HBM研究框架：突破“内存墙”，封装新突破

本文来自“走进芯时代：HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点”。

报告概述

   HBM突破“内存墙”,实现高带宽高容量，成为Al芯片最强辅助，我们认为HBM将持续迭代，1/0口数量以及单1/0口速率将逐渐提升，HBM3以及HBM3e逐渐成为Al服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。

当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠，但随着堆叠层数的增加散热效率很差，TCB不再满足需求，海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding方案，取消互连凸块。

混合键合与TSV是3D封装的核心，HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇：混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W,3D NAND使用W2W,典型案例为长鑫存储的Xstacking,CMOS层+存储层采用W2W混合键合方案，预计HBM未来亦会采用W2W方案，W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆，避免损失。

报告节选

2、Al算力快速迭代，HBM为最强辅助

3、HBM核心—“连接”与“堆叠”,3D混合键合成趋势

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