2023年_半导体工艺课程设计

一、实验目的

        通过实验掌握制备微电子器件所需要的主要单项工艺和工艺流程。

二、实验原理

1、工艺流程间清洗虚拟实验

        硅片清洗是使用硅片清洗液除去硅片便面玷污物的操作。硅片清洗液主要有两种，I号液和II号液。

名称	配方	使用条件	作用
Ⅰ号洗液	NH4OH:H2O2:H2O =1:1:5→1:2:7	80±5℃ 10min	去油脂、去光刻胶残膜 去金属离子、去金属原子
Ⅱ号洗液	HCl:H2O2:H2O =1:1:6→1:2:8	80±5℃ 10min	去金属离子、去金属原子

        在半导体工艺流程中，各项工序都会在硅片表面造成污染，或产生反应物的残留。为了防止对器件性能以及后续工艺的生产设备造成不良影响，必须在前道和后道工艺流程间对硅片进行清洗。主要去除前道工艺产生的颗粒、金属离子等污染。

        备注：一般设置清洗液温度80~85℃，清洗时长10min。

2、局部场氧化实验

        局部场氧化采用局部氧化技术（LOCOS）技术，是通过选择氧化工艺形成场隔离区的一种重要方法。由热氧化机理可知，氧化剂在氮化硅中的扩散系数远小于其在二氧化硅中的值，因此使用氮化硅作为掩蔽层，实现氮化硅区域外的选择性氧化。

        由于此种选择方式会使得氮化硅边界受到湿氧氧化的影响，从而形成如下图所示的“鸟嘴”效应，限制了隔离区宽度的进一步减小。

3、磷预扩散实验

       半导体扩散工艺一般为两步扩散，即预扩散（恒定表面源扩散）---再扩散（限定表面源扩散）。预扩散常用磷源为三氯氧磷，在600℃以上分解生成五氧化二磷。

4POCl3+3O2→2P2O5+6Cl2

        五氧化二磷与硅发生还原反应，扩散进入硅衬底。

2P2O5+5Si→4P+5SiO2

        扩散时，由于分解产生的氯气具有腐蚀性，所以需要再扩散反应前后使用氧气吹扫。

4、磷再扩散实验

        半导体扩散工艺一般为两步扩散，即预扩散（恒定表面源扩散）---再扩散（限定表面源扩散）。在预扩散高浓度浅结的基础上进行较长时间的再扩散，改变杂质分布、推进结深，形成器件结构中常见的低浓度浅结。

        通常在再扩散工艺过程中同时进行热氧化反应。而不同材料再扩散工艺的区别仅为时间、温度条件的不同。

5、硅各向同性刻蚀实验

        刻蚀剂主要是硝酸和氢氟酸的混合液，用于腐蚀单晶或多晶。反应最初由强氧化性的HNO3在硅表面氧化一层SiO2，然后与HF反应生成可溶性络合物从而被除去。由于硝酸挥发性过强，所以常需要加入少量冰醋酸作为缓冲剂。

        反应方程式如下：

3Si+4HNO3→3SiO2+2H2O+4NO

SiO2+6HF→SiF6+2H2O+H2

       刻蚀过程中，表面厚度较大且致密的氮化硅层覆盖的Si将受到保护被保留；刻蚀区域的Si暴露在刻蚀液中将被腐蚀，

6、硅各向异性刻蚀实验

        在部分刻蚀剂溶液中，由于晶面原子密度不同，刻蚀速率各有不同。三种常见晶面原子密度关系为（111）＞（110）＞（100）。其中（100）晶面约为(111)晶面刻蚀速率的100倍。当单晶硅暴露于刻蚀剂中，刻蚀快的晶面随着刻蚀进程逐渐消失，而刻蚀速度慢的晶面则保留，构成最后结构的组成部分。

        多种碱性溶液都可以胜任硅各向异性刻蚀的工作。常用试剂如、EDP（乙二胺+对苯二酚+水）、TMAH（四甲基氢氧化铵）、联胺、氢氧化钠、氢氧化锂、氨水等。其中KOH溶液最为常用。

