笔记 -- 电磁学基础1

2021-9-11 13:08:01
2021-9-13 08:29:45
　　1、库仑定律
　　　1）定义：真空中静止的两点电荷之间的作用力与其乘积成正比，与其距离的平方成反比，作用力方向沿着其连线（电荷间相互作用力满足牛顿第三定律）
　　　${\vec{F}}_{1,2}=k\frac{q_1{q}_2}{r^2}{\vec{r}}_{1,2},k=\frac{1}{4\pi {ϵ}_0},{ϵ}_0=8.854187818\times 10^{-12}{C}^2/N\cdot m^2$
　　　2）库伦：将导线中恒定1A电流在1s内通过其单位横截面的电量
　　2、电场
　　　1）场强定义：单位电荷在该处所受电场力大小，方向与电场力相同 $\vec{E}=\frac{\vec{F}}{q}$
　　　2）电场强度在空间中满足矢量叠加准则
　　　3）电力线密度：在电场中任意取垂直于该场强方向的面积微元$\Delta S$，假设通过面积微元的电力线有$\Delta N$，则其比值为电力线密度（$\frac{\Delta N}{\Delta S}$），且正比于场强
　　　4）电通量：该点场强于面积微元在垂直场强方向的投影面积的积 （$\Delta {\Phi }_E=E\Delta Scos\varphi ,\varphi 为\Delta S的发现矢量\vec{n}与场强\vec{E}之间的夹角$）
　　　${\Phi }_E=\iint {}_S\Delta {\Phi }_{E}dS$
　　　5）高斯定理：通过任意闭合曲面S的电通量等于该面所包围的所有电荷量的代数和$\sum q$除以${ϵ}_0$且无关于闭合曲面外电荷（$\iint Ecos\varphi dS=\frac{{\sum }_{inS}{q}_i}{{ϵ}_0}=\iint \vec{E}d\vec{S}$）
　　　6）环路定理：$\oint \vec{E}d\vec{l}=0$
　　　$\bullet$ $d\vec{S}=\vec{n}dS$，$d\vec{S}$面元矢量$\Rightarrow d{\Phi }_E=Ecos\theta dS=\vec{E}d\vec{S}$
　　　7）保守力场（位场）：做功与路径无关（位能）
　　　8）电位：$U_{PQ}=\frac{W_{PQ}}{q}={\int }_P^Q\vec{E}d\vec{l}$
　　　9）静电能：$W_e=\frac{1}{2}\iint {\rho }_{e}UdV,{\rho }_e为电荷体密度$
　　3、电容
　　　1）电容：使导体每升高单位电位所需电量（$C=\frac{q}{U}$）
　　　2）同轴柱形电容器：由A、B两个同轴柱形导体构成，长度$L\ge R_B-R_A$，
　　　场强：$E=\frac{\lambda }{2\pi {ϵ}_{0}r}\Rightarrow U_{AB}={\int }_A^B\vec{E}d\vec{l}=\frac{\lambda }{2\pi {ϵ}_0}ln\frac{R_B}{R_A},总电荷:q=\lambda L\Rightarrow C=\frac{q}{U_{AB}}$
　　　3）并联：$C=C_1+C_2+...+C_n$
　　　　串联：$\frac{1}{C}=\frac{1}{C_1}+\frac{1}{C_2}+...+\frac{1}{C_n}$
　　　　4）电容储能：$W_e={\int }_0^Q\frac{q}{C}dq=\frac{Q^2}{2C}\Rightarrow \frac{C{U}^2}{2}$
　　　4、电介质：不导电的绝缘介质（增加容值）
　　　　极化强度：$\vec{P}$，极化电荷$-q^{\prime }$（极化面密度：${\sigma }_e^{\prime }$）：$\iint \vec{P}d\vec{S}=-q^{\prime },\vec{P}={\chi }_e{ϵ}_0\vec{E}$
　　　5、电流
　　　　1）$dI=jdScos\theta ,电流密度:j=\frac{\Delta q_{\Delta S}}{\Delta t_{\Delta S}}$
　　　　2）电流连续方程：$\iint \vec{j}d\vec{S}=-\frac{dq}{dt}$
　　　　3）稳恒电流：$\iint \mathbf{j}d\mathbf{S}=0$（流入S面的电量与流出的电量相等 $\Rightarrow 电路必须闭合$）
