STD cell中的沟道长度

沟道宽长比代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。

沟道是指场效应晶体管中源区和漏区之间的半导体层。是由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。

MOS管工作在非线性饱和区时

沟道宽长比越大，MOS管的 饱和电流(Idsat)就越大，性能就越好。

在数字后端的STD cell库上。当沟道长度L相同时，不同的沟道宽度会造成cell的不同高度，我们通常说的7 Track, 9 Track即是代表不同的沟道宽度，沟道宽度越大，速度也越快，功耗也越大。

当沟道宽度W相同时，不同的沟道长度L也会造成cell的速度不同，我们通常看到的cell名字里的C30，C35就是代表不同的沟道长度。L越小，速度也越快，功耗也大。