电路和操作支持。