　　　　4）电阻：$R=\rho \frac{l}{S},\rho =\frac{1}{\sigma }$
　　　　5）欧姆定律微分形式：$\mathbf{j}=\sigma \mathbf{E},\Delta I=j\Delta S,R=\frac{\Delta l}{\sigma \Delta S},\Delta U=E\Delta l$
　　　　6）焦耳定律微分形式：$p=\frac{j^2}{\sigma },p:$热功率密度
　　　　7）电动势：非静电力将单位正电荷从负极通过电源内部移动到正极所做的功（$e={\int }_{-}^{+}\mathbf{K}d\mathbf{l},K=\sigma (T)\frac{dT}{dl}$）
　　　4、磁场
　　　　1）安培定律：$d{\mathbf{F}}_2=I_{2}d{\mathbf{I}}_2\times d\mathbf{B}=I_{2}d{\mathbf{I}}_2\times \frac{{\mu }_0}{4\pi }{\oint }_{L_1}\frac{I_{1}d{\mathbf{I}}_1\times \widehat{{\mathbf{r}}_{12}}}{r_{12}^2},\mathbf{B}$为磁感应强度
　　　　2）毕奥-萨伐尔定律：载流导体周围产生的磁场（通电直导线：$d\mathbf{B}=\frac{{\mu }_0}{4\pi }\frac{Id\mathbf{I}\times \hat{\mathbf{r}}}{r^2},\hat{\mathbf{r}}$为元电流至空间点的距离,$r$为至导线垂直距离；
　　　　通电螺线管：$d\mathbf{B}=\frac{{\mu }_0\times 2\pi R^{2}I}{4\pi [R^2+(x-l{)}^2{]}^{\frac{3}{2}}}ndl,$长度$dl$内共有$ndl$匝）
　　　　3）高斯定理：${\Phi }_B=\iint Bcos\theta dS=\iint \mathbf{B}d\mathbf{S}=0$
　　　　4）安培环路定理：磁感应强度沿任意闭合环路$L$的线积分与穿过该环路所有电流强度的代数和的${\mu }_0$倍
　　　　$\oint \mathbf{B}d\mathbf{I}={\mu }_o{\sum }_{inL}I$
　　　5、电与磁
　　　　1）电磁感应定律：导体回路中的感应电动势与穿过回路的磁通量的变化率成正比（$e\propto -\frac{d\Phi }{dt}$）
　　　　2）楞次定律：闭合回路中感应电流的方向总是使其所激发的磁场阻止引起感应电流磁通量的变化
　　　　3）涡流：电路中的大块金属在通电过程中产生的感应电流（金属块电阻较小，涡流强度较大$\to$变压器中的铁芯产生涡流损耗）
　　　　$\bullet$变压器在制作过程中为降低涡流损耗，通常选用阻值较大的硅钢，并将其制成片状叠加且相互之间绝缘的形式，以减小涡流
　　　　4）趋肤效应：交流电路中，随着电路频率的增加，导线中的电流分布逐渐向表面集中（导线有效面积减少，等效电阻增加$\to$高频时，使用瓣线降低影响（相互绝缘的细导线编制，且高频时导线表面应镀银以降低其电阻））
　　　　$\bullet$本质为衰减电磁波向导体内传播引起
　　　　$\diamond$趋肤深度：$d_s=\sqrt{\frac{2}{\omega \mu {\mu }_0\sigma }}=\frac{503}{\sqrt{f\mu \sigma }},\sigma$电导率，$\mu$磁导率
　　　　$\diamond$$j=j_0{e}^{\frac{-d}{d_s}},j$电流密度（表示电流密度$j$下降到$j_0$的$\frac{1}{e}$时的深度）
　　　　$\bullet$由于变压器中的铁芯$\mu$很大，导致其存在明显的趋肤效应，从而涡流损耗需要考虑趋肤效应的影响
　　　　5）互感&自感
　　　　（1）互感：相邻线圈在彼此线圈中产生的感应电动势${\Psi }_{12}=M_{12}{I}_1,M_{12}$为比例（互感）系数$\Rightarrow e_2=-\frac{d{\Psi }_{12}}{dt}$
　　　　（2）自感：线圈中电流变化在线圈自身引起的感应现象（$\Psi =kI,k$仅相关于线圈特征及匝数）
　　　$\bullet$LR电路时间常数：$\tau =\frac{L}{R}$
　　　$\bullet$RC电路时间常数：$\tau =RC$