        发生的反应反应方程为：

Si + 2KOH + H2O= K2SiO3 + 2H2

        刻蚀过程中，表面由厚度较大且致密的Si3N4层覆盖的Si将受到保护被保留；刻蚀区域的Si暴露在刻蚀液中将被腐蚀。

刻蚀结果示意图

7、氮化硅刻蚀实验

        氮化硅(Si3N4)是局部场氧化重要的屏蔽层，也是半导体器件完成制备流程后的保护层。可以使用加热的磷酸（H3PO4）溶液刻蚀。发生的反应反应方程为：

6H2O+Si3N4H3PO43SiO2+4NH3

2H2O+SiO2H3PO4Si(OH)4

        在Si3N4刻蚀反应中，参与反应的主要物质是水，而H3PO4只是作为催化剂。但在150~180℃高温下，水会迅速消耗，反应速率将随时间的增加而降低。因此，实际工作时需要在腐蚀液中及时补水。

        刻蚀过程中，由于Si3N4: SiO2的选择比通常较高，表面覆盖有SiO2的Si3N4薄膜将受到保护被保留；刻蚀区域的Si3N4暴露在刻蚀液中将被腐蚀。

8、铝刻蚀实验

        铝是主要的金属导线材料。在完成铝镀膜工艺后，一般是在镀好的铝膜上进行刻蚀，形成电路。刻蚀剂为磷酸（H3PO4）、硝酸（HNO3）、醋酸(CH3COOH)以及水的混合溶液。刻蚀受温度，溶液组分，Al膜纯度等影响。

        发生的反应反应方程为：

2Al+2H3PO4→2Al(H2PO4)+H2

        由于反应会生成H2，H2附在Al表面时会阻碍反应的发生，因此在腐蚀时要加入鼓泡。同时由于H2及其它问题，如溅射时的沾污及自然氧化层的影响，一般会加过腐蚀量以确保能完全腐蚀干净。刻蚀过程中，表面覆盖有光刻胶的Al膜将受到保护被保留；刻蚀区域的Al暴露在刻蚀液中将被腐蚀。

三、实验步骤

1、工艺流程间清洗虚拟实验

(1) 配置I号溶液（比例）

(2) 溶液倒入清洗槽，并放入恒温水浴锅中，设置加热温度85℃，恒温加热

(3) 拿取硅片花篮，放入清洗槽中，打开水浴锅，设定清洗时间13min，开始清洗

(4) 清洗结束后，将花篮放入溢流槽中，去离子水冲洗10min，完成I号液清洗硅片流程

(5) 配置II号溶液（步骤，配比与I号液一样，不做展示）

(6) 溶液倒入清洗槽，并放入恒温水浴锅中，设置加热温度85℃，恒温加热

(7) 拿取硅片花篮，放入清洗槽中，打开水浴锅，设定清洗时间13min，开始清洗

(8) 清洗结束后，将花篮放入溢流槽中，去离子水冲洗10min，完成II号液清洗硅片流程

(9) 硅片清洗完成。

2、局部场氧化实验

进入实验平台“局部场氧化”，选择“局部场氧化实验”

(1) 安装洗气瓶，产生湿氧气（长进短出）

 

(2) 打开电源开关、启动加热，使反应室温度升高至800℃；

(3) 设置实验运行程序；

第1步：为升温过程，使反应室温度从800℃升高到1200℃，升温速率为13.3℃/min；

第2步：为恒温过程，在1200℃，干氧流量3L/min的条件下，进行干氧氧化，生成较为致密的氧化膜。

第3步：为恒温过程，在1200℃，干氧流量1L/min，湿氧流量3L/min的条件下，进行干氧氧化，生成较为疏松的氧化膜。

第4步：为恒温过程，在1200℃，干氧流量3L/min的条件下，进行干氧氧化，生成较为

致密的氧化膜。

第5步：为降温过程，使反应室温度从1200℃降低到800℃，降温速率为13.3℃/min；

(4) 夹取硅片，放入石英舟中，将石英舟送入氧化炉中。

 

(5) 盖好石英管帽、关闭炉门；然后，运行程序。

 

