tsmc std cell 命名规则

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于 2019-01-25 17:57:20 首次发布
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可参考文档：

Standard Cell 介绍——Cell命名规则与特性

还有两份PDF文档：

TSMC18um的stdcell的dataBook-单片机文档类资源-CSDN下载

芯片命名规则_芯片命名规则-硬件开发文档类资源-CSDN下载

tsmc 7nm工艺下用做syncCell的stdCell介绍_cy413026的博客-CSDN博客

1. 命名规则

2. 特定功能前缀(CK)/特殊前缀

3. 存储功能前缀(reg/latch/scan)

4. 数据通路前缀

5. 附加功能命名(Clear/Set)

6. 输出命名

7. 组合逻辑前缀

cy413026
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专栏目录
TSMC 18um的std cell的dataBook
12-22
该文档给出了18um 工艺下的stdCell的电器特性和时序图
tsmc standard cell命名规则
m0_61544122的博客
08-30 970
CKMUX2代表二输入clock mux，D2代表驱动强度X2，6T代表row高为6track，16P96C代表gate length和poly pitch，LVT就是low voltage threshold。我正在「拾陆楼」和朋友们讨论有趣的话题，你⼀起来吧？
06 Std cell
最新发布
LEBRON599的博客
05-17 218
Standard cell，标准单元。是设计中最基本的逻辑单元，是基本门和简单逻辑电路。平时用到的buffer，inverter，register等都属于标准单元。Std cell的时序信息记录在“.lib”文件中，物理信息记录在“.lef”文件中。INVX12_F_CSC28SL是cell名字， U28是例化后的名字。下面是Std cell在软件中的样子，它们被放在Row上。
lib/db 标准单元分类（Standard Cells in ASIC Design）、Track定义
面朝大海
07-10 2328
Threshold Voltage越大，cell delay越大，leakage power越小。
TSMC标准单云库的命名规则
pc_tiger的博客
08-28 1477
1、tcbn16ffcllbwp20p90cpdlvtssgnp0p5vm40c_hm_ccs.db （1）tcb:tsmc 标准单元库； （2）n16ffcll：16 nm工艺节点； （3）bwp：这种标准元库为tapless库； （4）20：Gate Length； （5）p90：Poly Pitch； （6）cpd：用commonpolyoverodedge工艺； （7）lvt：Low V threshold； （8）ssgnp0p5vm40c：pvtcorner； （9）
tsmc 7nm工艺下用做syncCell的stdCell介绍
cy413026的博客
12-22 3645
实际在项目中syncCell一版直接上ULVT，既然是SDF，就是带Scan的DFF，SN(set negative)是低置位，RP(reset positive)是高复位.既没有SN也没有RP的就是无复位寄存器。低置位： 复位信号为0有效，复位值置位为1；对应的复位端pinName为SDN (set data negative)高复位：复位信号1有效，复位值为0；不考虑VT，PWR，和track，电压等差别，整个工艺库下只有这三种。无复位：没有复位和置位信号，上电Q输出不可知。
TSMC0.35um工艺库说明文件
06-04
该文档对TSMC0.35um工艺库进行了详细的说明
数字后端中计算block和std_cell面积脚本
weixin_51490219的博客
08-10 616
数字后端
数字后端各种Cell相关概念汇总
kobayashiyou的博客
02-21 1万+
数字后端各种Cell相关概念汇总数字电路器件反相器逻辑门触发器锁存器半加器全加器半减器全减器数字后端常见Cell相关名词bufferrepeaterdelay cellendcap celltap celldecap celltie cellfiller cellspare cellclock gating cellICG cell 数字电路器件 反相器 反相器是最基础的MOS器件，英文是inverter，一般缩写为INV。 反相器对信号有驱动作用，但是会使信号反相。 反相器由NMOS和PMOS组成，栅端（
台湾积体电路制造公司（简称为台积电（TSMC））的28nm LP、HPM、HPC、HPC+四种不同处理器工艺版本的区别？
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后仿速记
SubwaySparkle
11-27 2580
最近又跟别人一起debug后仿的幺蛾子，简单梳理一遍，供日后索引。 我们跑功能后仿的目的主要有以下几种： 1. 验证网表功能的正确性。 2. 验证STA收敛后网表的时序正确性。 3. 功耗分析； 4. IRDROP分析； 我们最早可以在芯片综合出第一版网表、formal verification pass之后，就开始第一轮后仿的调试。 这时的后仿使用DC之后ICC之前的网表，不...
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08-16
工艺库有tsmc013工艺pdk、tsmc18rf工艺pdk，tsmc025工艺pdk
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05-11
TSMC90工艺的PDK为设计者提供了在90纳米工艺下进行设计的指导和规范，确保设计能够成功地在TSMC的生产线上实现。 4. 设计流程 使用TSMC90工艺的PDK进行设计通常包括以下步骤： - 设计输入：使用硬件描述语言（如...
tsmc.13工艺 standardcell库pdk
02-02
在这一工艺中，标准单元库（Standard Cell Library）和过程设计套件（Process Design Kit，简称PDK）是设计者实现高效、可靠的集成电路设计的关键工具。 **1. 标准单元库** 标准单元库是集成电路设计的基础，它...
tsmc90工艺standardcell库pdk
02-02
**TSMC 90纳米工艺Standard Cell库PDK详解** 在集成电路设计中，工艺技术是决定芯片性能、功耗和尺寸的关键因素。台积电（TSMC）作为全球领先的晶圆代工厂，提供了一系列先进的工艺节点技术。本文将深入探讨TSMC 90...
tsmc18rf(工艺库)
10-15
工艺库是集成电路设计的基础，它包含了特定工艺下的器件模型、版图库和设计规则。对于18nm RF工艺库，设计师可以利用这些预定义的单元来构建射频电路，如混频器、放大器、滤波器等，大大减少了设计时间和成本。此外...
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qq_42922513的博客
07-10 4987
介绍数字IC设计中逻辑综合使用的技术库和相关概念
如何获取standard cell各端口的作用
m0_61544122的博客
10-11 145
翻阅std cell的data book即可，以MUX为例，data book会告诉你这个cell的功能是几选一的多路选择器，输入pin哪些是data input哪些是select input，哪个又是输出pin，还会附带一个真值表和门级电路图。我正在「拾陆楼」和朋友们讨论有趣的话题，你⼀起来吧？
后端设计中的特殊cell大盘点
nuoweishizi的博客
01-06 1万+
后端设计中的特殊cell大盘点 后端设计中有几种常见的特殊cell类型，它们基本上都是physical only cell，但是各自的特点却又不同，而且不同的工具设置和插入他们的方式也不尽相同。‍ Well Tap Cells 我们在学习CMOS电路的时候都知道闩锁效应（latch-up），这种效应可以在短时间内烧毁CMOS器件。 为了阻止这种现象的发生，后端设计通常会在std cell存在的区域加入well tap cell。一般来说工艺规则会要求在well tap cell的密度不低于某一特定数值，而后
tsmc cell命名规则
10-18
TSMC的cell命名规则是根据其功能和特性来命名的。一般来说，TSMC的cell命名由以下几部分组成： 1. 功能前缀：表示该cell的功能，比如AND、OR、MUX等。 2. 特性中缀：表示该cell的特性，比如是否带有使能端、是否带有置位端等。 3. 面积后缀：表示该cell的面积大小，比如S表示小面积、M表示中面积、L表示大面积等。 例如，一个带有使能端的AND门，其命名可能为AND_EN_M。

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