　　　$\bullet$LCR电路阻尼度：$\lambda =\frac{R}{2}\sqrt{\frac{C}{L}}$
　　　　$▹\lambda >1$：过阻尼
　　　　$▹\lambda =1$：临界阻尼
　　　　$▹\lambda <1$：阻尼振荡
　　　　$\bullet$当电路$R=0$时$\lambda =0$，电路自由振荡，频率：$f=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$
　　　　$\bullet$当电路$R$不太大时$\lambda <1$，每当电流经过电阻便消耗一部分能量，振荡幅度逐渐衰减$f=\frac{1}{2\pi }\sqrt{\frac{1}{LC}-\frac{R^2}{4L^2}}$
　　　　$\bullet$当电路电阻过大时$\lambda >1$，放电过程缓慢，出现过阻尼
　　　6、磁介质
　　　　1）磁化场：线圈中通入电流后，由外加电流产生并正比于外加电流的磁场，并且该电流为$励磁电流$
　　　　2）分子电流假说：在磁化场磁矩作用下，分子环流的磁矩沿场方向排列，宏观角度上，截面内所有分子环流的总体与截面边缘的大环流电流（磁化电流）等效
　　　　$\bullet$磁化强度：$\mathbf{M}=\frac{\sum \mathbf{m}}{\Delta V},\sum m$表示该体积元内所有分子磁矩矢量和
　　　　$\bullet$磁介质中磁感应强度：$\mathbf{B}={\mathbf{B}}_0+{\mathbf{B}}^{\prime },{\mathbf{B}}^{\prime }$为附加磁感应强度
　　　　（${\mathbf{B}}^{\prime }=\frac{{\mu }_0\mathbf{M}\times l}{\sqrt{(}1+(\frac{l}{d}{)}^2)\times d};li{m}_{l\to \infty }{\mathbf{B}}^{\prime }={\mu }_0\mathbf{M};{\lim }_{d\to 0}{\mathbf{B}}^{\prime }=0$）
　　　　3）磁场强度：$\mathbf{H}=\frac{\mathbf{B}}{{\mu }_0}-\mathbf{M}$
　　　　${\oint }_{inL}\mathbf{H}d\mathbf{I}={\sum }_{inL}{I}_0,I_0$表示穿过$L$环路的传导电流
　　　　4）边界条件：（1）磁感应强度$\mathbf{B}$法线分量的连续性；（2）磁场强度$\mathbf{H}$切线分量的连续性
　　　　$\diamond$界面两侧磁感应线与法线夹角的正切比等于两侧的磁导率之比（铁芯磁导率${\mu }_1$越大，${\theta }_1$越接近$90°$，磁感线近似于表面平行，从而漏磁通越少）
　　　　5）磁路定理：闭合磁路的磁动势等于各段磁路上磁位降落和（$e_m=\sum H_i{I}_i={\Phi }_B\sum R_{mi},e_m=N{I}_0,R_{m}i=\frac{I_i}{{\mu }_i{\mu }_0{S}_i},H_i{I}_i={\Phi }_B{R}_{mi}$，分别对应磁动势、磁阻、磁位降落）
　　　7、变压器
　　　　1）理想条件：无漏磁、绕组无损耗、铁芯无损耗、原副线圈感抗$\infty$
　　　　2）变比公式：${\tilde{\Psi }}_1=N_1\tilde{\Phi }={\tilde{\Psi }}_{11}+{\tilde{\Psi }}_{21}=L_1\widetilde{I_1}+M_{21}\widetilde{I_2},{\tilde{\Psi }}_2=N_2\tilde{\Phi },\Phi$为磁芯任意横截面磁通量，且为自感磁通与互感磁通之和
　　　　$\tilde{e}=-\frac{d{\tilde{\Psi }}_1}{dt}=-j\omega {\tilde{\Psi }}_1$
　　　　$\bullet$阻抗匹配：电路负载与电源内阻相等，输出到负载功率最大
　　　　$\bullet$反射阻抗：$R^{\prime }=(\frac{N_2}{N_1}{)}^{2}R$反射到副边的阻抗
2021-9-14 07:43:32
　　　1、麦克斯韦方程
　　　　1）位移电流：$\frac{d{\Phi }_D}{dt},{\Phi }_D=\iint \mathbf{D}d\mathbf{S},D$为电位移矢量（电通量密度）：电场中通过某一有向面的电场线的条数