(6) 取出石英舟，查看硅片氧化层厚度和工艺曲线。

3、磷预扩散实验

进入实验平台“扩散工艺模块”，选择“磷预扩散实验”

（1）打开电源开关、启动加热，使反应室温度升高至800℃；

（2）设置实验运行程序；

第1步：为升温过程，使反应室温度从800℃升高到1000℃，升温速率为10℃/min

第2步：为恒温过程，因为三氯氧磷分解会产生氯气，对衬底具有腐蚀性，所以需要使用氧气不断吹扫。

第3步：为扩散过程，五氧化二磷与Si发生置换反应，使得杂质磷向衬底内部扩散。

第4步：为恒温过程，因为三氯氧磷分解会产生氯气，对衬底具有腐蚀性，所以需要使用氧气不断吹扫。

第5步：为降温过程，使反应室温度从1200℃降低到800℃，降温速率为13.3℃/min；

（3）选择P型硅衬底，电阻率5Ωcm;

 

（4）将硅片装在石英舟中送入扩散炉后，盖好石英管帽、关闭炉门；然后，运行程序。

 

（5）得到实验结果

  

4、磷再扩散实验

进入实验平台“扩散工艺模块”，选择“磷再扩散实验”

（1）打开电源开关、启动加热，使反应室温度升高至800℃；

（2）设置实验运行程序；

第1步：为升温过程，使反应室温度从800℃升高到1000℃，升温速率为10℃/min

第2步：为恒温过程，在1200℃，干氧流量3L/min的条件下，进行干氧氧化，生成较为致密的氧化膜。（一般再扩散和氧化同时进行）

第3步：为扩散过程，扩散源在预扩散时就已经扩散进去了，这里继续扩散加大结深。

第4步：为恒温过程，在1200℃，干氧流量3L/min的条件下，进行干氧氧化，生成较为致密的氧化膜。

第5步：为降温过程，使反应室温度从1200℃降低到800℃，降温速率为10℃/min；

（3）选择NPN结构实验片，电阻率5Ωcm;

 

（4）将硅片装在石英舟中送入扩散炉后，盖好石英管帽、关闭炉门；然后，运行程序。

 

（5）得到实验结果

  

5、硅各向同性刻蚀实验

进入实验平台“湿法刻蚀工艺模块”，选择“硅各向同性刻蚀实验”

（1）配置“硅各向同性刻蚀液”；

 

（2）将刻蚀液倒入腐蚀槽中，设定刻蚀温度，加热刻蚀液，将硅片花篮放入腐蚀槽；

 

（3）设定加热时间，加热完成后，放入溢流冲洗槽中冲洗

 

（4）得到实验结果，查看刻蚀厚度与刻蚀速率。

 

6、硅各向异性刻蚀实验

进入实验平台“湿法刻蚀工艺模块”，选择“硅各向异性刻蚀实验”

（1）配置“硅各向异性刻蚀液”；

 

（2）将腐蚀槽放入加热台中，设定刻蚀温度，加热刻蚀液，加热完成后将硅片花篮放入腐蚀槽；

 

（3）设定加热时间，加热完成后，放入溢流冲洗槽中冲洗

 

（4）得到实验结果，查看刻蚀情况。

7、氮化硅刻蚀实验

进入实验平台“湿法刻蚀工艺模块”，选择“氮化硅刻蚀实验”

（1）配置“氮化硅刻蚀液”；

  

（2）将腐蚀槽放入加热台中，设定刻蚀温度，加热刻蚀液，加热完成后将硅片花篮放入腐蚀槽；

 

（3）设定加热时间，加热完成后，放入溢流冲洗槽中冲洗

 

（4）得到实验结果，查看刻蚀情况。

 

8、铝刻蚀实验

进入实验平台“湿法刻蚀工艺模块”，选择“铝刻蚀实验”

（1）配置“铝刻蚀液”；

  

（2）将腐蚀槽放入加热台中，设定刻蚀温度，加热刻蚀液，加热完成后将硅片花篮放入腐蚀槽；

 

（3）设定加热时间，加热完成后，放入溢流冲洗槽中冲洗

 

（4）得到实验结果，查看刻蚀情况。

  

