【模拟】MOS饱和区和线性区，vDSAT

只是有点小怂

于 2024-12-13 23:46:03 发布

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分类专栏： analog 文章标签：模拟

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Jaeger 4th Chapter 4 Field-Effect Transistors P156
这张图很重要，理解这张图基本弄懂给定VGS如何确定线性区和饱和区
在这里插入图片描述

饱和区（pinch-off 区域）中的数学模型

现在让我们找到在漏极被“pinch-off”（夹断）条件下，MOSFET漏极电流的表达式。此时，漏-源电压达到刚好使通道在漏端被夹断的值，该电压为：

$v_{DS} = v_{GS} - V_{TN}$

将此值代入公式 (4.13)，可得出 n 通道 MOSFET 在饱和区的电流表达式：

$i_D = \frac{K_n'}{2} \frac{W}{L} (v_{GS} - V_{TN})^2 \quad \text{for } v_{DS} \geq (v_{GS} - V_{TN}) \geq 0$

这是经典的二次平方定律表达式，描述了 n 型 MOSFET 在饱和区（夹断状态）下的漏-源电流。电流取决于 $v_{GS} - V_{TN}$ 的平方，但与漏-源电压 $v_{DS}$ 无关。公式 (4.17) 在本文余下部分将被频繁使用，请记住它！

当晶体管饱和时，其漏-源电压的值被定义为：

$v_{DSAT} = v_{GS} - V_{TN}$

并且 $v_{DSAT}$ 被称为 饱和电压 或 夹断电压（pinch-off voltage）。MOSFET 的公式 (4.17) 的物理意义可以类似于公式 (4.14) 来理解：

$i_D = \left( C_{\text{ox}}'' W \frac{v_{GS} - V_{TN}}{2} \right) \left( \mu_n \frac{v_{GS} - V_{TN}}{L} \right)$

具体例子

一个 NMOS 晶体管的输出特性示例（ $V_{TN} = 1 \, \text{V}$ ， $K_n = 25 \, \mu A/V^2$ ），如图 4.8 所示，其夹断点的轨迹由 $v_{DS} = v_{DSAT}$ 确定。在夹断轨迹的左侧，晶体管工作在三极区；在夹断轨迹的右侧，晶体管工作在饱和区。对于 $v_{GS} \leq V_{TN} = 1 \, \text{V}$ ，晶体管处于截止状态，漏极电流为零。

随着栅极电压 $v_{GS}$ 的增加，曲线会因公式 (4.17) 的平方关系扩展开来。

图 4.10 给出了栅源电压 $v_{GS} = 3 \, \text{V}$ 时，三极区和饱和区方程的个别输出特性。三极区的表达式（公式 4.13）由图 4.10 中的倒置抛物线表示。需要注意，对于 $v_{DS} > v_{GS} - V_{TN} = 2 \, \text{V}$ 的情况，该方程不再表示有效模型。