　　　　2）方程组
　　　　$\iint \mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}=q_0$
　　　　$\oint \mathbf{E}\cdot d\mathbf{I}=-\iint \frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}d\mathbf{S}$
　　　　$\iint \mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=0$
　　　　$\oint \mathbf{H}\cdot d\mathbf{I}=I_0+\iint \frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t}d\mathbf{S},I_0$为传导电流（$I_0=\iint \mathbf{j}d\mathbf{S}$）
　　　　3）全电流始终连续（$I=I_0+\frac{d{\Phi }_D}{dt}$）
　　　　4）宏观电磁场微分形式
　　　　$▽\cdot D={\rho }_e,{\rho }_e$为电荷体密度（高斯定理微分形式）
　　　　$▽\times \mathbf{E}=-\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}$
　　　　$▽\cdot \mathbf{B}=0$
　　　　$▽\times \mathbf{H}={\mathbf{j}}_0+\frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t},{\mathbf{j}}_0$为传导电流密度，$\frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t}$为位移电流密度
　　　　$\bullet \mathbf{D}=ϵ{ϵ}_0\mathbf{E}$
　　　　$\bullet \mathbf{B}=\mu {\mu }_0\mathbf{H}$
　　　　$\bullet {\mathbf{j}}_0=\sigma \mathbf{E}$
　　　　$ϵ\mu \sigma$为相对介电常数、相对磁导率、相对电导率
　　　　5）基本形式
　　　　$▽\cdot \mathbf{E}=\frac{{\rho }_e}{{ϵ}_0}$
　　　　$▽\times \mathbf{E}=-\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}$
　　　　$▽\cdot \mathbf{B}=0$
　　　　$▽\times \mathbf{B}={ϵ}_0{\mu }_0\frac{\partial \mathbf{E}}{\partial t}+{\mu }_0{\mathbf{I}}_0$
　　　2、电磁波
　　　　1）产生及传递条件
　　　　（1）振荡电路产生，由于$R$不断消耗导致振荡逐渐衰减，需要电路提供稳定能量
　　　　（2）传输条件：高频（电磁波辐射能量与其固有频率四次方成正比）、电路须开放（储能元件储存电磁能，须开放电路将相关能量释放至空间）
　　　　2）性质
　　　　（1）横波特性
　　　　（2）电矢量与磁矢量同相位且相互垂直
　　　　（3）电磁矢量幅度成比例
　　　　（4）传播速度：$v=\frac{1}{\sqrt{ϵ{ϵ}_0\mu {\mu }_0}}=c$（真空中：$ϵ=\mu =1$）
　　　　3）电磁能量（$W=W_e+W_m=\frac{1}{2}{\iiint }_V(\mathbf{D}\cdot \mathbf{E}+\mathbf{B}\cdot \mathbf{H})dV,\mathbf{D}=ϵ{ϵ}_0\mathbf{E},\mathbf{B}=\mu {\mu }_0\mathbf{H}$）
　　　　$\frac{\partial }{\partial t}(\mathbf{D}\cdot \mathbf{E}+\mathbf{B}\cdot \mathbf{H})=2\mathbf{E}\cdot \frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t}+2\mathbf{H}\cdot \frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}$