四、实验结果及分析

1、工艺流程间清洗虚拟实验

2、局部场氧化实验

（1）氧化时间对氧化膜厚度的影响：

        结论： 由图可见，随着氧化时间的增加，氧化膜逐渐增厚，呈现正相关性。

（2）氧化温度对氧化膜厚度的影响：

        结论： 当温度升高时，硅在SiO2中的扩散速率加快，与氧气的反应速率也加快，所以随着温度升高，氧化膜逐渐变厚，呈现正相关性。

（3）湿氧浓度对氧化膜厚度的影响：

        结论： 理论上，在第三步湿氧氧化工艺步骤中，湿氧浓度越大，湿氧氧化速率越快，湿氧氧化生成的氧化层变厚，呈现正相关性。但是，在此仿真平台上，随着湿氧浓度的减小，氧化层反而变厚，这可能是因为开发者的算法约束不当导致的。

        

3、磷预扩散实验

（1）扩散时间对结深的影响：

        结论：随着扩散时间的增加，扩散持续进行，使得扩散结深加大，呈现“正相关性”。

（2）扩散温度对结深的影响：

        结论：随着扩散温度的提升，扩散越剧烈，使得扩散结深加大，呈现“正相关性”。

（3）小氧浓度对结深的影响：

        结论：小氧中携带着反应需要的三氯氧磷，理论上，当浓度达到一定程度后，反应速率保持不变，称为饱和，此种实验现象有两种情况，一是已经达到饱和，二是软件并未对该参数进行约束。

（4）衬底电阻率对结深的影响：

        结论：理论上，衬底电阻率越大，缺陷和电荷中心越少，扩散也就越困难，是一个负相关关系，但是实验结果却保持不变，这可能是因为仿真软件并未对此参量进行约束。

4、磷再扩散实验

（1）扩散时间对结深的影响：

        结论：随着扩散时间的增加，扩散持续进行，使得扩散结深加大，呈现“正相关性”。

（2）扩散温度对结深的影响：

        结论：理论上，随着扩散温度的提升，扩散越剧烈，使得扩散结深加大，呈现“正相关性”。但是实验结果几乎不变，可能原因是，仿真平台并未对此参数进行约束，导致不变。

（3）衬底电阻率对结深的影响：

        结论：衬底电阻率越大，缺陷和电荷中心越少，扩散也就越困难，是一个负相关关系。

5、硅各向同性刻蚀实验

（1）溶液配比对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论： 当溶液中HF酸占比高时，相同条件下刻蚀速率加快，刻蚀速率由HF酸主导。但是，如果HNO3的氧化速率达到极限，此时反应达到饱和， 随着氢氟酸浓度增加反应保持不变。

        当溶液中HNO3占比高时，相同条件下刻蚀速率加快，刻蚀速率由HNO3酸主导。但是，如果HF的刻蚀速率达到极限，此时反应达到饱和， 随着HNO3浓度增加反应保持不变。

        同等条件下，增加HF酸比增加HNO3浓度对刻蚀速率的影响更大。

（2）加热时间对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论：随着加热时间的增加，反应持续发生，刻蚀速率速率保持不变，刻蚀厚度变大。但实际上，随着反应的进行，刻蚀溶液的主要成分会逐渐被消耗掉，从而使得浓度下降，刻蚀速率也会减弱，刻蚀厚度逐渐增加。

（3）温度对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论：理论上，随着加热温度的提升，反应越剧烈，使得刻蚀速率加快，刻蚀厚度加大。但是实验结果几乎不变，可能原因是，仿真平台并未对此参数进行约束，导致不变。

6、硅各向异性刻蚀实验

        硅的各向异性刻蚀是指在硅晶体中，沿着不同晶向的刻蚀速率不同的现象。三种常见晶面原子密度关系为（111）＞（110）＞（100）。一般来说，温度的升高，硅表面的化学反应速率会加快，从而导致各向异性刻蚀速率也会增加

        此外，硅的各向异性刻蚀速率还与溶液中的化学成分有关。多种碱性溶液都可以胜任硅各向异性刻蚀的工作。常用试剂如、EDP（乙二胺+对苯二酚+水）、TMAH（四甲基氢氧化铵）、联胺、氢氧化钠、氢氧化锂、氨水等。其中KOH溶液最为常用。

