AO3400A N沟道30V5.7A贴片

AO3400A
规格信息：

系列：AO

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：5.7A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

 
1. 低导通电阻：AO3400A的典型导通电阻仅为0.027Ω（典型值），能够降低功耗并提高效率。
 
2. 高达30V的电压额定值：该MOSFET可承受高达30V的电压，适用于各种电源系统和电压转换应用。
 
3. 高达80A的电流额定值：AO3400A可处理高达80A的连续工作电流，适用于高电流负载应用。
 
4. 小型封装：AO3400A采用小型TO-252封装，尺寸仅为3引脚，非常适合在有限空间内使用。
 
5. 耐热性能好：该器件的结温额定值高达175℃，可在高温环境下稳定工作。
 
6. 快速开关性能：AO3400A的开关时间较短，有助于减小开关损耗，提高系统效率。
 
总之，AO3400A是一款高性能、低导通电阻、高电压和高电流额定值的MOSFET，广泛应用于电源管理、电压转换、电机驱动和其他电子设备中。

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