DCDC电源（一）

#记录本人学习过程。如果有幸对你有帮助，倍感荣幸。本文会介绍DCDC基础知识。

一、背景介绍

现代电源工艺基本选择采用BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺。BCD能够在同以芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件。

DMOS是功率MOS；Bipolar是驱动，主要为三极管；CMOS主要是逻辑控制，运放、触发器、比较器（控制电路）。

二、基础知识

常见拓扑：

注：隔离与非隔离通过输入回路和输出回路之间有无直接的电气连接来区分。常见的为非隔离

（1）LDO(low Drop Output)

LDO MOS工作在可变电阻区，输入输出的压差由MOS承担，输出电压VOUT=VIN-VDS

通过调节MOSFET的电阻，让多余的压降挂在MOSFET上，达到稳定输出电压。通过一个反馈网络接到误差放大器，再靠这个控制MOSFET,达到稳压目的。所以适合压差相近的电路。

PSRR来衡量输入纹波对输出电压纹波影响。越大表明对纹波的抑制越好，噪声就越少。

(2)BUCK   降压

BUCK工作的电路状态

MOS管Q1导通，Q2关断，电感L储能

能量传递方向为：Vin→Q1→L→Co和负载→GND

MOS管Q1关断，Q2导通，电感L释能

能量传递方向为：VL+→Co和负载→GND→Q2→VL-

占空比D=Vout / Vin

（3）BOOST    升压

Boost实现短路保护：可以在输入端加MOS管作关断保护

BUCK-BOOST   升降压拓扑

MOSFET导通，电感两端电压等于输入电压，即给电感储能。此时二极管截至，输出由电容提供

MOSFET关断，电感储存的能量释放出来，提供给电容和负载

AC开，给电感储能       BD开，电感释放能量

改进后的四开关模型，能改变原模型上负下正的能量流通路径。实际中此类应用更多。

三、实际应用

衡量一个电源设计，可以通过功耗、调整率、成本、噪声/纹波、EMC等性能

1、高效解读规格书的应用信息

①内置MOSFET上管和下管导通阻抗：会影响发热，效率，DCDC的损耗。

②开关频率：上下管交替导通的频率

③效率曲线

DCDC的损耗主要分为两块，一个是导通损耗，受到电感和内阻影响；一个是开关损耗，受到频率影响

轻载时，开关损耗为主要损耗；重载时，导通损耗为主要损耗。下图可以看出，负载电流增大，开关损耗的占比变小，效率逐渐升高，达到一定程度后，因为导通损耗，导致效率开始下降。

④限流点：功率电感峰值电流的上限，起到过流保护的作用

OCP过流保护：Io增大→iLpeak增大：此时通过降频限流

SCP短路保护：OCP→FB下跌至UV Threshold：Hiccup（打嗝）/Latch off（锁死）

Hiccup（打嗝）：自动解除保护状态；Latch off（锁死）：不会自动解除保护状态

设计时电感的饱和电流建议≥Current Limit

限流点和占空比的关系

占空比越高，限流点越低是因为占空比＞50%产生次谐波震荡，需要通过斜坡补偿优化控制。

即当输入电压固定，输出电压越高时，限流点就越低

PCM(Peak Current Mode）Control     峰值电流控制

电压外环+电流内环双环控制，对负载变化和输入电压变化可以快速响应；传递函数本身具有较大的相位裕量，只需II型补偿网络补偿；逐周期的限流保护

控制逻辑：峰值电流控制为定频控制，开关频率为固定的。上管的开启时刻由CLK信号决定。将输出电压采集回来后，通过一个误差放大器，跟参考电压进行比较，比较得到的误差信号和上管采集到的电流信号去做比较。当电流逐步提高到一定的值，即Vc，这个时候就会把上管关断。如下图

⑤关断电流和静态电流

关断：芯片处于关断状态，即不使能测得的输入电流

静态：芯片的功率电路不工作，逻辑电路工作

⑥最大占空比

最大占空比决定了输入信号与输出信号之间的差值，越大则两者越接近。

自举电路

MOSFET开通需要VG - VS > VTH(MOS开启电压)，所以需要靠一个自举电路将电压提升。占空比即自举电路放电时间占总周期的比值。

增加电阻（一般小于50）来降低开关驱动速度，可以降低开关尖峰，优化EMI性能。

可以通过接入二极管提高最大占空比：利用输出电压来进行充能，减少下管开启的时间。

⑦EN开启阈值和EN迟滞电压

EN开启阈值：电压需要从0上升直到开启电路的值

EN迟滞电压：电压从阈值下降直到关闭电路的值

⑧软起动

软起动可以使输出电压更平稳的建立，同时防止瞬间的电压尖峰损毁元器件

通过内部电流源给ss的电容充能，ss的电压会慢慢爬升。启动阶段，固定的电压是不工作的，是软起动的电压在生效，可以认为ss的电压此时为基准电压，是缓慢爬升的，直到达到固定电压。

⑨温度

结温，工作结温

三、应用设计

芯片选型

首先应考虑输入电压范围，输出负载，效率，成本，开关频率是否满足应用，特殊的应用还需要考虑静态功耗，待机功耗等

以MP4420为例

一个完整的设计包含了：FB反馈网络，输入电容，输出电容，功率电感，BST自举电路，VCC电容，EN使能电路七个部分

①反馈电阻设定

该部分主要有两个作用，一是通过分压电阻来设定需要的输出电压；二是通过配置合适的参数，使系统稳定运行。

RT用来调节系统的增益，R1和R2的选择范围可以比较宽

一般选择一个R1,再根据需要的输出电压来计算R2，R2 = R1/(Vo / VFB - 1);但最简单的是采用规格书中推荐的参数

②输入电容

流过MOSFET的电流Isw是不连续，输入电容的作用是用来提供一个低阻抗的电流源来提供MOSFET电流

最好选用低ESR的陶瓷电容，通常才用22uf的陶瓷电容。

③输出电容

选择主要看两个方面，一是是否是较动态的负载，二是是否要求较小的输出电压纹波。

要保持较小的输出电压过冲和下降，电容应该有较小的ESR和ESL，较大的瞬态负载变化时需要较大容量的电容作为储能电容；控制回路的响应较快，开关频率较高或者负载变化不大的场合用瓷片电容即可

对于要求较小的输出电压纹波，选用较小ESR的电容；对于电解电容主要考虑ESR部分的纹波，对于陶瓷电容主要考虑电容纹波

④电感的选择

主要看两个参数，电感感量和电感电流、

电感感量：取决于电感电流纹波的选择，通常设计为额定输出电流30%

电感电流：电感电流的选择，通常为最大电感电流的130%

⑤BST自举

BST电容是自举电路的储能电容，用于上管的驱动；通常在10nf~1uf之间，常用100nf；BST电容失效，芯片会过热或无法工作。

BST电阻可以减少上管驱动的电流，使开关速度变慢；可以减少SW的尖峰；通常在0~50Ω之间；减缓开关速度可以减轻高频噪声，减少EMI。

⑥VCC电容和SS电容

VCC电容是芯片逻辑供电的滤波电容，因为逻辑供电的稳定很重要，所以把VCC电容放在芯片VCC和信号地AGND之间，保证滤波效果。

SS电容用于设置软起动的时间，防止启动时电压过冲，SS还可以用于时序的控制，通过设定不同的启动时间来实现

⑦EN设置

EN管脚需要高于开启阈值，芯片才会开始工作。可以采用上拉电阻和上下分压电阻来配置。

第一种只需要保证电流足够小，使EN不会过功率损坏就行

第二种通过配置电阻阻值，使EN在合理工作电压范围内