        如果溶液中含有氢氟酸和过氧化氢的成分，氢氟酸可以与硅表面发生化学反应，形成氟化硅，从而加速刻蚀速率；过氧化氢可以提供氧气，促进硅的氧化反应，进一步加速刻蚀速率。

7、氮化硅刻蚀实验

（1）磷酸溶液配比对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论： 由实验结果可知，当磷酸浓度逐渐升高时，刻蚀速率反而下降，这可能是因为磷酸与碱性的氢氧化硅反应生成磷酸硅，然而磷酸硅为固态，一般应用为固化剂。所以固态的磷酸硅附着在硅片表面迫使其必须扩散到Si表面发生反应，从而使得氧化速率下降。

（2）加热时间对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论： 当加热时间改变时，刻蚀速率保持不变。刻蚀厚度逐渐增大。但实际上，随着反应的进行，刻蚀溶液的主要成分会逐渐被消耗掉，从而使得浓度下降，刻蚀速率也会减弱，刻蚀厚度逐渐增加。

（3）温度对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论： 当温度升高时，反应更加剧烈，反应速率加快，使得刻蚀厚度增大。

8、铝刻蚀实验

（1）溶液配比对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论：由实验结果可知，当醋酸浓度逐渐升高时，刻蚀速率反而下降，这是因为醋酸作为硝酸的缓冲剂，当醋酸浓度升高时，单位面积上与光刻胶发生反应的硝酸浓度降低，从而使得反应速率降低，相同时间下，刻蚀厚度降低。

（2）加热时间对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：

        结论：当加热时间改变时，刻蚀速率保持不变。刻蚀厚度逐渐增大。但实际上，随着反应的进行，刻蚀溶液的主要成分会逐渐被消耗掉，从而使得浓度下降，刻蚀速率也会减弱，刻蚀厚度逐渐增加。

（3）温度对刻蚀速率和刻蚀厚度的影响：  

        结论：当温度升高时，反应的更加剧烈，使得单位时间单位面积上的反应速率加快，从而使刻蚀厚度增大。

五、思考题：

1、工艺流程间清洗虚拟实验

        本次实验目的：清洗硅片表面的脏污。实验操作步骤为：“配置清洗液à加热清洗液à设定清洗时间à去离子水溢洗”四个步骤。最终得到清洗完成的实验现象。实际上，由于Si是疏水的，可以硅片上是否有水膜判断是否洗净。

2、局部场氧化实验

        本次实验目的：在氮化硅掩蔽的硅片表面生长氧化层，使氧化厚度>0.5um。实验操作步骤为：“安装湿氧的洗气瓶à 将硅片放入氧化炉à设定实验程序（排气，干氧，湿氧，干氧，排气）à取出硅片à查看工艺参数”五个步骤。最终得到0.64um的局部氧化层。由于氧化厚度与湿氧浓度，氧化时间，温度等参数有关，本报告在第四部分_局部扩散做了详细分析。

3、磷预扩散实验

        本次实验目的：在三氯氧磷作为磷源，在二氧化硅未掩蔽的区域做预扩散，使结深在0.25um±0.05。实验操作步骤为：“将硅片放入扩散炉à设定实验程序（排气，吹扫，扩散，吹扫，排气）à取出硅片à查看工艺参数”四个步骤。最终得到0.22um结深的N区。由于结深与小氧流量（携带磷源），扩散时间，扩散温度，衬底电阻率等参数有关，本报告在第四部分_磷预扩散做了详细分析。

4、磷再扩散实验

        本次实验目的：在预扩散的基础上，继续做限定表面源扩散增大结深同时进行氧化，使结深在0.25um以上。实验操作步骤为：“将硅片放入扩散炉à设定实验程序（排气，干氧，再扩散（湿氧），干氧，排气）à取出硅片à查看工艺参数”四个步骤。最终得到0.64umN阱。由于结深与扩散时间，扩散温度，衬底电阻率等参数有关，本报告在第四部分_磷在扩散做了详细分析。

