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AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是:持续漏极电流(ID)为5.8A,漏源电压(VDS)为30V,栅极阈值电压(VGS)为1.4V。
AO3400参数描述
型号:AO3400
封装:SOT-23
特性:高效mos管
电性参数:5.8A 30V
持续漏极电流(ID):5.8A
脉冲漏极电流(IDM):30A
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±12V
栅极阈值电压(VGS):1.4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
AO3400贴片封装系列。它的本体长度为1.7mm,加引脚长度为2.95mm,宽度为3.1mm,高度为1.3mm,脚间距为1.9mm。AO3400采用先进的沟槽工艺技术,用于超低导通电阻的高密度电池设计。
以上就是关于AO3400-ASEMI高效mos管AO3400的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。
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