场效应管放大电路

Rorsion

于 2024-06-05 12:40:50 发布

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分类专栏：放大电路总文章标签：单片机嵌入式硬件

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三极管是一种电流控制器件，当输入电流变化时，输出电流会随之变化。而场效应管是一种电压控制器件，当输入电压变化时，输出电压会随之变化。

一，结型场效应管及其放大电路

1，结型场效应管

场效应管由P型半导体和N型半导体组成，三极管有NPN和PNP型，场效应管有P沟道和N沟道两种。以N沟道为例如下图，内部有两块P型半导体，它们通过导线相连，P型半导体以外的部分为N型半导体，在P型半导体和N型半导体交界处形成两个耗尽层(即PN结)，耗尽层中间区域称为沟道，由于沟道由N型半导体构成所以叫做N沟道，漏极(D极)和源极(S极)在沟道两边。

如果给N型沟道的D极和S极之间加电压(漏极接正极)，如右图，电源正极输出的电流就会由场效应管D极流入，在内部通过沟道从S极流出，回到电源负极。场效应管流过的电流大小与沟道宽窄有关，沟道越宽能流过电流越大。PN结越宽，沟道越窄，PN结宽窄由G和S之间的电压控制。

如下图所示，在D,S极之间接上正向电压，会有电流从D流向S，如果再在G,S极之间加上反向电压，耗尽层（PN结）会变厚，电压越大越厚。所以改变G,S极之间的电压，就能改变从D极流向S极之间的电流，并且电流变化比电压大得多，这就是结型场效应管的放大原理。

但是当给场效应管的G,S极之间加正向电压时，耗尽层就会消失，这时沟道宽度不会变化，场效应管放大能力消失。

场效应管放大能力用跨导表示如下，它是表征场效应管放大能力的一个重要参数（相当于三极管的β），它的单位是西门子(S),也可用A/V表示。

2，结型场效应管放大电路

左图，场效应管VT的G极(栅极)通过R1接地，G极电压UG=0(G,S极之间所加电路没有电流，R1没有电流流过，所以电压就是接地的0V)，而VT的电流IDB不为0，，电流ID在流过电阻R2时，R2上有电压UR2，VT的S极(源极)，VT的S极电压不为0V，US=UR2，场效应管栅极源极电压UGS=UG-US为负电压，该电压满足场效应管工作需要。交流信号Ui经C1送到G极，G极电压会发生变化，场效应管内部沟道发生变化，ID大小就会发生变化，VT的D极电压就会有很大变化，该电压就是放大的交流信号电压，它通过C2送到负载。

右图，电源通过R1为场效应管VT的G极提供UG电压，此电压较VT的S极电压US低，这里电压US是电流ID流过R4时在R4上得到的电压，VT栅极源极电压为负电压，也能使场效应管正常工作。

二，增强型绝缘栅场效应管及其放大电路

1，增强型绝缘栅场效应管

增强型绝缘栅场效应管又称为增强型MOS管，，它分为N沟道MOS管和P沟道MOS管，如下图所示。增强型NMOS管以P型硅片为衬底（基片），在基片上制作两个含很多杂质的N型半导体材料，再在上面加一层二氧化硅绝缘层，两个N型半导体上引出两个铝电极（源极，漏极），在二氧化硅绝缘层上制作一层铝制导电层，从该电层引出电极栅极，P型半导体与源极S连接在一起

P型半导体与源极S相连的原因：将衬底与源极相连接，两者的电位就相同了，没有正向压降，两者间的PN结就不会导通，从而就不会有电流流过PN结。

增强型NMOS管需要加合适电压才能工作。E1连接S极和D极，E2连接S极和G极，开关S断开时，D,S极所连的两个N极之间没有导电沟道，此时不能通电电流为0A.当S闭合，由于G极为正电压，与G极连接的铝电极有正电荷，它产生的电场穿过二氧化硅层，将P型衬底的很多电子吸引靠近二氧化硅层，从而在两个N极出现导电沟道，此时的会有电流ID流入D极，再从N极流出。如果改变E2电压大小，沟道之间的电荷就会发生变化，电压越大，沟道越宽，电流越大，并且电流ID变化较电压变化大得多。与结型场效应管相同，增强型MOS管的放大能力也由跨导表示。