5、硅各向同性刻蚀实验

        本次实验目的：刻蚀掉未被氮化硅保护的Si,使得刻蚀厚度达到1050A±50A。实验操作步骤为：“配置刻蚀液à加热刻蚀液 à将硅片放入，设定刻蚀时间 à去离子水溢洗”四个步骤。最终使刻蚀厚度达到1047A。由于刻蚀厚度与溶液配比，刻蚀时间，刻蚀温度等参数有关，本报告在第四部分_硅各向同性刻蚀做了详细分析。

        [5]中文献指出在硅的各向同性湿法刻蚀过程中,一般选用HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作为刻蚀液,而氮化硅以其很好的耐刻蚀性而优先被选为顶层掩膜材料。在硅片上刻蚀不同的结构,通常需要选择不同的刻蚀液配比。而不同配比对于氮化硅掩膜的刻蚀速率也不一样。

6、硅各向异性刻蚀实验

        本次实验目的：验证硅原子晶面原子密度（晶向）不同，刻蚀速率，刻蚀形状不同。实验步骤为：“配置刻蚀液à加热刻蚀液 à将硅片放入，设定刻蚀时间 à去离子水溢洗”四个步骤。

7、氮化硅刻蚀实验

        本次实验目的：刻蚀掉未被二氧化硅保护的氮化硅（氮化硅用于划定局部氧化的掩蔽层）,使得刻蚀厚度达到1050A±50A。实验操作步骤为：“配置刻蚀液à加热刻蚀液à将硅片放入，设定刻蚀时间 à去离子水溢洗”四个步骤。最终使刻蚀厚度达到。由于刻蚀厚度与溶液配比，刻蚀时间，刻蚀温度等参数有关，本报告在第四部分_氮化硅刻蚀做了详细分析。

        [4]中文献指出反应气体为NH3∶Si H4=40∶10时,制备出的氮化硅薄膜的厚度均匀,薄膜颜色一致;氮化硅薄膜的最佳刻蚀时间为3min,此时氮化硅薄膜的表面较平整,粗糙度较小,氮化硅薄膜与Si基底表面的分界线明显。

8、铝刻蚀实验

        本次实验目的：刻蚀掉未被光刻胶保护的AI（电极材料）,使得刻蚀厚度达到1.5um。实验操作步骤为：“配置刻蚀液à加热刻蚀液 à将硅片放入，设定刻蚀时间 à去离子水溢洗”四个步骤。最终使刻蚀厚度达到1.508um。由于刻蚀厚度与溶液配比，刻蚀时间，刻蚀温度等参数有关，本报告在第四部分_铝刻蚀做了详细分析。

         [1]中文献指出酸补给关闭,硝酸、醋酸逐渐消耗,刻蚀能力降低;当单酸（硝酸或醋酸）补给开启,硝酸和醋酸浓度稳定,磷酸浓度逐渐下降,刻蚀能力也降低,这是因为补给的硝酸、醋酸含有水,水稀释磷酸造成其浓度下降。

        [2]中文献指出采用正交实验和电化学测试方法等手段,以腐蚀速率作为判断标准,初步确定了单金属铝腐蚀时,磷酸、硝酸、乙酸的最优浓度比例为磷酸(65.28%)、硝酸(4.46%)、乙酸(4.0%)。

六、参考文献：

[1]刘丹,刘毅,陈启超等.铝刻蚀液磷酸浓度变化及TRIZ解决方案[J].创新创业理论研究与实践,2021,4(22):4-11+15.

[2]吴国庆. TFT-LCD湿刻工艺中Mo/Al薄膜刻蚀液的配方及其优化[D].浙江工业大学,2020.DOI:10.27463/d.cnki.gzgyu.2019.000270.

[3]蒋玉贺.芯片制造中的厚铝刻蚀工艺[J].微处理机,2016,37(03):23-24+27.

[4]范亚娟.氮化硅薄膜刻蚀研究[J].耐火与石灰,2018,43(05):21-22+35.DOI:10.16425/j.cnki.1673-7792.2018.05.007.

[5] 刘亚东,张卫平,唐健等.用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜[J].半导体光电,2016,37(04):495-498.DOI:10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.009.